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151.
We have performed total-energy calculations to study theoretical scanning tunneling microscopy (STM) images of the Si(1 1 1)3 × 2 surfaces induced by the adsorption of alkaline-earth metals (AEMs). Previously, in a series of works on Ba/Si(1 1 1) system, we have found that the observed Si(1 1 1)3 × 1-Ba LEED phase indeed has a 3 × 2 periodicity with a Ba coverage of 1/6 ML and the HCC substrate structure. Based on results of the Ba case, we proposed that the HCC structure is also adopted for other AEM atoms, which was confirmed by our recent work. In this paper, we mainly report the STM simulations for different AEM systems to compare with existing experimental data. We discuss the difference in the detailed STM images for different AEM adsorbates. Especially, the difference in filled-state images between Mg and other AEM atoms is attributed to the strong Mg-Si interaction.  相似文献   
152.
聚异丁烯高活性端基含量及相对分子质量测定方法的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
综合使用核磁,VPO和近红外光谱分析技术对聚异丁烯活性端基含量以及相对分子质量的测定进行了详细研究,分别建立核测定聚异丁烯活性端基含量以及其他烯键含量和近红外光谱快速测量聚异聚丁烯活性端基含量。其他烯键含量和相对分子质量的分析方法。成对t检验结果表明,近红外光谱分析方法测定结果与核磁和VPO方法测定结果之间无显著性差异。  相似文献   
153.
联合功率谱的高频成份对相关峰识别具有重要作用,实验中记录的联合功率谱随着频率的增加其强度迅速降低。为增强联合功率谱的高频成分,改善其调制程度,可对功率谱进行对数变换,从而有效保留更多的高频成份,压低零级衍射光斑,提高联合变换相关器的识别能力。  相似文献   
154.
A series of ZnO thin films were deposited on ZnO buffer layers by DC reactive magnetron sputtering. The buffer layer thickness determination of microstructure and optical properties of ZnO films was investigated by X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL), optical transmittance and absorption measurements. XRD results revealed that the stress of ZnO thin films varied with the buffer layer thickness. With the increase of buffer layer thickness, the band gap edge shifted toward longer wavelength. The near-band-edge (NBE) emission intensity of ZnO films deposited on ZnO buffer layer also varied with the increase of thickness due to the spatial confinement increasing the Coulomb interaction between electrons and holes. The PL measurement showed that the optimum thickness of the ZnO buffer layer was around 12 nm.  相似文献   
155.
用干涉方法测量薄膜应力   总被引:2,自引:2,他引:0  
基于基片弯曲法和牛顿环的基本原理,使用He-Ne激光器、扩束镜、凸透镜和带分光镜的移测显微镜,搭建了薄膜应力测量装置.采用直流溅射法制备了厚度为30~144 nm的银薄膜,衬底采用厚度为0.15 mm、直径为18 mm的圆形玻璃片.实验发现,薄膜厚度对银薄膜的内应力有显著的影响,在薄膜厚度很小时,随着薄膜厚度的增加,应力迅速增大,达到最大值后,随着厚度的继续增加,薄膜应力下降较快并趋于稳定值.  相似文献   
156.
157.
Recent experiments revealed that the dielectric dispersion spectrum of fission yeast cells in a suspension was mainly composed of two sub-dispersions. The low-frequency sub-dispersion depended on the cell length, while the high-frequency one was independent of it. The cell shape effect was simulated by an ellipsoidal cell model but the comparison between theory and experiment was far from being satisfactory. Prompted by the discrepancy, we proposed the use of spectral representation to analyze more realistic cell models. We adopted a shell-spheroidal model to analyze the effects of the cell membrane. It is found that the dielectric property of the cell membrane has only a minor effect on the dispersion magnitude ratio and the characteristic frequency ratio. We further included the effect of rotation of dipole induced by an external electric field, and solved the dipole-rotation spheroidal model in the spectral representation.Good agreement between theory and experiment has been obtained.  相似文献   
158.
环上矩阵的广义Moore-Penrose逆   总被引:14,自引:0,他引:14  
刘淑丹  游宏 《数学杂志》2002,22(1):116-120
本文给出带有对合的有1的结合环上一类矩阵的广义Moore-Penrose逆存在的充要条件,而这类矩阵概括了左右主理想整环,单Artin环上所有矩阵。  相似文献   
159.
160.
假定BES合作组在辐射衰变J/ψ→γ pp中观测到的pp,谱的增强是由于存在一个pp的分子态,用线性σ-模型计算了它的束缚能和寿命. 具体考虑了这种增强现象是由于pp可能形成一个S-波或P-波共振态, 并把计算结果和实验数据做了比较. 与氘核不同, 由于pp可以通过s-道湮没, 因此通过研究它的总宽度可以获得线性σ-模型及其相关问题的信息.  相似文献   
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