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101.
Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料. 相似文献
102.
关于独立同分布随机变量部分和的增量有多小问题,目前已有了著名的结果.本文通过与独立同分布情形时完全不同的途径,讨论了独立不同分布情形时相应的问题.在矩母函数存在的条件下,获得了与同分布情形相近的结论. 相似文献
103.
104.
Hong Wang 《Graphs and Combinatorics》1994,10(2-4):271-281
Letk and s be two positive integers with s≥3. LetG be a graph of ordern ≥sk. Writen =qk + r, 0 ≤r ≤k - 1. Suppose thatG has minimum degree at least (s - l)k. Then G containsk independent cyclesC 1,C 2,...,C k such thats ≤l(C i ) ≤q for 1 ≤i ≤r arnds ≤l(C i ) ≤q + 1 fork -r <i ≤k, where l(Ci) denotes the length ofC i . 相似文献
105.
氯代5-氟脲嘧啶卟啉的红外光谱特性的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文对新合成的对位及间位两类氯代苯基 5 氟脲嘧啶卟啉的红外光谱吸收峰进行了归属和总结 ,讨论了其红外吸收频率随取代基位置变化的规律。指出了苯环上的取代基为电负性强的基团时 ,由于场效应的存在 ,使被测化合物的羰基伸缩振动吸收峰的相对强度发生改变。同时 ,表明了嘧啶环上N原子发生了取代 ,形成单、双取代 5 氟脲嘧啶卟啉化合物的红外光谱特性。 相似文献
106.
107.
The dendrite growth process of transparent NaBi(WO4)2 with small prandtl and high melting point was studied by using the in-situ observation system. According to the dynamic images and detailed information, there are two kinds of restriction effect on
the dendrite growth, the competition between arms and branches and the convection in the melt. The dendrite growth rate was
time dependent, and the rate of arm growth reached the maximum 5.8 mm/s in the diffusive-advective region and rapidly decreased
in the diffusive-convective region. The growth rate of branch had the same change trends as the arm’s. Based on the EPMA-EDS
data of solidification structure of quenched NaBi(WO4)2 melt, it was found that there were component differences from stoichiometric concentration in the melt near the interface
during the growth process.
Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 50331040) and the Innovation Funds from Shanghai
Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences (Grant No. SCX0623) 相似文献
108.
109.
对不同组分的掺FeⅢ-Ⅴ族混晶GaAs1-xPx,测量了Fe深受主中心空穴热发射的非指数恒温暗电容瞬态及DLTS谱。用混晶无序使Fe深能级展宽的模型理论拟合实验结果,得到Fe能级Gauss型展宽的半宽和中心能级的热发射率,并确定出基态空穴跃迁的中心能级的焓变与组分的关系:先是减少,而后增大,与由光电容方法得到的Gibbs自由能变量与组分x的关系明显不同。 进一步讨论表明,上述两种测量方法得到的Fe中心的激活能不同,可能反映Fe中心的键合状态和混晶无序诱导的品格弛豫的影响。 相似文献
110.