电场催陈米酒核磁共振分析

以自行研制的设备对新产广东玉冰烧米酒进行催陈 (处理条件 :4 0kV·m- 1 的电场强度处理 180min ,5 0Hz) ;然后采用1 HNMR对新酒、电场催陈酒及成品酒进行了分析 ,研究发现新酒中甲基和亚甲基峰出现了 4个杂峰而其他样品没有 ,说明新酒中单分子与各种状态的缔合结构共存 ,其他各主要有机物质亦参与成峰 ;而关于羟基质子峰 ,新酒为平头峰 ,推断出溶液中有 2种羟基质子存在 ,一种参与形成缔合 ,另一种未参与缔合 ;成品酒为单一峰 ,说明溶液中形成了单一稳定的大分子缔合结构 ;电场处理酒样为不规则峰 ,反映出多种缔合状态共存 ,其主要缔合结构接近成品酒缔合结构     

Fabrication of high growth rate solar-cell-quality μc-Si:H thin films by VHF-PECVD

Several series of Si:H films were fabricated by the very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition (VHF-PECVD) at different substrate temperatures (T_s) and silane concentration (SC=[SiH_4]/[SiH_4+H_2]%). The results of Raman spectroscopy showed structural evolution of the Si:H films with the variation of T_s and SC. The results of x-ray diffraction (XRD) measurements indicated that T_s also influences the crystal orientation of the Si:H films. The modulation effect of T_s on crystalline volume fraction (X_c) is more evident for the high SC, which shows different trend compared to low SC. In addition, the growth rate of the films also showed a regular change with the variation of SC and T_s. Different samples in the series showed a similar increase in dark conductivity and a decrease in photosensitivity with increasing T_s and decreasing SC. Device-quality microcrystalline silicon materials were deposited at a high growth rate, characterized by relatively low dark conductivity and relatively high photosensitivity in a certain crystalline range. The microcrystalline silicon solar cell with a conversion efficiency of 4.55% has been prepared by VHF-PECVD.     

[Cu(DPPZ)(L-Ser)]+与DNA的相互作用及其分析应用研究

研究了DNA与铜(Ⅱ)-L丝氨酸-二吡啶并[3,2-a:2',3'-c]吩嗪配合物[Cu(DPPZ)(L-Ser)-]+相互作用的共振光散射光谱和紫外可见吸收光谱,通过研究体系与溴化乙啶相互作用的荧光光谱特征,证明其作用方式为插入作用.在pH 7.2的缓冲溶液中,[Cu(DPPZ)(L-Ser)]+由于插入作用而在DNA表面聚集,使体系的共振光散射强度增强,最大敞射峰在400 nm处.在最佳实验条件下,共振光散射增强的强度与浓度在0.42～4.20 ng·mL1范围的DNA具有良好的线性关系.方法的检出限为0.29 ng·mL-1.该法用于DNA样品的测定,回收率在97.8%～106.0%之间.     

测量气体分子平均速率的一种简易方法

用一种简易的方法测量了常温下气体分子运动的平均速率.根据易挥发性液体的质量随时间逐渐减少的特点和盛放液体的容器加盖前后挥发的气体分子对容器作用力的变化,通过分析天平测量液体质量的改变得到挥发出来的气体分子对容器的作用力,利用变质量物体的动量守恒定理,测量得到了易挥发性气体分子的平均速率,实验结果较好地与理论值符合.     

GaAs光电阴极激活时Cs的吸附效率研究

从NEA GaAs光电阴极的激活光电流曲线发现,当系统真空度不很高时,在首次Cs激活阶段,表面掺杂浓度较低的阴极材料,其光电流产生需要的时间也较长.同时,随着系统真空度的提高,这种时间上的差异又变得不再明显.该现象表明,Cs原子在阴极表面的吸附效率同表面层掺杂浓度以及系统真空度之间有直接的联系.为定量分析这种关系,本文根据实验数据建立了Cs在阴极表面吸附效率的数学模型,利用该模型仿真的结果同实验现象非常符合.该研究对进一步开展变掺杂阴极结构设计和制备工艺研究具有重要的价值和意义. 关键词： GaAs光电阴极 吸附效率 真空度 表面掺杂浓度     

Fabrication and characterization of CdS-sensitized TiO<Subscript>2</Subscript> nanotube photoelectrode

CdS quantum dot (Qd)-sensitized TiO₂ nanotube array photoelectrode is synthesised via a two-step method on tin-doped In₂O₃-coated (ITO) glass substrate. TiO₂ nanotube arrays are prepared in the ethylene glycol electrolyte solution by anodizing titanium films which are deposited on ITO glass substrate by radio frequency sputtering. Then, the CdS Qds are deposited on the nanotubes by successive ionic layer adsorption and reaction technique. The resulting nanotube arrays are characterized by scanning electron microscopy, X-ray diffraction (XRD) and UV–visible absorption spectroscopy. The length of the obtained nanotubes reaches 1.60 μm and their inner diameter and wall thickness are around 90 and 20 nm, respectively. The XRD results show that the as-prepared TiO₂ nanotubes array is amorphous, which are converted to anatase TiO₂ after annealed at 450 °C for 2 h. The CdS Qds deposited on the TiO₂ nanotubes shift the absorption edge of TiO₂ from 388 to 494 nm. The results show that the CdS-sensitized TiO₂ nanotubes array film can be used as the photoelectrode for solar cells.     

单室沉积非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池的研究

在产业化比较成熟的单室沉积非晶硅薄膜太阳电池基础上,进行了非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池性能优化的研究.在生产线上纯单室沉积的非晶硅/非晶硅叠层太阳电池基础上,通过调节n-p隧穿结并采用自行研制开发的单室微晶硅底电池的沉积路线,获得了单室沉积的光电转换效率达到9.52%的非晶硅/非晶硅/微晶硅三叠层太阳电池. 关键词： 硅基薄膜太阳电池 三叠层 微晶硅     

TiO基态 (X 3 Δr) 的势能函数与光谱常数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导了TiO分子基态(X³Δ_r)的离解极限.采用不同的计算方法,包括密度泛函B3LYP,B3P86,BP86,B3PW91和MP2,MP4方法,结合不同基组计算了TiO分子基态的平衡核间距、能量和振动频率.研究表明,使用B3LYP方法,对O原子使用6-311+G基组,Ti原子使用6-311+ +G^**基组时计算得到的平衡几何结构、分子离解能和谐振频率与实验值符合得最好.使用优选出的方法和基组对T 关键词： TiO 势能函数 光谱常数 密度泛函理论     

Al2O3-Y2O3-ZrO2三相复合陶瓷的介电谱研究

采用传统的固相反应法,在1400–1500 ℃下烧结,制备得到Al₂O₃-Y₂O₃-ZrO₂三相复合陶瓷.样品的结构、形貌和电性能分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及介电谱表征.XRD表明此三相复合体系无其他杂相,加入Y₂O₃及ZrO₂后使得Al₂O₃成瓷温度降低;SEM表明此体系晶粒直径为200–500 nm,并且样品随烧结温度的升高而变得更加致密,晶界更加清晰;介电损耗谱中出现峰值弛豫现象,根据Cole-Cole复阻抗谱得出其为非德拜弛豫. 关键词： 2O₃-Y₂O₃-ZrO₂三相陶瓷')" href="#">Al₂O₃-Y₂O₃-ZrO₂三相陶瓷 介电弛豫 阻抗谱 热导率