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21.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
22.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
23.
简析"静止液体内部压强公式验证"实验的设计策略 总被引:1,自引:1,他引:0
“静止液体内部压强公式验证”在现行教材中有两种实验方法。通过分析实验的设计策略,说明其作用、效果及操作上的困难,指出合理的与不合理诸因素,从而提出改进实验的方法,化难为易,提高实验教学效果。 相似文献
24.
25.
本文对几种模糊传递关系进行比较 ,从一个侧面说明了用于构造偏好关系的模糊关系应是互逆关系 .文中证明了对任意的 n阶互逆传递模糊关系 R,必有 Rn=Rn+1 . 相似文献
26.
27.
Based on the newly constructed two mutually conjugate 3-mode entangled states of continuum variablesin three-mode Fock space we introduce entangled fractional Fourier transform (EFFT) for the tripartite entangled staterepresentations, which are not a direct product of three 1-dimensional FFTs. The eigenmodes of EFFT are obtained,which is different from the usual Hermite polynomials. The EFFT of the three-mode squeezed state is derived. 相似文献
28.
29.
利用相干渡越辐射(CTR)测量短和超短电子束团长度是国际上束测领域新发展的频域测量技术.文中理论分析和数值计算了北京自由电子激光装置的皮秒级的射频电子束团序列产生的CTR,当辐射波长在长于束长(4ps)时,渡越辐射发生相干增强效应;与非相干渡越辐射相比,当λ≥2πσz时,增强的倍数约等于束团中粒子的数目(108);CTR从亚毫米波到毫米波段呈宽带连续谱特性;渡越辐射能量主要集中在轴线附近,宏脉冲辐射能量高达几毫焦.设计采用偏振型束团长度测量系统,利用CTR自相关技术,实验测量该束团序列的纵向长度,并藉助傅里叶变换光谱法,推求束团电子分布. 相似文献
30.
通过对非线性规划问题的K-T点的光滑路径跟踪方法研究,得出一种针对于既有不等式约束条件又有等式约束条件的优化问题光滑路径跟踪方法,证明了光滑跟踪路径的存在性。 相似文献