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941.
三维面形测量技术的新进展 总被引:20,自引:0,他引:20
三维面形测量是获取物质形态特征的一种重要手段,也是记录,比较,复制物体形态特征 的基础,三维面形测量技术在机器视觉,自动加工,工业检测,产品质量控制,实物仿形,生物和医学等领域具有重要意义和广阔的应用前景。 相似文献
942.
使用相对论和非相对论赝势,在HF和MP2理论水平上研究了重金属混合/掺杂团簇(M2Te)3(M=Au, Ag, Cu) 的几何构型和稳定性.结果显示,团簇存在具有D3h,C2v和C3v对称性的三种稳定异构体,并且各异构体之间能量相差很小.电子相关效应对M-M键长的修正十分显著,而对M-Te键长和Te-M-Te键角的修正非常小.相对论效应使所有键长变短、Te-M-Te键角变大.两种效应都提高振动频率、降低能量,使团簇结构变得更加紧凑,使多聚物趋于更加稳定. 相似文献
943.
本文利用红外光解离光谱研究了第三族金属氧化物离子对二氧化碳分子的转化机制. 研究表明,对于[ScO(CO2)n]+体系,在n≤4时,形成了溶剂化结构;在n=5时,形成了碳酸盐结构,实现了二氧化碳的转化. 对于[YO(CO2)n]+体系,需要4个二氧化碳分子就可以实现二氧化碳的转化. 而在[YO(CO2)n]+体系中,只发现了溶剂化结构,没有观察到碳酸盐结构. 理论计算表明,[YO(CO2)n]+体系拥有最小的溶剂化结构向碳酸盐结构转化能垒,[LaO(CO2)n]+体系拥有最大的溶剂化结构向碳酸盐结构转化能垒. 本文从分子水平揭示了不同金属氧化物离子对二氧化碳分子转化的影响规律. 相似文献
944.
945.
实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列。设计了一套完整的工艺实验方案,首先采用微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜,然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列,从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备,微孔集成度达到108cm-2。实验研究了氧气刻蚀聚苯乙烯微球的规律。采用金属掩膜,四氟化碳干法刻蚀二氧化硅,获得了深度为500 nm的微孔。实验结果证明该工艺方案是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法。 相似文献
946.
对薄层柱壳爆炸膨胀断裂过程的研究 总被引:8,自引:2,他引:8
本文提出了一个用于描述动态破坏发展过程的损伤度函数。从这个损伤度函数出发,把材料特征性方程取为强化粘塑性本构方程形式,导出了薄层柱壳爆炸膨胀运动在两种近似下(恒定膨胀速度近似合恒定应变速率近似)断裂判据的解析表达式。结果分析表明,在上述条件下,存在着一个动态断裂“塑性峰”,在这个峰值条件的应变率下,柱壳出现贯穿断裂时刻的应变最大。以软钢为算例,本断裂判据可以比较好地解释Иванов和陈大年等给出的实验结果。这时,动态断裂“塑性峰”对应的应变率为4×104 s-1,相应的应变约为60%~80%。 相似文献
947.
基于第一性原理密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波赝势法(PBE),计算了4H-SiC的本征体系、过渡金属元素Mo单掺杂4H-SiC体系的电子结构、磁性和光学特性。结果表明:Mo掺杂将导致4H-SiC由本征非磁性变为p型磁性半导体材料,其带隙值由2.88 eV 变为0.55 eV。当Mo掺杂浓度为1.359×1021 cm-3时,磁矩为0.98 ,这表明掺Mo后的4H-SiC材料可以作为自旋电子元器件的备选材料。此外,Mo掺杂4H-SiC体系在(100)和(001)方向的静态介电常数分别为3.780和3.969。介质函数虚部不为0的起始点发生红移,表明掺杂使电子更容易跃迁。 相似文献
948.
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2. 采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构. 结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2—10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.
关键词:
磁控溅射
二硫化铁
X射线吸收近边结构
电子结构 相似文献
949.
950.
Nonlinear Dynamics - Based on an analysis of the continuity of discrete transition functions, this paper presents a new approach for characterizing piecewise affine (PWA) systems’ regions of... 相似文献