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41.
I. M. Kolthoff S. R. Cooper V. J. Tulane F. Reimers H. A. J. Pieters K. Höppner V. H. Matula C. B. Macek W. N. Skworzow J. S. Schepelewa F. Čuta K. Kámen S. Cohen R. E. Oesper D. S. Narayanamurthi T. R. Seshadri H. M. State A. W. Kirssanow W. M. Tscherkassow D. M. Mukherjee T. Akiyama Y. Mine S. Yabe Y. Volmar M. Déribéré 《Analytical and bioanalytical chemistry》1937,111(5-6):192-197
42.
We consider the one-dimensional steady-state semiconductor deviceequations modelling a pnpn device. There are two relevant scalingsof the equations corresponding to small and large applied voltages.In both scalings, the semiconductor equations can be consideredas singularly perturbed. It turns out that the small-voltagescaling breaks down for current values between two saturationcurrents. In that interval, the large-voltage scaling has tobe employed. For both scalings, we derive the first-order termsof an asymptotic expansion and show that the reduced problemhas a solution. An example verifies that the current-voltagecurves obtained have the expected qualitative structure. 相似文献
43.
K. H. Geib J. Reitstötter R. E. Liesegang Thomas M. Richter Thierbach P. Krais 《Colloid and polymer science》1938,84(1):119-122
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44.
45.
Karl Dörge 《Mathematische Annalen》1941,118(1):310-311
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46.
47.
48.
49.
50.
Wolfgang Gröbner 《Mathematische Annalen》1938,115(1):333-358
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