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101.
102.
In this paper, we find some new explicit examples of Hamiltonian minimal Lagrangian submanifolds among the Lagrangian isometric immersions of a real space form in a complex space form.  相似文献   
103.
In this note, the authors resolve an evolutionary Wente's problem associated to heat equation, where the special integrability of det▽u for u ∈ H1(R2,R2) is used.  相似文献   
104.
We demonstrate GaN nanowire (NW) current rectifiers which were formed by assembling n-GaN nanowires on a patterned p-Si substrate by means of alternating current (ac) dielectrophoresis. The dielectrophoresis was accomplished at a frequency of 10 kHz with three different ac bias voltages (5, 10, and 15 Vp–p), indicating that the number of aligned GaN nanowires increased with increasing ac bias voltage. The n-GaN NW/p-Si diodes showed well-defined current rectifying behavior with a forward voltage drop of 1.2–1.5 V at a current density of 200 A/cm2. We observed that the GaN NW diode functioned well as a half-wave rectifier. PACS 71.20.Nr; 73.40.Cg; 73.40.Ei; 73.40.Kp  相似文献   
105.
We report X-ray absorption near edge structures (XANES) study of CeAl2 thin films of various thicknesses, 40-120 nm, at Al K- and Ce L3-edges. The threshold of the absorption features at the Al K-edge shifts to the higher photon energy side as film thickness decreases, implying a decreased in Al p-orbital charges. On the other hand, from Ce L3-edge spectra, we observed a decrease in the 5d4f occupancy as the surface-to-bulk ratio increases. The valence of Ce in these thin films, as revealed by the Ce L3-edge spectral results, is mainly trivalent. From a more detailed analysis we found a small amount of Ce4+ contribution, which increases with decreasing film thickness. Our results indicate that the surface-to-bulk ratio is the key factor which affects the electronic structure of CeAl2 thin films. The above observations also suggest that charge transfer from Al to Ce is associated with the decrease of the film thickness.  相似文献   
106.
SHS等离子喷涂制备FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合涂层的研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
利用SHS等离子喷涂技术,将经过机械团聚法制备的Fe2O3-Al复合粉体送入等离子焰流,沉积出厚度约为400 μm的复合涂层.利用XRD,SEM 和TEM等检测手段对涂层的成分和组织进行了分析,测定了涂层的显微硬度、断裂韧性以及耐磨性.结果表明涂层为具有纳米结构的FeAl2O4-Al2O3-Fe纳米复合组织;涂层的显微硬度为HV100g870;断裂韧性是普通Al2O3涂层的2倍;无润滑磨损的耐磨性是普通Al2O3涂层的2.5倍.  相似文献   
107.
董一鸣  徐云飞  张璋  林强 《物理学报》2006,55(11):5755-5759
提出一种直接测量光束的轨道角动量的方法,其原理是把具有轨道角动量的光束照射到一个金属靶上,使其在光束的角动量作用下发生转动. 通过测量靶转动的角度来计算光束的角动量值. 对几种不同参数的光束的轨道角动量进行了测量,获得了轨道角动量与光束参数之间的关系,实验结果与理论分析较好地符合. 关键词: 复杂像散椭圆光束 轨道角动量 测量  相似文献   
108.
许心光  邵耀鹏等 《物理学报》2002,51(10):2266-2269
在KNSBN:Ce晶体中,利用二波耦合作用,在单一光束无法获得相位共轭光的条件下,实现了“猫”式互抽运相位共轭光输出,获得较高的共轭光发射率,实验结果表明,晶体的二波耦合作用可以使晶体的自抽运相位共轭光的阈值光强降低。入射光的入射角范围增大,响应时间缩短。  相似文献   
109.
利用排列熵检测近40年华北地区气温突变的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
侯威  封国林  董文杰  李建平 《物理学报》2006,55(5):2663-2668
运用一种新的动力学突变检测方法——排列熵(permutation entropy,PE)算法,计算并分析了中国华北地区52个站点1960年—2000年逐日平均气温资料的排列熵演化情况,发现中国华北地区气温在20世纪70年代中期、80年代初均发生了较大突变;进一步用经验模态分解(empirical mode decomposition,EMD)方法对排列熵序列进行逐级平稳化处理,结果发现这一地区的气温突变与准10年这一年代际时间尺度的周期变率密切相关,其原因与太阳黑子活动有着密切联系. 关键词: 华北 突变 排列熵算法 经验模态分解  相似文献   
110.
TiN/Al2O3纳米多层膜的共格外延生长及超硬效应   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低.  相似文献   
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