首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1377篇
  免费   28篇
  国内免费   2篇
化学   1015篇
晶体学   3篇
力学   17篇
数学   197篇
物理学   175篇
  2023年   8篇
  2021年   11篇
  2020年   18篇
  2019年   9篇
  2016年   30篇
  2015年   21篇
  2014年   19篇
  2013年   35篇
  2012年   60篇
  2011年   67篇
  2010年   39篇
  2009年   38篇
  2008年   48篇
  2007年   59篇
  2006年   44篇
  2005年   56篇
  2004年   50篇
  2003年   36篇
  2002年   38篇
  2001年   26篇
  2000年   31篇
  1999年   25篇
  1998年   21篇
  1997年   24篇
  1996年   27篇
  1995年   24篇
  1994年   40篇
  1993年   19篇
  1992年   22篇
  1991年   26篇
  1990年   8篇
  1989年   27篇
  1988年   11篇
  1987年   8篇
  1986年   19篇
  1985年   28篇
  1984年   30篇
  1983年   11篇
  1982年   28篇
  1981年   29篇
  1980年   30篇
  1979年   25篇
  1978年   22篇
  1977年   16篇
  1976年   21篇
  1975年   17篇
  1974年   15篇
  1973年   12篇
  1972年   9篇
  1971年   12篇
排序方式: 共有1407条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
142.
143.
144.
In the statistical analysis of environmental data, space and time are often disregarded by the use of classical methods such as hydrological analysis of frequencies or factor analysis. But these methods, based on the assumptions of independent identically distributed observations, cannot be efficient. This article discusses more appropriate approaches regarding the space and time influences, and surveys some important proposals of modeling environmental data. Three examples show the workability of the presented theory. Within the first example, a system to detect abnormal occurrences in water quality as early as possible depending in quasi-continuous data is developed. A second example decomposes a water quality time series into three unobservable components. Finally, it is shown how the factor model can be extended to time series data.  相似文献   
145.
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
146.
Ohne ZusammenfassungHerrnErich Kamke zum 70. Geburtstag am 18. August 1960 gewidmet  相似文献   
147.
148.
If the number of electrically activated donors after implantation and annealing is (10 min at 500° C) determined by Hall-measurements and if these values are used to compute the threshold voltage shift of P+ and As+-implantedp-channel MOS-transistors, calculation and experiment do not agree. The difference can be explained by considering that deep levels are created by ion implantation.  相似文献   
149.
150.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号