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141.
采用波长532 nm激光(脉宽为8 ns)诱导激发铜合金等离子体光谱,研究了激光能量分别为100,80,60和40 mJ时,常压下谱线(CuⅠ 324.754 nm)自吸收现象;在激光能量为100和40 mJ的条件下,研究了低环境压力对铜合金等离子体元素发射谱线自吸收现象和谱线特性的影响。结果表明:常压下谱线(CuⅠ 324.754 nm)存在严重的自吸收现象,自吸收程度随激光能量减小而降低。适度降低环境压强,谱线的自吸收程度大大降低,谱线的信背比增大,且在一定的低气压条件下,自吸收现象可以基本消除。在5.0×104 Pa气压下,两种能量下谱线的信背比均达到最大值,分别为8.90和8.66,相对于常压分别增大了11.23和12.62倍,此时谱线强度的相对标准偏差分别为2.9%和1.3%;两种能量下等离子体元素发射谱线的线宽随着气压的下降迅速减小,当气压为5.0×104 Pa时,等离子体元素发射谱线的线宽分别为0.08和0.06 nm,是常压下线宽的19%和20%。研究表明:低压环境能明显提高光谱分析的灵敏度和精密度,使得在分析较高含量元素时允许选择灵敏谱线,为采用LIBS技术准确测定高含量元素提供了有效方法。 相似文献
142.
143.
可见-近红外光谱的土壤养分快速检测 总被引:1,自引:0,他引:1
在测定土壤养分中,可见-近红外光谱技术具有很大的应用空间。该研究探讨了基于可见-近红外光谱(250~950nm)离线、快速测定土壤总氮(TN)、总磷(TP)、总钾(TK)、总碳(TC)等土壤养分的方法及应用。采集青岛三个不同地区土壤样品(异质性较高的山地土壤与河畔土壤)各60份,总计180份,并测定其TN,TP,TK,TC含量及其可见-近红外反射光谱,利用Kennard-Stone法按2∶1比例划分校正集和检验集,采用遗传算法分别提取TN,TP,TK,TC特征波长,以偏最小二乘法建立定量分析模型。TN,TP,TK,TC含量所建光谱模型的相关系数分别为0.970,0.964,0.680和0.967,检验集的相关系数分别为0.980,0.937,0.717和0.972,检验集的RPD值分别为4.570,2.424,1.411和4.135。结果表明,该方法能够对土壤TN,TP,TC含量进行精确预测,对土壤TK含量进行粗略预测。该研究主要依靠可见光波段,较好的预测了异质性较高的土壤的氮磷钾等养分含量,有望降低未来土壤养分速测的成本。此外,该研究还提供了青岛土壤养分的光谱库,为我国土壤大数据库的建立提供技术支撑。 相似文献
144.
145.
500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备 总被引:3,自引:2,他引:3
从双波长激光运转及和频的机理出发,对LD泵浦Nd∶YAG,LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上,为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法,通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW. 相似文献
146.
147.
Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation 下载免费PDF全文
The hardening of the buried oxide (BOX) layer of separation by implanted
oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers against total-dose irradiation
was investigated by implanting ions into the BOX layers. The tolerance to
total-dose irradiation of the BOX layers was characterized by the
comparison of the transfer
characteristics of SOI NMOS transistors before and after irradiation to
a total dose of 2.7
Mrad(SiO2. The experimental results show that the implantation of
silicon ions into the BOX layer can improve the tolerance of the BOX layers
to total-dose irradiation. The investigation of the mechanism of the
improvement suggests that the deep electron traps introduced by silicon
implantation play an important role in the remarkable improvement in
radiation hardness of SIMOX SOI wafers. 相似文献
148.
Effect of the mutation of carotenoids on the dynamics of energy transfer in light-harvesting complexes (LH2) from Rhodobacter sphaeroides 601 at room temperature 下载免费PDF全文
Energy transfers in two kinds of peripheral light-harvesting complexes (LH2) of
{Rhodobacter sphaeroides} (RS) 601 are studied by using femtosecond pump--probe
spectroscopy with tunable laser wavelength at room temperature. These two complexes
are native LH2 (RS601) and green carotenoid mutated LH2 (GM309). The obtained
results demonstrate that, compared with spheroidenes with ten conjugated double
bonds in native RS601, carotenoid in GM309 containing neurosporenes with nine
conjugated double bonds can lead to a reduction in energy transfer rate in the
B800-to-B850 band and the disturbance in the energy relaxation processes within the
excitonic B850 band. 相似文献
149.
150.
在NaSh模型的基础上,考虑交通事故和养护路段等意外事件对高速公路交通流的影响,建立了有意外事件影响的在车道管制下的高速公路交通流元胞自动机模型,并进行数值模拟. 研究发现:意外事件对高速公路交通流有明显影响,并且意外事件对交通流的影响在某一密度值范围内尤其明显,且意外事件堵塞点在第一车道比在第二车道对交通流的影响小;同时,在该密度值范围内,意外事件堵塞时间和堵塞路段长度越长,对交通流的影响就越大.
关键词:
元胞自动机
交通流
意外事件 相似文献