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本文在原有实验室自制多功能荧光分光计的基础上,通过微机A/D转换技术的软件设计,实现了光谱的CRT显示,分别得到了常规荧光光谱,各种同步荧光光谱及它们的一,二阶导数谱,并且测绘了三维立体荧光光谱和等高图荧光光谱。同时建立了各种光谱及数据处理技术。 相似文献
212.
量子计算机原理及问题 总被引:4,自引:0,他引:4
讨论了量子计算机的原理及特色,着重介绍了实现它所遇到的问题及解决办法。 相似文献
213.
利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/pSi异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E1=Ev+0.21eV,E2=Ev+0.44eV,E3=Ev+071eV;而1000℃退火样品仅存在一个E1=Ev+021eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱。发现1000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。 相似文献
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215.
216.
碳纳米管及其H_2吸附体系的Raman光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
利用紫外Raman光谱技术 ,对分别以CO和CH4为碳源、由化学催化法制备的两种多壁碳纳米管以及它们的H2 吸附体系进行Raman光谱表征 ,观测到可分别归属于类石墨结构的基频模G (1 5 80cm- 1 )和D (1 41 6cm- 1 ,缺陷诱导 ) ,以及它们的二阶和三阶组合频 2D(2 83 2cm- 1 ) ,D +G (2 996cm- 1 ) ,2G (3 1 6 0cm- 1 )和 2D +G (441 2cm- 1 )的Raman峰 ;H2在这些多壁碳纳米管上吸附有两种形式 :非解离吸附分子氢H2 (a)和解离吸附生成含氢表面物种CHX(x =3 ,2 ,1 ) ,所观测在 2 85 0 ,2 96 7和 3 95 0cm- 1 处的Raman谱峰可分别归属于表面CH2 基的对称C -H伸缩模 ,CH3基的不对称C -H伸缩模 ,以及吸附态分子氢H2 (a)的H -H伸缩模 相似文献
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