全文获取类型
收费全文 | 28030篇 |
免费 | 5340篇 |
国内免费 | 4265篇 |
专业分类
化学 | 20778篇 |
晶体学 | 407篇 |
力学 | 1683篇 |
综合类 | 395篇 |
数学 | 3465篇 |
物理学 | 10907篇 |
出版年
2024年 | 57篇 |
2023年 | 501篇 |
2022年 | 987篇 |
2021年 | 957篇 |
2020年 | 1181篇 |
2019年 | 1165篇 |
2018年 | 1009篇 |
2017年 | 973篇 |
2016年 | 1299篇 |
2015年 | 1427篇 |
2014年 | 1684篇 |
2013年 | 2058篇 |
2012年 | 2542篇 |
2011年 | 2767篇 |
2010年 | 1993篇 |
2009年 | 1902篇 |
2008年 | 2091篇 |
2007年 | 1829篇 |
2006年 | 1688篇 |
2005年 | 1419篇 |
2004年 | 1173篇 |
2003年 | 954篇 |
2002年 | 1024篇 |
2001年 | 839篇 |
2000年 | 610篇 |
1999年 | 553篇 |
1998年 | 411篇 |
1997年 | 398篇 |
1996年 | 361篇 |
1995年 | 315篇 |
1994年 | 277篇 |
1993年 | 197篇 |
1992年 | 151篇 |
1991年 | 159篇 |
1990年 | 149篇 |
1989年 | 97篇 |
1988年 | 86篇 |
1987年 | 74篇 |
1986年 | 51篇 |
1985年 | 47篇 |
1984年 | 36篇 |
1983年 | 34篇 |
1982年 | 29篇 |
1981年 | 21篇 |
1980年 | 16篇 |
1979年 | 7篇 |
1976年 | 6篇 |
1975年 | 8篇 |
1959年 | 5篇 |
1957年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 265 毫秒
51.
基于同步辐射加速器的康普顿背散射γ射线源(Ⅰ)产生MeV量级γ光子的数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条MeV量级γ射线束及应用站,采用μm波长的红外(或远红外)激光与储存环中3.5GeV电子束进行康普顿背散射,从而获得能区为1—25MeV的康普顿背散射γ光子束,该光子束具有高强度、高极化度(线和圆极化)、准单色、方向性好的优点,可以广泛地应用于核物理和核天体物理基础研究及相关的应用研究领域.介绍了康普顿背散射的基本原理,并结合储存环参数给出了光子束性能的数值计算结果. 相似文献
52.
Let
d−1{(x1,…,xd)
d:x21+···+x2d=1} be the unit sphere of the d-dimensional Euclidean space
d. For r>0, we denote by Brp (1p∞) the class of functions f on
d−1 representable in the formwhere dσ(y) denotes the usual Lebesgue measure on
d−1,
and Pλk(t) is the ultraspherical polynomial.For 1p,q∞, the Kolmogorov N-width of Brp in Lq(
d−1) is given bythe left-most infimum being taken over all N-dimensional subspaces XN of Lq(
d−1).The main result in this paper is that for r2(d−1)2,where ANBN means that there exists a positive constant C, independent of N, such that C−1ANBNCAN.This extends the well-known Kashin theorem on the asymptotic order of the Kolmogorov widths of the Sobolev class of the periodic functions. 相似文献
53.
差分吸收光谱法测量大气痕量气体浓度误差分析及改善方法 总被引:8,自引:2,他引:6
差分吸收光谱技术(DOAS)中采用线性最小二乘拟合方法,用痕量气体标准差分吸收截面对测量得到的差分吸收光谱进行拟合,得出大气中痕量气体的浓度.计算结果的准确性不仅取决于光谱的测量精度,而且受标准差分吸收截面以及仪器函数和温度等诸多因素的影响.详细地分析了计算误差的产生原因,提出了用高浓度样品池得到标准吸收截面的方法,针对光谱固有结构,以及温度对标准吸收截面的影响,改进了浓度反演算法.大量的实验表明,综合运用上述方法,即便对低浓度的样气,相对测量误差也能降低到10%以下. 相似文献
54.
Yan WANG Rong Quan FENG 《数学学报(英文版)》2005,21(4):773-778
A Cayley map is a Cayley graph embedded in an orientable surface such that. the local rotations at every vertex are identical. In this paper, balanced regular Cayley maps for cyclic groups, dihedral groups, and generalized quaternion groups are classified. 相似文献
55.
Oriented 2-factorable graphs are reduced to bouquets by permutation voltage assignment in this paper. Introducing the concept ofk-class index of a permutation group, various oriented 2-factorable graphs are enumerated in this paper. 相似文献
56.
57.
58.
一类非线性微分方程的脉冲镇定 总被引:5,自引:0,他引:5
针对一般形式的常微分系统提出了脉冲指数镇定的概念,具体研究了一类分离变量型非线性常微分方程的脉冲镇定问题,得到了该方程可脉冲指数镇定的充分判据,全文的概念及结论突出了脉冲在方程稳定性方面的控制效果。 相似文献
59.
Resistivity-temperature characteristics of sol gel YBa2Cu3Oy samples synthesized in flowing oxygen atmosphere
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The relationship of resistivity versus synthesizing temperature of sol gel YBa_2Cu_3O_y samples was studied when prepared under flowing oxygen conditions. A set of high-temperature ρ-T curves was obtained for the whole process. After the sample finished the test measuring, its resistivity was ρ_{300}=9.83×10^{-3 }Ω·cm at room temperature. The ρ-T curve also showed that the orthorhombic-tetragonal phase transformation of sol-gel YBa_2Cu_3O_y sample occurred at 581℃ for the sample in the rising temperature process, but at 613℃ in the cooling process, lower than that of the samples made by using the conventional powder metallurgy methods. 相似文献
60.
Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV-Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms. 相似文献