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11.
ON A PAIR OF NON-ISOMETRIC ISOSPECTRAL DOMAINS WITH FRACTAL BOUNDARIES AND THE WEYL-BERRY CONJECTURE
ONAPAIROFNONISOMETRICISOSPECTRALDOMAINSWITHFRACTALBOUNDARIESANDTHEWEYLBERRYCONJECTURESLEEMAN,B.D.CHENHUAManuscriptrec... 相似文献
12.
Summary. Let be a square matrix dependent on parameters and , of which we choose as the eigenvalue parameter. Many computational problems are equivalent to finding a point such that has a multiple eigenvalue at . An incomplete decomposition of a matrix dependent on several parameters is proposed. Based on the developed theory two new algorithms are
presented for computing multiple eigenvalues of with geometric multiplicity . A third algorithm is designed for the computation of multiple eigenvalues with geometric multiplicity but which also appears to have local quadratic convergence to semi-simple eigenvalues. Convergence analyses of these methods
are given. Several numerical examples are presented which illustrate the behaviour and applications of our methods.
Received December 19, 1994 / Revised version received January 18, 1996 相似文献
13.
355nm Nd∶YAG激光在H_2中的高效一级斯托克斯转换 总被引:1,自引:1,他引:0
对脉冲Nd∶YAG激光(355 nm)在H2和H2∶He-Ar混合气体中的受激拉曼散射(SRS)进行了研究。在0.5 MPa的氢气中,同时测量到从二级反斯托克斯到三级斯托克斯的多波长输出,其总转化效率达88%;而高压下只剩下一级和二级斯托克斯输出,其中二级斯托克斯最大能量转化效率达44%(对应量子效率为63%)。由于高级斯托克斯的竞争,纯氢气中一级斯托克斯的最大能量转换效率不超过43%。通过向3 MPa氢气中掺入2 MPaAr气后,很好地抑制了二级斯托克斯的产生,从而获得了能量转换效率高达71%(对应量子效率为83%)的一级斯托克斯输出。对四波混频和级联受激拉曼散射在氢气多级斯托克斯产生中的作用以及惰性气体对它们的影响进行了讨论。 相似文献
14.
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18.
完全非线性偏微分方程解的Gevrey微局部正则性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文中,我们首先简要回顾了Gevrey类中的仿微分运算,然后考察了相关的完全非线性偏微分方程的象征的一些性质。作为应用,我们得到解在椭圆点附近的Gevrey微局部正则性。 相似文献
19.
20.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献