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71.
CdZnTe核探测器的蒙特卡罗模拟的初步研究 总被引:6,自引:0,他引:6
以CdZnTe核探测器的工作原理为依据,探测器内反应的随机性和反应产生的电子空穴对数目的统计规律为物理模型,应用Visual C + + 自行编制了蒙特卡罗模拟软件.模拟了γ射线在CdZnTe探测器中的响应能谱,并将模拟结果与实际器件的测试结果进行了比较讨论.模拟能谱与实际测得的能谱的主峰符合较好.此外,通过分析57Co源辐照下探测效率与器件厚度的关系,可以推测探测效率达到最大时所对应CdZnTe探测器的理想厚度 相似文献
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通过对甘巴拉山铁乳胶室观测到的族事例以及COSMOS程序和CORSI-KA程序产生的模拟族事例进行分析、对比,对超高能γ强子族的能量集中现象的产生特征进行了细致的研究.初步的结论是:超高能γ强子族的能量集中现象是族中含有的高能中心簇射集团的外在表现,这种现象在实验上发生的频度为(20.5±3.1)%,集团的平均横向扩展约为0.37cm.与传统的以唯象多团模型为基础的COSMOS程序相比,基于SIBYLL模型的CORSIKA程序的模拟结果较为接近实验的分析结果. 相似文献
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用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅(PbF2:Tb)晶体,闯杂浓度从0.008at.%至0.6at.%。在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱,发现该晶体在X-射线和紫外线激发下均能够发出比较强的荧光。FbF2:Tb晶体的光吸收起源于Tb^3 离子的4f-4f跃迁,而其光发射则源于Tb^3 离子的电子分别从其激发态^5D3和^5D4能级路迁到基态^7Fj(J=6,5,4,3,2)。 荧光强度随掺杂浓度的提高而提高,当Tb^3 离子浓度较低时,以^5D3→^7FJ跃迁发射为主,当Tb^3 离子浓度较高时,则以^5D4→^7FJ跃迁发射为主。在同一晶体中,发光强度随中心所占晶格位置的改变而改变,反映出Tb^3 离子在PbF2晶体中的分布具有分凝系数大于1的特征。推测Tb^3 离子在PbF2晶体中占据Pb格位,同时产生间隙F^-离子缺陷来平衡电价。 相似文献
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针对浅海声波导中远距离脉冲声源被动测距问题,提出了一种利用单水听器接收信号自相关函数进行warping变换的声源被动测距方法。理想水下声波导中,接收信号warping变换输出的傅里叶变换频谱中具有不变性频率特征,即与声源距离无关的各简正波截止频率;信号自相关函数中不同简正波相干成分也存在不变性频率特征;推导了未知声源距离时特征频率提取值与不变性频率特征之间的近似关系式。这些规律可推广到实际浅海声波导,并用于声源被动测距。利用声场计算模型来提供具有不变性频率特征的频谱,对2011年12月北黄海海域水声实验中单水听器接收的脉冲声数据进行了处理,验证了方法的有效性,测距结果和实际距离符合良好,平均测距误差在10%以内。 相似文献
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Pinning effect of lead lanthanum titanate (PLT) ferroelectric thin films with excess PbO of 20 mol% has been studied for deposition on diffe rent substrates. Silicon, sapphire and quartz were used as substrates on which P t/Ti or LaNiO3 thin films were deposited as bottom electrodes. Electron probe analysis results showed that there was still a certain amount of excess Pb in PLT films after annealing at 550 ℃ for 1 h, and the amount of it was dependent on the substrate used. The distribution of excess Pb in the films was investig ated by Auger electron spectroscopy depth profile. It was shown that the substrates and the bottom electrodes had significant effects on the content and distrib ution of excess Pb in PLT films. The excess Pb and its accumulation at the inter face between the film and bottom electrode may act as pinning centers and have a pinning effect on domains, which can be observed by abnormal P-E hysteresis loops and abnormal C-V curves. The excess Pb content in the films and the accumulation of Pb at the interface were high in PLT films deposited on Pt/Ti/S i, and considerable pinning effect was observed. As LaNiO3 would absorb most part of the excess Pb in PLT films, the content of excess Pb in the films deposited on LaNiO3/Si was very low and the pinning effect was hardly observed. 相似文献