Ordered InAs Quantum Dots with Controllable Periods Grown on Stripe-Patterned GaAs Substrates

GaAs （001） substrates are patterned by electron beam lithography and wet chemical etching to control the nucleation of lnAs quantum dots （QDs）. InAs dots are grown on the stripe-patterned substrates by solid source molecular beam epitaxy. A thick buffer layer is deposited on the strip pattern before the deposition of InAs. To enhance the surface diffusion length of the In atoms, InAs is deposited with low growth rate and low As pressure. The AFM images show that distinct one-dimensionally ordered InAs QDs with homogeneous size distribution are created, and the QDs preferentiMly nucleate along the trench. With the increasing amount of deposited InAs and the spacing of the trenches, a number of QDs are formed beside the trenches. The distribution of additional QDs is long-range ordered, always along the trenchs rather than across the spacing regions.     

Measurement of Some (n,2N) Reaction Cross Sections for Producing Long Half-Life Residues

Measurement of (n,2n) reaction cross sections for some nuclides,whose residues have long half-lives,is described.The activation method relative to the ⁹³Nb(n,2n)^92mNb reaction cross section was used.The cross sections of the ¹⁵¹Eu(n,2n)^150mEu、¹⁵³Eu(n,2n)¹⁵²Eu、¹⁵⁹Tb(n,2n)¹⁵⁸Tb and ¹⁰⁹Ag(n,2n)^108mAg reactions in the neutron energy range of 13.50—14.80MeV were measured.The neutron energies in this experiment were determined by means of the method of cross section ratios for ⁹⁰Zr(n,2n)^89m+gZr and ⁹³Nb(n,2n)^92mNb reactions.The results obtained were compared with other existing data.     

在BEPC上建造γ束线站的分析

考虑电子的反冲并利用康普顿散射,研究了激光同步辐射光源(LSS)辐射的光子波长、光子能量。结果表明,对于不同的γ,LSS辐射的光子波长和能量有不同的近似公式。当γ<<λ1/4λe时,LSS辐射的光子波长λ2≈λ1/4γ2,能量(εc2≈4γ2εc1;当γ>>λ1/4λe时,LSS辐射的光子波长λ2≈λe/γ,能量cε2≈m0γc2;结果表明,LSS辐射的条件是种子激光的波长λ1大于电子的物质波波长λm;LSS辐射的极值波长是λ2m ax=h/m0γv,极值能量是cε2m ax=βeε;本文后半部分提出了利用北京正负电子对撞机的强流高亮度电子束与激光的康普顿背散射产生单色γ射线的建议。     

PPCP用固态脉冲电源的实验研究

 介绍了一种采用半导体开关与磁开关、可饱和脉冲变压器相结合技术的固态脉冲电源,此电源可用于脉冲放电等离子体烟气治理。在理论分析的基础上建立了实验模型,通过实验验证了此类电源的可行性,解决了8支晶闸管开关串联的动静态均压及开通同步性问题,并对可饱和脉冲变压器及磁开关的工作特性进行了分析计算。电源在阻性负载上得到峰值电压37.5 kV、前沿101 ns、脉宽1 μs的脉冲,重复频率300 Hz,输出功率10 kW。     

基于局域操作下的两量子比特混态纠缠蒸馏实验研究

最大纠缠态在量子信息传输和处理过程中是最重要的资源之一,因此从退化的纠缠态中提炼出最大纠缠态一直是量子信息基础研究中的一个重要课题.根据Verstraete F 等人在Phys. Rev. A,2001,64：010101(R) 上提出的有效的方法,文章作者在实验上证明了基于局域操作下的两种形式的两量子比特混态纠缠蒸馏最佳协议.从原则上讲,文章的实验也可以容易地应用于任意两量子比特部分混合态的纠缠蒸馏.此外,作者还对经过蒸馏的第一类混合量子态进行Clauser-Horne-Shimmony-Holt（CHSH）不等式的检测,以验证它的“隐藏非局域性”.     

自制金割效应物理摆的研究性实验

金割效应物理摆是将数学中的优选法与物理实验中的复摆结合起来并用计算机处理数据的自制教学仪器.把金割效应物理摆作为研究性实验进行开设,更有利于培养学生的开拓精神和创新能力.     

熔融织构YBCO的磁性

测量了熔融织构YBCO样品从1.5K到89K的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在1.5K,7K和10K观察到磁通跳跃,在15—83K的温度区间观察到峰值现象。详细分析了磁化曲线和磁临界电流的各向异性。讨论了晶粒之间连接的性质和主要的钉扎中心。 关键词：     

磁场电源在 HL-2M 装置初始等离子体放电中的应用

磁场电源是 HL-2M 装置初始等离子体放电的重要组成部分,它关系到 HL-2M 装置零场的建立,等 离子体的击穿和维持及位形控制。为实现初始等离子体放电所需的供电电压和电流,对磁场电源从主回路、控制、 测量和保护分别作了相应的调整。在此基础上进行了大量的工程调试,确保了磁场电源的控制和保护等性能达到 初始等离子体放电的需求。在磁场电源运行中,电源控制性能和输出参数的一致性、纹波质量等都有显著提高。 介绍了磁场电源在调试及 HL-2M 装置初始放电中的应用。     

HL-2M 装置初始等离子体放电磁场电源实时控制系统设计

为满足 HL-2M 装置初始等离子体放电参数的需求,根据磁场电源的主回路拓扑结构设计了一套实 时控制系统。系统硬件架构基于 NI PXI 与 CompactRIO 控制器,采用基于共享内存网络的千兆光纤网络传输数据, 并在本地将中控传输的控制数据处理为对应的触发脉冲,具备很强的实时性与准确性。经过首次等离子体放电实 验的验证,磁场电源实时控制系统可完全满足首次等离子体放电的需求。     

深海直达波区卷积神经网络测距方法

深海声场通常可以看作不同掠射角的多途声线在接收器处的叠加,其中经海底反射的声线携带与海底参数有关的声场特征。利用深度卷积神经网络分别学习垂直阵声压域(CNN-Field)和垂直阵波束域(CNN-CBF)特征的方法被用来估计直达波区声源距离。该方法首先对仿真直达波区声场数据做预处理,然后将声压域和波束域的声场数据分别作为训练集训练深度卷积神经网络模型,最后输入测试集数据到训练完成的模型中估计声源距离.实测环境参数的仿真实验表明CNN-Field方法在不同海底参数的测试集下测距结果差异较大,CNN-CBF方法差异较小,而且在16阵元10 m等间距垂直阵的阵元域信噪比大于0dB时估计准确率可以达到97%.海试数据处理结果表明CNN-CBF方法的直达波区内测距准确率高于CNN-Field,在距离10 km以内的平均准确率可以达到93.16%.