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101.
K-非常凸空间   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文引入了一种新的K凸空间K-非常凸空间,及其对偶空间K-非常光滑空间,它们分别是非常凸空间和非常光滑空间的推广但又严格弱于非常凸空间和非常光滑空间,因此它们又有许多独特的性质.本文讨论了它们的一些特性及与其它K凸性和K光滑性的关系,推广了[3]、[6]、[7]、[8]中的一些结果.  相似文献   
102.
史彭  凌亚文  华中文 《大学物理》2003,22(9):27-28,41
介绍了“摄像型等厚干涉实验仪”的构造及等厚干涉实验新的测量方法。  相似文献   
103.
构造一个求解椭圆型边值问题的多子域D—N交替算法,导出对应的容度方程和等价的迭代法,证明算法的收敛性。  相似文献   
104.
本文中 ,我们用邻域并对泛圈图进行深入的研究 ,主要取得了“2连通 n( n≥ 3 )阶图 G,满足下列条件之一 ,则 G是泛圈图 : :δ≤ ( n-7) /3 ,N C≥ ( 2 n-3 ) /3 ; :( n-6) /3≤ δ≤ ( n+2 ) /3 ,N C≥ 2 n/3 ; :δ≥ ( n+3 ) /3 ,N C≥ ( 2 n-3 ) /3 .当 3≤ n≤ 14时 ,N C≥ 2 n/3”  相似文献   
105.
马科维兹资产组合选择模型的旋转算法   总被引:2,自引:0,他引:2  
提出线性不等式组的一种旋转算法,并用其求解马科维兹资产组合选择模型,此算法每次迭代约需n^2次乘法和加法,其中n是模型中变量的数目,在微机上运行Delphi程序的实验结果表明,从上海和深圳股市1072支股票70期周末收盘价计算出20个最优投资组合仅需314次迭代和45s。  相似文献   
106.
New Exact Solutions to the Combined KdV and mKdV Equation   总被引:2,自引:0,他引:2  
The modified mapping method is developed to obtain new exact solutions to the combined KdV and mKdV equation. The method is applicable to a large variety of nonlinear evolution equations, as long as odd- and even-order derivative terms do not coexist in the equation under consideration.  相似文献   
107.
1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…  相似文献   
108.
中国股票市场风险的实证分析研究   总被引:6,自引:1,他引:5  
李萌  叶俊 《数理统计与管理》2003,22(4):12-17,23
本文从实证角度说明了上证指数和深证成份指数存在着GARCH现象 ,并建立了沪、深两市股指波动率的IGARCH(1,1) M模型与EGARCH(1,1) M模型。将估计的IGARCH(1,1) M模型与EGARCH(1,1) M模型比较得出 ,对上证指数的波动率 ,IGARCH(1,1) M模型与EGARCH(1,1) M模型的模拟效果基本相同 ,而对深证成份指数的波动率 ,IGARCH M模型要略优于EGARCH M模型。同时还对两市的股指收益的波动率进行了预测分析  相似文献   
109.
FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0~ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和  相似文献   
110.
The methods for the few-body system are introduced to investigate the states of the barrier Li quantumdots (QDs) in an arbitrary strength of magnetic field. The configuration, which consists of a positive ion located on thez-axis at a distance d from the two-dimensional QD plane (the x-y plane) and three electrons in the dot plane boundby the positive ion, is called a barrier Li center. The system, which consists of three electrons in the dot plane bound bythe ion, is called a barrier Li QD. The dependence of energy of the state of the barrier Li QD on an external magneticfield B and the distance d is obtained. The angular momentum L of the ground states is found to jump not only withthe variation of B but also with d.  相似文献   
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