一个吡啶二甲酸镉配位聚合物的合成、晶体结构及荧光性质

通过水热方法,采用H3CAM(H3CAM=4-hydroxy-pyridine-2,6-dicarboxylic acid)与Cd(NO3)2.4H2O反应,合成了1个镉配位聚合物[Cd4(HCAM)4(H2O)8]n(1),并对其结构和荧光性质进行了研究。结构分析结果表明该配合物属于单斜晶系,C2/c空间群。四个HCAM2-配体桥联4个镉离子形成了1个四核镉单元。这些孤立的单元通过氢键作用形成了1个三维配位框架。研究表明,该配合物在室温下能发出兰色荧光。     

α-氯代桂皮酰另丁胺晶体结构测定

α-氯代桂皮酰另丁胺(反式异构体)的分子式为C₁₃H₁₅ONCl,属正交晶系,空间群为P_bca,a=18.842(0.006)?,b=14.076(0.006)?,c=10.077(0.003)?,晶胞内分子数z=8。用RASA-IIS四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立的可观察衍射点929个。用直接法(MULTAN-80)测定其结构。以全部可观察点强度数据用准对角矩阵最小二乘法修正结构参数,R=0.088. 关键词：     

理想第二类超导薄膜的纵场临界电流

本文分析了一个在纵向磁场H_e中,载流的理想第二类超导薄膜(ξ(T)《d≤λ(T))的混合态结构。指出,只有当H_e>(H_c1)(d)时,超导膜的混合态才具有无阻负载电流的能力。本文得到的纵场临界电流曲线具有复杂的结构,并且一般均呈现峰值效应。Heaton及Rose-Innes测得的Nb₅₅Ta₄₅合金的I_c-H_e曲线和d>5λ时的理论曲线相比较,在主要特征上是相同的。 关键词：     

KLiSO4(C66)结构中Li原子位置的测定

Bradley在1925年所定出KLiSO₄室温相的结构为(C₆⁶),但其中的Li原子位置并非测定的,而是推断为在三次轴上有较大的空隙处。这一位置与晶体学一般成键理论的认识是有矛眉的,因而最近有人提出了异议。我们重新测定了这一晶体结构,特别是实测了Li原子的位置。新定出的KLiSO₄晶体结构中的Li原子位置是:x=1/3,y=2/3,z=0.1797(16)。而Bradley所推断的Li原子位置是:x=1/3,y=2/3,z=0.3488。前者与文献[8]中估算值相接近。新定出的Li原子位置与近邻O原子构成了键长约在1.9A左右的Li—O四面体。 关键词：     

30GHz RF脉冲压缩器设计

 为得到脉宽150ns，功率超过100MW的30GHz微波脉冲，采用MSLED-II原理设计了30GHz RF-脉冲压缩器。H-Hybrid，TE₁₀0^口-TE₁₀^o模式转换器等器件都采用了新型设计，所有微波器件的设计充分考虑了高功率下的适用性，没有容易引起打火的调谐杆、容性膜片等部件。在微波器件的设计中用HFSS软件进行了详尽的模拟。加工并测试了H-Hybrid，且用在CERN的RF脉冲展宽器上。     

无界域上一类半线性椭圆型方程组非平凡解的存在性

是向量函数f(t) 的势函数,由条件(f_5)可知这样的势函数是存在的.本文讨论了问题(1.1)的非平凡解的存在性,把文献[1,3]等的结果推广到方程组和无界区域上去.为方便,在这一节中我们只考虑问题(1.1)的径向对称的非平凡解 u=u(r),r=|x|.此时问题(1.1)就变成     

A(B0.51B0.52)O3系统中三种有序态的稳定性初探

在A(BB_0.5¹B_0.5²)O₃钙钛矿型铁电陶瓷材料中,除了在较高温度下都能有稳定的<111>型超格子有序结构外,在室温和-150℃情况下,还分别观察到1/2<110>和1/2<100>型超格子有序结构,本文引入长程相互作用,并利用8点集团变分模型,在不同温度范围内分析了前面三种有序态的稳定性,所得结论与实验结果一致。 关键词：     

YBa2Cu3Oz超导体的低温稳定相

基于8点长方集团变分模型,并引入各向同性最近邻相互作用,以及各向异性次近邻相互作用,计算了YBa₂Cu₃O_z两Ba层间铜氧平面上□—O系统的有序—无序相变图,不仅在z=7.0附近得到具有超导电性的正交相,并且在z=6.5附近得到具有两倍晶格长度的另一种正交相(正交相Ⅱ)。 关键词：     

Calculation of Binding Energies of the Ground and Excited States of a Donor in GaAs-A1xGal-xAs Step Quantum Wells

In this paper we present for the first time completely analytical variational expressions for calculating the binding energies of the low-lying bound states of a hydrogenic donor in a quantum well (QW). These expressions can be used for the problem of the binding energy of an impurity in a general manner, e.g. for calculating the binding energies of a donor associated with subband states of any order in the QW with any arbitrary potential profile. 70 demonstrate the utilization of these expressions we have theoretically studied the binding energies for the ground and a few low-lying excited etates of a hydrogenic donor in a stepped quantam well (SQW). The variations of the binding energies for these donor etates with impurity positions are investigated for different heights of the step potential. The numerical calculation results show that the binding-energy curves in the SQW, in contrast to the case of the flat quantum wells (FQW's), exhibit a non-symmetrical structure relative to the center of the QW and depend on the sub-barrier potential. The peak position in the binding energy curves shifts away from the region occupied by the sub-barrier as increasing sub-barrier height. The maximum in the binding energies increases as the step potential increaaes. These effects can be interpreted by referring to the variation of the electron probability-density distribution and of the lowest subband in the SQW. The shape of the binding-energy curves related to the 2po-like state is different from the other states. It is associated with the particular feature of the wave function of the 2po state in the QW.     

三元Ⅲ─V半导体合金的基态有序结构

利用了自旋１／２二维Ｉｓｉｎｇ模型及其“不等式方法”,确定了三元Ⅲ─Ｖ半导体会金（００１）面外延生长中的二维平面基态有序结构和基态相图,并通过层状叠加得到了合金中可能出现的长程有序结构,较好地说明了实验发现的（００１）衬底外延生长中的长程有序现象．