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微分电位溶出分析法应用于金膜电极的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍将微分电位溶出分析法应用于金膜电极,建立了相应的理论体系和应用条件。可使用的金膜厚度在1.8×10~(-7)~4.3×10~(-7)cm范围。检测限较原法降低近两个数量极。用本法测定花生乳中的铜,回收率在94~102%间。 相似文献
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Fei Yu Roger Ruan Xiangyang Lin Yuhuan Liu Rong Fu Yuhong Li Paul Chen Yinyu Gao 《Applied biochemistry and biotechnology》2006,130(1-3):563-573
The purpose of this research was to study the kinetics of liquefaction of crop residues. The liquefaction of corn stover in
the presence of ethylene glycol and ethylene carbonate using sulfuric acid as a catalyst was studied. It was found that the
liquefaction yield was a function of ratio of solvent to corn stover, temperature, residence time, and amount of catalyst.
Liquefaction of corn stover was conducted over a range of conditions encompassing residence times of 0–2.5 h, temperatures
of 150–170°C, sulfuric acid concentrations of 2–4% (w/w), and liquefaction reagent/corn stover ratio of 1–3. The liquefaction
rate constants for individual sets of conditions were examined using a first-order reaction model. Rate constant increased
with the increasing of liquefaction temperature, catalyst content, and liquefaction reagent/corn stover ratio. Reuse of liquefied
biomass as liquefying agent was also evaluated. When using recycled liquefied biomass instead of fresh liquefaction reagent,
the conversion is reduced. It appeared that 82% of liquefaction yield was achieved after two times of reuse. 相似文献
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本文研究了冰片基氯化镁与苯甲醛、对-硝基苯甲醛的还原反应。冰片基氯化镁与苯甲醛的反应得到苯甲醇和相应的氧化产物冰片烯以及还原缩合产物安息香;而与对-硝基苯甲醛的反应,则得到4,4`-二硝基安息香和冰片烯。 相似文献
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In this paper, the crystallization behaviour of amorphous Ge2Sb2Te5 thin films is investigated using differential scanning calorimetry), x-ray diffraction and optical transmissivity measurements. It is indicated that only the amorphous phase to face-centred-cubic phase transformation occurs during laser annealing of the normal phase-change structure, which is a benefit for raising the phase-change optical disk's carrier-to-noise ratio (CNR). For amorphous Ge2Sb2Te5 thin films, the crystallization temperature is about 200℃ and the melting temperature is 546.87℃. The activation energy for the crystallization, Ea, is 2.25eV. The crystallization dynamics for Ge2Sb2Te5 thin films obeys the law of nucleation and growth reaction. The sputtered Ge2Sb2Te5 films were initialized by an initializer unit. The initialization conditions have a great effect on the reflectivity contrast of the Ge2Sb2Te5 phase-change optical disk. 相似文献
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拉压性能不同材料全量型本构关系及厚壁筒的应力分析 总被引:1,自引:0,他引:1
将经典全量理论作了推广,考虑了应力状态及塑性体积变形对拉压性能不同材料的塑性行为的影响。应用该本构模型分别计算了厚壁筒在内压和外压作用下的应力分布。给出了径向应力、环向应力和轴向应力沿壁厚的分布图。将本文的计算解与拉压性能相同(不考虑体积变形、强化曲线唯一)的幂函数强化材料的厚壁筒的理论解进行了比较。结果表明,材料的拉压性能不同对厚壁筒的环向应力和轴向应力影响较大。因此,对于拉压性能不同材料,考虑到其对应力状态及塑性体积变形敏感时,是不能将其简化成拉压性能相同、体积不可压缩、强化曲线唯一的理想材料。 相似文献