利用表面波的差频以产生远红外辐射

本文提出在金属-非线性晶体界面上实现表面波差频产生远红外辐射的方案。具体地计算了在非共线匹配情况下Al-GaAs界面上远红外辐射的功率。计算中考虑了各介电常数的虚部。 关键词：     

Effect of Different Substrate Temperature on Phosphorus-Doped ZnO Thin Films Prepared by PLD on Sapphire Substrates

Phosphorus-doped ZnO （ZnO：P） thin films are deposited on a c-plane sapphire in oxygen at 350℃, 450℃, 550℃ and 650℃, respectively, by pulsed laser deposition （PLD）, then all the ZnO：P samples are annealed at 650℃ in oxygen with a pressure of 1 × 10^5 Pa. X-ray diffraction measurements indicate that the crystalline quality of the ZnO：P thin films is improved with the increasing substrate temperature from 350℃ to 550℃. With a further increase of the deposition temperature, the crystalline quality of the ZnO：P sample is degraded. The measurements of low-temperature photoluminescence spectra demonstrate that the samples deposited at the substrate temperatures of 350℃ and 450℃ show a strong acceptor-bound exciton （A^0X） emission. The electrical properties of ZnO：P films strongly depend on the deposition temperature. The ZnO：P samples deposited at 350℃ and 450℃ exhibit p-type conductivity. The p-type ZnO：P film deposited at 450℃ shows a resistivity of 1.846Ω·cm and a relatively high hole concentration of 5.100 × 10^17 cm^-3 at room temperature.     

Al组分对MOCVD制备的AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT电学和结构性质的影响

采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19,0.22,0.25,0.32）的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了Al_xGa_1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明,在一定的Al组分范围内,二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而,过高的Al组分导致HEMT材料表面粗糙度增大,2DEG迁移率降低,该实验现象在另一方面得到了原子力显微镜测试结果的验证。在最佳Al组分（25%）范围内,获得的 HEMT材料的2DEG浓度和室温迁移率分别达到1.2×10¹³ cm^-2和1 680 cm²/（V·s）,方块电阻低至310 Ω/□。     

56,54Fe(n, α)53,51Cr, 56,54Fe(n,p)56,54Mn反应截面计算及普适性模型参数优化研究

基于中子与Fe发生反应产生“氢泡”,及“氦泡”对新型核能利用系统壁材料的影响,开展了中子诱发56,54Fe(n, α)53,51Cr, 56,54Fe(n, p)56,54Mn反应截面计算研究工作。本工作根据现有的56,54Fe(n, α)53,51Cr, 56,54Fe(n, p)56,54Mn反应实验数据、评价数据,对TALYS程序调用的物理模型(包括能级密度、对修正、核温度、光学势参数等)进行参数调校,得到了一组普适性强的模型参数。基于调校的参数,本工作采用核反应程序TALYS理论计算56,54Fe(n, α)53,51Cr, 56,54Fe(n, p)56,54Mn反应的截面、能量微分截面以及双微分截面,全部数据都能与实验数据、评价数据符合较好,且适用于较宽的中子能量区间0~175 MeV。本工作提出了56,54Fe(n, α)53,51Cr, 56,54Fe(n, p)56,54Mn反应的普适性模型参数,促进了核反应理论的发展,为核数据的评价奠定了基础。     

新疆区域农业品牌价值最大化及其评价指标与模型

基于对区域农业品牌和新疆区域农业品牌发展的研究综述,应用产品整体概念理论探讨了新疆农产品多层面产品要素的品牌化和综合品牌价值最大化,分析了支撑新疆农产品品牌价值最大化的产业链管理与创新,构建了新疆农业品牌价值最大化评价指标体系,并请新疆的11位农业专家进行评分,应用AHP方法得到了各指标的权重,构建了定量评价模型,以库尔勒香梨为案例,应用模糊综合评价方法测度了特定农产品品种的区域品牌价值,明确了新疆区域农业品牌发展面临的薄弱环节,为新疆政府和企业的品牌农业决策提供了理论依据.     

多周期多种设备公用工程系统优化模型的改进及应用

本文提出了多周期多种设备公用工程系统改进的混合整数双线性优化模型,它含有两种优化变量和系统运行过程的离散动态约束,期望系统总设备投资(含设备折旧)与全周期运行操作费用之和最小。针对改进优化模型求解上的困难,给出将改进优化模型分解成有限多个关于连续变量的线性规划。论述了改进优化模型与分解模型的等价性以及两种模型的主要数学性质,并在此基础上提出了求解策略。最后将改进优化模型应用于某石化企业的蒸汽动力系统最优设计与运行优化集成实例。     

总量控制和交易环境下考虑随机需求的企业决策分析

总量控制和交易(Cap-and-Trade, C&T)给排放企业运营决策带来了新的挑战。本文提出一个非线性优化模型分析C&T环境下的企业最优产量,并在绿色改进和碳权交易之间有效权衡。模型不仅考虑了随机需求和碳价波动,还考虑了绿色改进的边际递减效果和实施绿色生产的风险。理论分析证明了最优解的存在性,并给出了排放企业的最优决策及C&T环境下企业新的生产条件。解析分析表明:与非C&T环境相比,新的最优产量更低,实际排放下降;碳配额虽然影响企业利润和碳权交易量,但不影响最优产量和最优改进投资;碳价和绿色改进系数越大,越有利于促进企业实施绿色改进减少排放;企业利润随绿色改进系数和碳配额的增加而上升,随单位产品碳排放的增加而下降。数值分析验证了理论模型及其分析结果;蒙特卡洛模拟揭示利润波动受需求风险、绿色改进风险和碳价波动的影响,但需求风险对利润波动的影响更为显著。     

非线性参数规划问题$\varepsilon$-最优解集集值映射的连续性

对非线性参数规划问题$\varepsilon$-最优解集集值映射的连续性条件进行了研究.首先在可行集集值映射局部有界且正则的条件下,讨论了非线性参数规划问题最优值函数的连续性,然后针对$\varepsilon$-最优解集集值映射的结构特征并利用此结果和集值分析理论,给出了非线性参数规划问题$\varepsilon$-最优解集集值映射连续的一个充分条件.     

创新研究型物理实验教学平台的建设与实践

实验教学中心在面向全校物理、材料科学、地空科学及生命科学类高年级本科生开设创新研究型实验课程中,创建了创新研究型物理实验教学平台,使学生自主设计课题,制定研究方案,选择相应的平台对该课题进行系统研究.通过三学年的建设与教学实践,表明该平台的建立不仅增强了学生实验动手机会,而且提高了学生自主分析问题、解决问题的能力,激发了学生的主观能动性、主动创造思维,培养了学生的创新能力.同时也促进了教师知识的更新和教学水平的提高.     

基于AlN膜结构VCSEL热特性的研究(英文)

本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性.