首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   626845篇
  免费   7240篇
  国内免费   1434篇
化学   321517篇
晶体学   8268篇
力学   30528篇
综合类   10篇
数学   84298篇
物理学   190898篇
  2021年   5118篇
  2020年   5834篇
  2019年   6580篇
  2018年   8928篇
  2017年   8877篇
  2016年   12793篇
  2015年   7719篇
  2014年   12136篇
  2013年   27676篇
  2012年   22665篇
  2011年   26915篇
  2010年   19330篇
  2009年   19125篇
  2008年   25025篇
  2007年   24956篇
  2006年   23176篇
  2005年   20760篇
  2004年   19145篇
  2003年   17178篇
  2002年   17055篇
  2001年   17378篇
  2000年   13643篇
  1999年   10462篇
  1998年   9070篇
  1997年   8780篇
  1996年   8556篇
  1995年   7605篇
  1994年   7500篇
  1993年   7351篇
  1992年   7861篇
  1991年   8065篇
  1990年   7788篇
  1989年   7621篇
  1988年   7589篇
  1987年   7341篇
  1986年   6932篇
  1985年   9145篇
  1984年   9463篇
  1983年   7821篇
  1982年   8314篇
  1981年   8054篇
  1980年   7525篇
  1979年   8150篇
  1978年   8255篇
  1977年   8374篇
  1976年   8444篇
  1975年   8028篇
  1974年   7828篇
  1973年   8144篇
  1972年   5687篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
991.
992.
    
Ohne ZusammenfassungBriefliche Mitteilung vonDemselben  相似文献   
993.
994.
    
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
995.
996.
997.
998.
Porous silicon (PS) exhibits several photoluminescence (PL) bands, whose spectral position and intensity depend strongly on the actual conditions of preparation of PS, its treatment, and subsequent use. The PS PL band peaking at about 1.8 eV and usually assigned to the intrinsic emission of silicon nanocrystals was studied. It was shown that the temperature-induced variation of the PL kinetics in the 80 to 300-K interval follows a complex pattern and depends noticeably on the actual point on the band profile. The temperature behavior of PL decay in the 1.8-eV band is determined by the electron-hole recombination rate within a nanocrystal and the cascade carrier transitions from small to large nanocrystals, with an attendant decrease in energy.  相似文献   
999.
Solid state nuclear track detectors are commonly used for measurements of concentrations of radon gas and/or radon progeny. All these measurements depend critically on the thickness of the removed layer during etching. However, the thickness of removed layer calculated using the etching period does not necessarily provide a sufficiently accurate measure of the thickness. For example, the bulk etch rate depends on the strength of stirring during etching for the LR 115 detector. We propose here to measure the thickness of the removed layer by using energy-dispersive X-ray fluorescence spectrometry. In the present work, a reference silver nitrate pellet is placed beneath the LR 115 detector, and the fluorescence X-ray intensity for silver is then measured. We have found a linear relationship between the X-ray intensity and the thickness of the removed layer for LR 115 detector. This provides a fast method to measure the thickness of removed layer from etching of LR 115 detector. However, this method was found to be inapplicable for the CR-39 detector. Therefore, alternative methods have yet to be explored for the CR-39 detector.  相似文献   
1000.
The existence of an attractor for a 2D-Navier-Stokes system with delay is proved. The theory of pullback attractors is successfully applied to obtain the results since the abstract functional framework considered turns out to be nonautonomous. However, on some occasions, the attractors may attract not only in the pullback sense but in the forward one as well. Also, this formulation allows to treat, in a unified way, terms containing various classes of delay features (constant, variable, distributed delays, etc.). As a consequence, some results for the autonomous model are deduced as particular cases of our general formulation.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号