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951.
对全国农残水平测试中毒死蜱、氯氰菊酯数据进行统计分析,在数据统计分布特征研究基础上,使用内核密度估计进行数据多态性分析,使用bootstrap模拟取样法对数据样本值重复取样,以获得稳健的水平测试样品待测物含量代表值估计、标准误差及置信区间描述,证明以bootstrap模拟取样法获取的均值与标准偏差作为有限单次样本代表值是合理、有效的,解决了四分位稳健统计方法对非正态多态分布代表值估计不稳定问题及取样理论中取样样本数限制的瓶颈,为能力验证计划指定值的获取提供了一种新方法。 相似文献
952.
识别物质的相变是物理学研究中一个重要问题.本文采用了一种混淆标签方案的卷积神经网络算法来识别两分量玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)中量子相变点,通过计算神经网络输出的准确率,得到W型性能曲线,此性能曲线中间的极大值对应着量子相变的临界点.研究结果表明,深度学习得到的量子相变点与解析计算值吻合度较高.此混淆标签方案的深度学习研究方法可以应用到存在两种相的相变体系. 相似文献
953.
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We investigate the thermal stresses for GaAs layers grown on V-groove patterned Si substrates by the finite-element method. The results show that the thermal stress distribution near the interface in a patterned substrate is nonuniform,which is far different from that in a planar substrate. Comparing with the planar substrate, the thermal stress is significantly reduced for the Ga As layer on the patterned substrate. The effects of the width of the V-groove, the thickness, and the width of the SiO2 mask on the thermal stress are studied. It is found that the SiO2 mask and V-groove play a crucial role in the stress of the Ga As layer on Si substrate. The results indicate that when the width of V-groove is 50 nm, the width and the thickness of the SiO2 mask are both 100 nm, the Ga As layer is subjected to the minimum stress. Furthermore,Comparing with the planar substrate, the average stress of the Ga As epitaxial layer in the growth window region of the patterned substrate is reduced by 90%. These findings are useful in the optimal designing of growing high-quality Ga As films on patterned Si substrates. 相似文献
960.
All-solid-state sodium batteries with poly(ethylene oxide) (PEO)-based electrolytes have shown great promise for large-scale energy storage applications. However, the reported PEO-based electrolytes still suffer from a low Na+ transference number and poor ionic conductivity, which mainly result from the simultaneous migration of Na+ and anions, the high crystallinity of PEO, and the low concentration of free Na+. Here, we report a high-performance PEO-based all-solid-state electrolyte for sodium batteries by introducing Na3SbS4 to interact with the TFSI− anion in the salt and decrease the crystallinity of PEO. The optimal PEO/NaTFSI/Na3SbS4 electrolyte exhibits a remarkably enhanced Na+ transference number (0.49) and a high ionic conductivity of 1.33 × 10−4 S cm−1 at 45 °C. Moreover, we found that the electrolyte can largely alleviate Na+ depletion near the electrode surface in symmetric cells and, thus, contributes to stable and dendrite-free Na plating/stripping for 500 h. Furthermore, all-solid-state Na batteries with a 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride cathode exhibit a high capacity retention of 84% after 200 cycles and superior rate performance (up to 10C). Our work develops an effective way to realize a high-performance all-solid-state electrolyte for sodium batteries.A high-performance all-solid-state PEO/NaTFSI/Na3SbS4 electrolyte for sodium batteries is realized owing to the electrostatic interaction between TFSI− in the salt and Na3SbS4, which immobilizes TFSI− anions and promotes the dissociation of NaTFSI. 相似文献