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71.
三维射频加速腔程序包MAFIA的开发和应用 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了三维射频加速器计算机辅助设计(CAD)程序包MAFIA的特点、功能及其应用。用CAD的方法实现了射频加速器特别是非轴对称带耦合腔的加速器的三维腔形设计。同时介绍了节省内存、节约机时的模型方法,使得在中小型机器上运行大程序(八万条)成为可能。文章主要对L波段的加速腔进行了数值模拟,并和实验进行了比较,结果符合较好;通过三维数值模拟及图形模拟的方法比较了各种形状谐振腔的性能;计算分析了输入耦合腔及高阶模耦合器对加速腔电磁场分布等参量的影响;提出了加耦合器后谐振频率改变的补偿方法。 相似文献
72.
一要明确实验目的、原理和步骤;不要目的不明,原理不清,做一步想一步。 二要会从多种器材中选用精度要求和量程符合的器材;不要随意选用精度和量程不符合实际要求的仪器。 相似文献
73.
74.
平衡规划问题的熵函数方法及其在混合交通流中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
将参变极值问题的极大熵函数方法应用到求解平衡规划问题中,通过先验分布信息和Kullback熵概念,给出了平衡规划问题基于Kullback熵表示的熵函数求解方法,并将平衡规划的极大熵函数方法应用于求解混合交通平衡分配问题. 相似文献
75.
We establish upper and lower bounds for the metric entropy and bracketing entropy of the class of d-dimensional bounded monotonic functions under Lp norms. It is interesting to see that both the metric entropy and bracketing entropy have different behaviors for p<d/(d-1) and p>d/(d-1). We apply the new bounds for bracketing entropy to establish a global rate of convergence of the MLE of a d-dimensional monotone density. 相似文献
76.
In this paper, we discuss the controllability of a nonlinear degenerate parabolic system with bilinear control. Based on the shrinking property of the solutions, we prove that the system is not globally approximately controllable. Furthermore, we give an approximate null controllability result. We also prove that the system is not globally exactly null controllable by a comparison principle. 相似文献
77.
Thin films of oxide materials are playing a growing role as critical elements in optoelectronic devices and nanoscale devices. In this work, thin films of some typical oxides such as WO3, Ga2O3 and SrTiO3 were investigated. We present measurements of those films, using various optical techniques like photoconductivity transients over a wide time range and photo-Hall measurements. Analysis of the photo-Hall and photoconductivity data permits the determination of the contribution to the photoconductivity made by the carrier mobility and concentration. A model for dispersive carrier transport was proposed to explain the relaxation of the photoconductivity in oxide thin films. In addition, photoluminescence characterization was used to study microstructures and energy band in oxide thin films. The broad emission from oxide host, consisting of several band peaks, was likely due to a recombination process with several possible paths. The dependence of the luminescent intensity on the annealing atmosphere was associated with the presence of oxygen vacancies. It is suggested that our optical analysis efforts have improved the understanding of oxide thin films, and this should lead to the necessary advancements in a variety of devices. 相似文献
78.
79.
采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质. 结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端. 在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运概率是相同的,但垂直端与水平端的输运概率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出端的输运概率也有着相当大的差别. 通过施加不同的磁场,我们能获得丰富的电子输运结构,如台阶,宽谷,尖峰等;通过调节磁场的大小和比例以及结构参数可控制该量子结构在各输出端的输运概率.
关键词:
电子输运
介观体系
磁效应 相似文献
80.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献