Optical properties of InGaAsBi/GaAs strained quantum wells studied by temperature-dependent photoluminescence

The effect of bismuth on the optical properties of InGaAsBi/GaAs quantum well structures is investigated using the temperature-dependent photoluminescence from 12 K to 450 K.The incorporation of bismuth in the InGaAsBi quantum well is confirmed and found to result in a red shift of photoluminescence wavelength of 27.3 meV at 300 K.The photoluminescence intensity is significantly enhanced by about 50 times at 12 K with respect to that of the InGaAs quantum well due to the surfactant effect of bismuth.The temperature-dependent integrated photoluminescence intensities of the two samples reveal different behaviors related to various non-radiative recombination processes.The incorporation of bismuth also induces alloy non-uniformity in the quantum well,leading to an increased photoluminescence linewidth.     

多单元光纤激光阵列的倾斜控制实验研究

本文结合光纤激光阵列技术的发展趋势,介绍一种基于大模场面积光纤的自适应光纤光源准直器的研制进展,搭建七单元光纤激光阵列,进行平行发射体系下阵列间的倾斜控制实验,并初步探索了基于目标在回路的共形发射体系下阵列间的倾斜控制.最后,在三级全光纤放大链路的主振荡-功率放大系统中,完成了两路10W量级光纤激光阵列的倾斜控制及锁相.为在实际大气环境下应用光纤激光阵列技术提供了参考.     

Feasibility Study on Quantitative Measurements of Singlet Oxygen Generation Using Singlet Oxygen Sensor Green

The purpose of this study is to investigate the feasibility for quantitative measurement of singlet oxygen (¹O₂) generation by using a newly developed ¹O₂-specific fluorescence probe Singlet Oxygen Sensor Green reagent (SOSG). ¹O₂ generation from photoirradiation of a model photosensitizer Rose Bengal (RB), in initially air-statured phosphate buffered saline (PBS) was indirectly monitored with SOSG. In the presence of ¹O₂, SOSG can react with ¹O₂ to produce SOSG endoperoxides (SOSG-EP) that emit strong green fluorescence with the maximum at 531 nm. The green fluorescence of SOSG-EP is mainly dependent on the initial concentrations of RB and SOSG, and the photoirradiation time for ¹O₂ generation. Furthermore, kinetic analysis of the RB-sensitized photooxidation of SOSG is performed that, for the first time, allows quantitative measurement of ¹O₂ generation directly from the determination of reaction rate. In addition, the obtained ¹O₂ quantum yield of porphyrin-based photosensitizer hematoporphyrin monomethyl ether (HMME) in PBS by using SOSG is in good agreement with the value that independently determined by using direct measurement of ¹O₂ luminescence. The results of this study clearly demonstrate that the quantitative measurement of ¹O₂ generation using SOSG can be achieved by determining the reaction rate with an appropriate measurement protocol.     

ICP-AES测定宁夏地产骨碎补粉剂及其煎剂中的无机元素

以硝酸-双氧水作为消解体系,采用电热板直接消解法对宁夏地产骨碎补粉剂及其煎剂进行消解,然后用电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定了K、Ca、Mg、Fe、Zn、Mn等17种元素.回收率在90.0％-110.0％之间,各元素相对标准偏差在0.009％-1.26％之间,具有良好的准确度和精密度.实验结果表明,宁夏地产骨碎补中含有丰富的K、Ca元素,Mg、Fe、Na、Zn、Mn的含量也相对丰富,并且在煎剂中,除铁元素外,其他几种元素的溶出率也较高.骨碎补微量元素含量的测定,为进一步探讨宁夏地产骨碎补粉剂与煎剂与其药性的相关性,及回医骨伤科药进一步开发与研究提供科学依据.     

柔性有机场效应晶体管研究进展

柔性有机场效应晶体管具有可折叠、质量轻、低成本等优点,在柔性显示、柔性传感器、柔性射频标签和柔性集成电路等方面显示了广阔的应用前景.本文在介绍柔性有机场效应 晶体管最新研究进展的基础上, 总结了柔性有机场效应晶体管的器件结构和柔性有机场效应晶体管所使用的衬底材料、 栅绝缘层材料、有源层材料及电极材料, 阐述了柔性有机场效应晶体管的制备工艺, 并讨论了不同的弯曲方式对柔性有机场效应晶体管性能的影响, 最后总结和展望了柔性有机场效应晶体管的应用领域. 关键词： 柔性 晶体管 有机/聚合物 溶液加工     

GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化

利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)对MOCVD系统中生长在c面Al₂O₃上的不 同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究. 在对称面的三轴X射线衍射曲线中, 用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度, 两者均随着薄膜厚度的增加而增加, 并且垂直关联长度近似膜厚从倒易空间图中得出的横向关联长度也有相同的趋势, 结合非对称面的衍射曲线用Williamson-Hall方法和外推法分 别拟合出晶粒的面外倾斜角和面内扭转角, 他们随着薄膜厚度的增加显著减少, 这一切都表明厚度的增加, 晶粒的单向有序排列越来越整齐, 外延片的质量越来越高. 关键词： GaN薄膜马赛克结构 厚度 HRXRD     

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料红光多重全息存储

甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料在两束相干光照射下生成相位光栅.当改变一束相干光光程,通过监测相位光栅的一级衍射信号强度的变化,可以检测相位光栅的生长和擦除过程.在此实验基础上,讨论了甲基紫掺杂聚乙烯醇薄膜材料多重全息存储的原理与结果.     

混合通量差分格式的比较

系统研究了几种混合通量差分格式的构造方法和耗散模型,分别对低速平板绕流、二维跨音速喷管流动和高超音速钝头体无粘绕流进行了数值模拟,结合先进的EASM湍流模型对格式的粘性分辨率和激波稳定性进行了细致的比较分析.结果表明混合通量差分格式兼顾了FDS和FVS格式的优点,具有较高的间断分辨率和数值稳定性.     

异质结构光子晶体的能带特性研究

运用光学传输矩阵理论,研究了异质结构光子晶体的能带特性。结果表明,与周期结构相比异质结构光子晶体可以显著地拓宽光子晶体的光子带隙;在该文提出的结构中引入缺陷,与(1H1L)m(1H)n(1L1H)m光子晶体相比,产生缺陷模式光子带隙范围明显拓宽,适当调整缺陷层的数目、位置和厚度可得到多通道滤波;并研究了实际操作中随机误差带来的影响,随无序度的增大,其带宽基本不变。     

Birkhoff系统的一类新型绝热不变量

研究Birkhoff系统对称性的摄动与绝热不变量.给出了未受扰Birkhoff系统的Lie对称性导致的Hojman型精确不变量.基于力学系统的高阶绝热不变量的定义，研究在小扰动作用下Birkhoff系统Lie对称性的摄动，得到了系统的一类新型绝热不变量.举例说明结果的应用. 关键词： Birkhoff系统 Lie对称性 摄动 绝热不变量