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41.
在Su-Schrieffer-Heeger (SSH)原子链中,电子在胞内和胞间的跳跃依赖于其自旋时,即SSH原子链存在自旋轨道耦合作用时,存在不同缠绕数的非平庸拓扑边缘态.如何探测自旋轨道耦合SSH原子链不同缠绕数的边缘态是一个重要问题.本文在紧束缚近似下研究了自旋轨道耦合SSH原子链的非平庸拓扑边缘态性质及其零能附近的电子输运特性.研究发现四重和二重简并边缘态的缠绕数分别为2和1;并且仅当源极入射电子的自旋被极化(铁磁电极)时,自旋轨道耦合SSH原子链在零能附近的电子输运特性才能反映其边缘态的能谱特性.尤其是,随着自旋轨道耦合SSH原子链与左、右导线之间的耦合强度由弱到强改变,对于缠绕数为2的四重简并边缘态,入射电子在零能附近的透射峰数目将从4个变为0;而对于缠绕数为1的二重简并边缘态情形,其透射峰数目将从2个变为0.因此,在源极为铁磁电极的情形下,通过观察自旋轨道耦合SSH原子链在零能附近电子共振透射峰的数目随着其与左、右导线之间耦合强度的变化,来探测其不同缠绕数的边缘态.上述结果为基于电子输运特性探测自旋轨道耦合SSH原子链不同拓扑性质的边缘态提供了一种可选择的理论方案. 相似文献
42.
43.
本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK) 效应的GeSi电吸收调制器. 调制器集成了脊形硅单模波导. 光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层. 在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上, 有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%, 从而使得器件工作在C (1528–1560 nm) 波段. 模拟结果显示该调制器的3 dB带宽可达64 GHz, 消光比为8.8 dB, 而插损仅为2.7 dB.
关键词:
锗硅
调制器
电光集成 相似文献
44.
Isotactic polypropylene/poly(cis‐butadiene) rubber (iPP/PcBR) blends were prepared by melt mixing. The influence of PcBR content on crystalline morphology and nonisothermal crystallization behaviors of iPP was investigated by polarized optical microscopy (POM), small angle light scattering (SALS), and differential scanning calorimetry (DSC). The POM showed that an increase of PcBR ranging from 10 vol% to 40 vol% led to less perfection of spherulites, vaguer boundaries between spherulites, and smaller spherulite size, which was quantitatively validated by SALS. The presence of PcBR also remarkably affected the nonisothermal crystallization behaviors of iPP. An addition of PcBR caused higher crystallization peak temperature and a faster crystallization rate, meaning a heterogeneous nucleation effect of PcBR upon crystallization of iPP. For the same sample, the crystallization peak temperature moved to lower temperature and the crystallization rate increased as the cooling rate increased. The Ozawa and combined Avrami and Ozawa equations were used to describe the nonisothermal crystallization process of iPP and blends. The combined Avrami and Ozawa equation was more appropriate for the crystallization of the blends. Crystallization activation energy of iPP and blends was calculated by the Kissinger equation; the result showed that crystallization activation energy decreased as the content of PcBR increased from 30 vol% to 40 vol%. 相似文献
45.
Abstract The stability of the doped state of conductive polythiophenes under air was investigated by the use of Infrared (IR) and UV-visible (UV) spectroscopies. Poly(3-methyl thiophene) doped with BF3-ethyl ether (BFEE). shows higher stability due to its stereoregularity-chain structure. While the doped polythiophene (PT) degrades easily under the moisture. 相似文献
46.
针对中国环流器2号M(HL-2M)装置中用于核聚变物理实验等离子体的垂直不稳定性控制的快控电源拓扑结构,充分考虑线圈的自感与互感对输出的影响,构建出数学模型,首次提出并运用虚拟中心电流法,使得控制算法更加简单,采用多输入多输出的控制方法,利用2个参量控制3个变量。本文基于基本供电方案得到多线圈耦合电压,基于快控电源拓扑推导出快控电源电路方程,再将其合并得到最终的线圈电压数学模型,最后进行仿真验证。结果表明数学模型搭建正确,为今后进行进一步计算提供了坚实的基础。 相似文献
47.
作为航天器电源系统的重要组成部分,太阳电池需要更高的转换效率和可靠性以及更长的使用寿命。通过在太阳电池表面覆盖抗辐照玻璃盖片,可以增强太阳电池对粒子辐射的防护,延长太阳电池的服役寿命,使航天器获得可靠的能源供应。硼硅酸盐玻璃就是一种理想的太阳电池玻璃盖片材料。采用蒙特卡罗方法,结合SRIM软件模拟研究质子辐照硼硅酸盐玻璃的损伤物理机理。基于粒子与物质相互作用的理论以及基本公式,通过分析不同入射能量的质子在硼硅酸盐玻璃中的阻止本领、电离能损、位移能损、空位的产生情况,对辐照损伤的物理机制进行研究。结果表明:能量为30~120 keV的质子辐照损伤主要发生在硼硅酸盐玻璃表面;质子沉积、空位分布等均为Bragg峰型分布;电离能损是能量损失的主要部分,随入射能量的增加而增大,导致电子的电离和激发;位移能损在玻璃内部随能量降低而增大,导致硼、氧和硅等空位缺陷的产生;电离效应和缺陷的产生是硼硅酸盐玻璃色心形成的重要原因。 相似文献
48.
Lens-less Fourier-transform holography has been actively studied because of its simple optical structure and its single-shot recording.However,a low-contrast interferogram between the reference and object waves limits its signal to noise ratio.Here,multi-reference lens-less Fourier-transform holography with a Greek-ladder sieve array is proposed in the experiment and demonstrated effectively to improve the signal to noise ratio.The key technique in our proposed method is a Greek-ladder sieve array,which acts as not only a wave-front modulator but also a beam splitter.With advantages of the common path,single shot,and no need for a lens,this system has enormous potential in imaging and especially in extreme ultraviolet and soft X-ray holography. 相似文献
49.
以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了三结太阳电池短路电流、开路电压、最大功率、光谱响应随质子能量的变化规律,利用不同辐照条件下三结太阳电池最大输出功率退化结果,拟合得到了三结太阳电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化曲线.研究结果表明,质子辐照会在三结太阳电池中引入位移损伤缺陷,使得少数载流子扩散长度退化幅度随质子能量的减小而增大,从而导致三结太阳电池相关电学参数的退化随质子能量的减小而增大.相同辐照条件下,中电池光谱响应退化幅度远大于顶电池光谱响应退化幅度,中电池抗辐照性能较差,同时中电池长波范围内光谱响应的退化幅度比短波范围更大,表明中电池相关电学参数的退化主要来源于基区损伤. 相似文献
50.