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本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
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半个世纪以来,对半导体技术的深入研究和广泛应用推动了电子工业和信息产业的迅速发展。目前半导体技术正向高速度、高集成化方向发展,但这也不可避免地引发了一系列问题,例如电路中能量损耗过大导致集成片发热,如何进一步将电子器件小型化等。人们由此感到半导体器件的能力已基本达到了极限,转而把目光由电子投向了光子,因为光子有着电子所不具备的优势:速度快,彼此间不存在相互作用,一旦实现用光子替代电子传递信息, 相似文献
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Despite its capability of high spatial resolution, simulation of turbulent flows with traditional Lagrangian (front tracking) scheme is often discouraged by numerical instability caused by clustering of marker nodes and topological changes of fronts. Contour advection surgery (CAS), being a robust front tracking scheme, can limit the growth of front complexity during simulation without jeopardizing accuracy or efficiency. This allows it to open up an advantage over traditional front-tracking schemes. It has already been demonstrated that CAS, with incorporation of the reaction sheet model, can accurately simulate the propagation and advection of a turbulent premixed V-shaped flame. In this study, it is further tested with 10 values of vortex circulation. A range of upstream turbulence levels of 1.8–19.8% was obtained. Results indicate that upstream turbulence increase the average flame length, flame zone area and the overall burning rate. Flame surface density Σ was also estimated. Maximum values of Σ obtained lie in the range 0.1–1.4 mm−1. Skewness towards the burnt region was observed in all profiles of Σ. Similar to results from laboratory experiments, it was found that Σ values decreases with upstream turbulence. From this study, the ability of CAS to cope with intense turbulence is demonstrated and a better quantitative understanding on the scheme has also been acquired. 相似文献
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The first-order harmonic balance method via first Fourier coefficient is used to construct an approximate frequency-amplitude relation for a Duffing-harmonic oscillator. This relation is in agreement with the result obtained by the Ritz procedure. 相似文献