首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   73篇
  免费   92篇
  国内免费   29篇
化学   60篇
力学   2篇
数学   8篇
物理学   124篇
  2023年   2篇
  2022年   4篇
  2021年   5篇
  2020年   2篇
  2019年   1篇
  2018年   3篇
  2017年   3篇
  2016年   3篇
  2015年   4篇
  2014年   6篇
  2013年   13篇
  2012年   30篇
  2011年   27篇
  2010年   13篇
  2009年   7篇
  2008年   28篇
  2007年   4篇
  2006年   14篇
  2005年   4篇
  2004年   6篇
  2003年   8篇
  2002年   4篇
  1999年   1篇
  1995年   2篇
排序方式: 共有194条查询结果,搜索用时 15 毫秒
191.
采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究9.6 K温度下本征GaAs中电子自旋相干弛豫动力学,发现反映电子自旋相干的吸收量子拍的振幅随光子能量的增加呈非单调性变化.考虑自旋极化依赖的带填充效应和带隙重整化效应,发展了圆偏振光抽运-探测光谱的理论模型.该模型表明量子拍的振幅依赖于所探测能级的电子初始自旋极化度,自旋探测灵敏度以及带填充因子,三者的乘积导致了量子拍振幅的非单调变化,与实验结果一致.给出了能级分裂的二能级系统中电子自旋极化度定义.发现在高能级上可以获得100%的初始电子自旋极化度. 关键词: 圆偏振光抽运-探测光谱 吸收量子拍 电子自旋极化度 GaAs  相似文献   
192.
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据. 关键词: (Ga Mn)As稀磁半导体 时间分辨克尔光谱 电子自旋弛豫 DP机理  相似文献   
193.
Ordered and disordered double perovskite Sr2FeMoO6 ceramics have been investigated by powder x-ray diffraction,magnetic and transport measurements, as well as Moessbauer spectroscopy. The heavily disordered sample can be acquired by annealing the ordered samples in argon. The annealing procedure affects not only the nature of grain boundaries but also the grain itself. The evidence of Moessbauer spectra performed at 77 and 300K indicates that there exist small oxygen deficient clusters of SrFeO3-y in the disordered sample. The paramagnetic Fe^4 and Fe^3 ions in the compound subsist down to 77K and the ratio of Fe^4 /Fe^3 increases with decreasing temperature.  相似文献   
194.
以醋酸铅和碘化钾为原料,通过在体系中添加乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺,采用一步室温固相反应成功制备出羟碘铅(Pb(OH)I)纳米棒和菱形结构的PbI2/TEA(TEA为三乙醇胺)杂化物,利用XRD、IR、TG、SEM和元素分析对其组成、结构和形貌进行了表征。实验结果表明:乙醇胺、二乙醇胺和三乙醇胺,在醋酸铅与碘化钾固相反应体系中起到了双重作用。一方面充当反应原料,形成了Pb(OH)I和PbI2/TEA;另一方面充当软模板的作用,诱导产物形成了棒状和菱形结构。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号