二维跨声速有旋流动反命题的赝势函数变分原理

本文以文献［３］所得正命题变分原理为基础,通过对边界项进行变域变分的详细分析,构造出了未知壁面的自然边界条件,推导出了求解反命题的变域变分原理,这些工作为采用有限元求解气动反命题奠定了完密的数学基础。     

短脉冲激光作用下丙酮液池沸腾现象的瞬态观测

本文对短脉冲激光作用下试件表面的温度变化和丙酮液体汽泡行为进行了瞬态观测,研 究了激光参数和细小金属颗粒等因素对丙酮液体沸腾行为的影响。结果表明：激光参数中,脉宽是 影响温度曲线和汽泡行为的主要因素,随着激光脉宽增大,大汽泡的长大时间和脱离直径减小;汽 泡长大速度与常规沸腾时的完全不同,没有出现等温生长阶段,在激光脉冲后很长时间内汽泡长大 速度快速增大;试件表面覆盖细小金属颗粒后,沸腾过程变得非常剧烈。     

The Threshold and Modes of the End pumped Solid state Laser

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＬａｓｅｒｄｉｏｄｅｐｕｍｐｅｄｓｏｌｉｄｓｔａｔｅｌａｓｅｒｓａｒｅｏｆｈｉｇｈｅｆｉｃｉｅｎｃｙ,ｃｏｍｐａｃｔｎｅｓ,ａｎｄｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ,ｅｓｐｅｃｉａｌｙｉｎａｎｅｎｄｐｕｍｐｉｎｇｃｏｎｆｉｇｕｒ...     

氨基酸原子电距矢量表达与核磁共振碳谱模拟

提出以原子电性距离矢量(VAED)描述20种天然氨基酸中不同等价碳原子的化学环境,结合γ效应校正与碳原子类型,建立核磁共振碳谱(¹³CNMR)化学位移(CS)的五参数线性模型.用于氨基酸分子中4类不同的等价碳原子化学位移的估计,复相关系数分别为R=0.9864,0.9513,0.9463,0.9567;均方根误差分别为RMS=0.5544,2.5232,11.3096,4.9098ppm经交互校验,模型稳定性较好.并综合几种处理方法,找到一种较好的建模方法,将它用于4个外部样本化学位移的定量预测,结果良好.     

混沌振子的广义旋转数和同步混沌的Hopf分岔

对应于混沌振子的各个Lyapunov指数,在切空间中定义了广义相位和广义旋转数．广义旋转数和Lyapunov指数相结合,可以更完整地描述混沌吸引子的各个运动模式的运动特征,包括伸缩与旋转．用耦合Duffing振子研究了时空混沌系统在同步混沌失稳时发生的分岔行为．结果表明,耦合振子的同步混沌态可以发生一种Hopf分岔,在Hopf分岔后,系统的功率谱中出现了一个特征频率,其值恰好等于分岔前临界横模的广义旋转数． 关键词：     

电流体动力学技术制备的Sn-Bi纳米超微粉的微观结构特征

采用电流体动力学技术制备了Sn-Bi纳米超微粉,利用X射线衍射、透射电子显微镜和高分辨电子显微镜研究了Sn-Bi纳米超微粉的微观结构特征,结果表明：所制取的Sn-Bi纳米超微粉由四方结构的β-Sn单相过饱和固溶体和菱方结构的Bi单相过饱和固溶体所组成,这些纳米超微粉绝大部分为单晶结构,极少量为孪晶结构,小于10nm的颗粒为完整单晶,10nm以上的单晶颗粒中存在着位错．并对其结构形成机制进行了分析. 关键词：     

R?ssler混沌系统的脉冲同步

对R?ssler混沌系统给出了脉冲同步的方法．该方法基于脉冲微分方程理论,根据同步误差进行线性反馈,对系统施加脉冲作用,改变其状态变量,使两个系统同步．同时给出了一个同步的渐近稳定性条件,并进行数值仿真验证了该方法的正确性和抗噪声能力. 关键词：     

36Krq+(q=1,2)与H和He碰撞的电荷剥离截面

采用二体碰撞近似和托马斯-费密近似方法计算了多电荷离子₃₆Kr^q+的势函数和电子动量分布,以及它与中性原子H和He碰撞的电荷剥离截面. 关键词：     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究

报道了在钙钛矿型结构的SrTiO₃衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构SrTiO₃衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5倍. 关键词：