半无限规划离散化问题一个两阶段序列二次规划算法

本文研究了求解半无限规划离散化问题(P)的一个新的算法.利用序列二次规划(SQP)两阶段方法和约束指标集的修正技术,提出了求解(P)的一个两阶段SQP算法.算法结构简单,搜索方向的计算成本较低.在适当的条件下,证明了算法具有全局收敛性.数值试验结果表明算法是有效的.推广了文献[4]中求解(P)的算法.     

约束优化问题的修正共轭梯度投影算法

对闭凸集约束的非线性规划问题构造了一个修正共轭梯度投影下降算法,在去掉迭代点列有界的条件下,分析了算法的全局收敛性.新算法与共轭梯度参数结合,给出了三类结合共轭梯度参数的修正共轭梯度投影算法.数值例子表明算法是有效的.     

关于离散信源的若干强极限定理

本文研究了离散信源广义熵定理以及随机条件概率的广义调和平均a.s.收敛性,在证明中提出了将Markov不等式、Borel-Cantelli引理和随机条件矩母函数等工具应用于强极限定理的研究的一种途径.     

纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究

在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅（100）和石英衬底上沉积氮化铝薄膜．原子力显微镜图片表明：在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2．2—13．2nm．X射线衍射图谱表明：可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善．由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1．80～1．85,膜厚约为1μm、光学能隙为6．1eV．     

掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和GaAs-GaAs界面的光反射调制谱

报道了用光反射调制谱(PR)测量掺杂分子束外延GaAs薄膜表面和界面电场的结果。分别用He-Ne激光和He-Cd激光作调制光,由于它们的穿透深度不同,可以有效地区分来自表面和界面的PR信号。由PR谱推算出薄膜表面和界面的电场。研究了薄膜干涉效应对调制光谱的影响,对界面电场的成因进行了分析和讨论。 关键词：     

托卡马克装置磁轴附近的低频漂移波稳定性计算

一、基本方程和定解条件 为了研究低频漂移波不稳定性,文[1]给出了无量纲化的本征摸方程     

一维无公度系统的电子波函数特征

本文研究了存在无序及不存在无序两种情况下,一维无公度系统的电子波函数特征。发现存在无序的无公度系统的电子波函数都是指数局域的,而不存在无序的无公度系统则不然。 关键词：     

HL-2M混合运行方案初步分析

采用OMFIT集成模拟平台,对在建的HL-2M的混合运行方案开展物理分析。在1MA等离子体电流和1.88T环向磁场条件下,利用电子回旋波和中性束注入等辅助加热和电流驱动方式来调制出混合运行所特有的芯部q≈1的平坦的安全因子剖面,其中欧姆电流和自举电流的份额分别为26%和42%,能量约束因子(H_98,y2)高达1.19。在混合运行的条件下,通过添加反向中性束注入,可以得到更高的比压值βN。此外,优化离轴的电子回旋波电流驱动和增加在轴中性束注入功率,可以进一步实现完全非感应混合运行。在该方案下,β_N可达3.47、H_98,y2为1.14和自举电流份额达51%。     

Dy离子注入CdTe薄膜的结构和喇曼光谱分析

利用X射线衍射(XRD)和喇曼(R am an)光谱对在陶瓷基底上近距离升华(CSS)制备的纯CdT e薄膜以及稀土镝(D y)离子5×1014cm-2高剂量注入的CdT e薄膜进行结构和喇曼特性分析,并讨论了离子注入后的退火效应.研究结果表明,退火处理基本消除了离子注入引起的的损伤,稀土D y离子的掺入改善了CdT e薄膜的结晶性能,增强了CdT e薄膜的喇曼活性.同时喇曼光谱的结果给出了CdT e薄膜中T e沉积物的存在情形.     

无水NdCl3和无水PrCl3单晶体中Nd3+的吸收光谱及其量子态

在光谱的可见和近红外区域内系统地研究了无水NdCl₃和无水PrCl₃(含0.1％NdCl₃)单晶体中Nd³⁺的吸收光谱。其吸收光谱线群的结构与含2％NdCl₃的无水LaCl₃单晶体中的Nd³⁺的吸收光谱一样,只是所有相应的吸收光谱线群有一个向光谱长波端的整体移位。相应上子能级间的移位(相对于基态)与单晶体原胞长度c₀成正比(见图3)。 关键词：