首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   11757篇
  免费   1713篇
  国内免费   1519篇
化学   8499篇
晶体学   118篇
力学   705篇
综合类   110篇
数学   1644篇
物理学   3913篇
  2024年   18篇
  2023年   231篇
  2022年   385篇
  2021年   377篇
  2020年   462篇
  2019年   485篇
  2018年   388篇
  2017年   399篇
  2016年   527篇
  2015年   589篇
  2014年   638篇
  2013年   869篇
  2012年   1036篇
  2011年   1087篇
  2010年   788篇
  2009年   685篇
  2008年   844篇
  2007年   731篇
  2006年   683篇
  2005年   558篇
  2004年   458篇
  2003年   318篇
  2002年   306篇
  2001年   222篇
  2000年   180篇
  1999年   216篇
  1998年   153篇
  1997年   162篇
  1996年   162篇
  1995年   132篇
  1994年   109篇
  1993年   92篇
  1992年   72篇
  1991年   78篇
  1990年   82篇
  1989年   69篇
  1988年   60篇
  1987年   40篇
  1986年   42篇
  1985年   44篇
  1984年   28篇
  1983年   21篇
  1982年   23篇
  1981年   14篇
  1980年   21篇
  1979年   11篇
  1978年   18篇
  1977年   13篇
  1976年   13篇
  1975年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
该文对高维非初等Mò'bius变换群进行了研究,得到了一些重要性质,给出了几个关于离散准则和代数收敛性的定理.  相似文献   
52.
The atomic structures of indium (In) on silicon (Si) (1 0 0)-(2 × 1) surface are investigated by the local density approximation using first-principles pseudopotentials. Total energy optimizations show that the energetically favored structure is the parallel ad-dimer model. The adsorption energy of In on ideal Si(1 0 0)-(1 × 1) surface is significantly higher than that on reconstructed Si(1 0 0)-(2 × 1) surface, suggesting that In adsorption does not break the Si-Si dimer bond of the substrate. When Si surface contains single dimer vacancy defects, In chain will be interrupted, leading to disconnected In nanowires. Displacive adsorption of In on Si(1 0 0) is also considered, and the calculation suggests that interdiffusion of In into Si substrate will not be favorable under equilibrium conditions.  相似文献   
53.
在本文中引入了泛代数的二次扩张的概念,解决了TU-EC(A)和UT-EC(A)的存在、真类和基数问题,范畴TU-EC(A)(及UT-EC(A)),并得到了有关二次扩张的几个同构定理,还对一点二次扩张作了讨论。  相似文献   
54.
In this paper,the concept of the infinitesimal realization factor is extended to the parameter-dependent performance functions in closed queueing networks. Then the concepts of realization matrix (its elements are called realization factors) and performance potential are introduced,and the relations between infinitesimal realization factors and these two quantities are discussed. This provides a united framework for both IPA and non IPA approaches. Finally,another physical meaning of the service rate is given.  相似文献   
55.
李运奎  陈述春 《发光学报》1991,12(2):155-162
制备了纯的、掺0.005、0.01、0.2和0.5wt%Cr2O3的钛酸锶单晶.测量了不同退火条件下的室温透射光谱及6.5K以上的荧光光谱.对晶体的氧化和还原热处理诱导吸收及退火和掺杂浓度对晶体发光的影响进行了较为详细的研究.  相似文献   
56.
57.
Let p and q be positive integers and let H be any hypergraph. In a (p,q,H) Avoider-Enforcer game two players, called Avoider and Enforcer, take turns selecting previously unclaimed vertices of H. Avoider selects p vertices per move and Enforcer selects q vertices per move. Avoider loses if he claims all the vertices of some hyperedge of H; otherwise Enforcer loses. We prove a sufficient condition for Avoider to win the (p,q,H) game. We then use this condition to show that Enforcer can win the (1,q) perfect matching game on K2n for every q?cn/logn for an appropriate constant c, and the (1,q) Hamilton cycle game on Kn for every q?cnloglogloglogn/lognlogloglogn for an appropriate constant c. We also determine exactly those values of q for which Enforcer can win the (1,q) connectivity game on Kn. This result is quite surprising as it substantially differs from its Maker-Breaker analog. Our method extends easily to improve a result of Lu [X. Lu, A note on biased and non-biased games, Discrete Appl. Math. 60 (1995) 285-291], regarding forcing an opponent to pack many pairwise edge disjoint spanning trees in his graph.  相似文献   
58.
光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U3CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.  相似文献   
59.
A method for calculating the number of rotamers of a linear alkane and of the number of rotamers with a given number of gauche conformations along the chain as a function of the total number of atoms in the chain, using general equations, is presented. A graphical method for generating individual rotamers was applied to the homologs up to decane, which has 1134 rotamers. The steric energies calculated by molecular mechanics (MM2 force field) were used as measures of the heat of formation for the coiled conformations relative to the anti conformer for each molecule, whereas the statistical entropy differences were calculated for classes of coiled rotamers grouped by the number of gauche bonds and steric energy. The free energy values calculated from these components show that already at 400 K hexane exists preferentially in conformations containing gauche bonds. For larger chains the free energy advantage for the coiled chains increases very steeply. The implications for the question of reactions of linear alkanes occurring on the surface or inside the channels of small- and medium-pore zeolites are briefly examined.  相似文献   
60.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号