Experimental Study on Spiral Patterns in Dielectric Barrier Discharge System

Spiral patterns are obtained in a dielectric barrier discharge system with water electrodes. The dynamics of spiral formation and transition is investigated. Wavelength characteristic of spiral patterns is also studied. Correlation measurements indicate that the wavelength of spiral pattern increases with the increasing gas gap width and oscillates with the increasing drive frequency.     

Large time behavior of the solutions to the Boltzmann equation with specular reflective boundary condition

In this paper a half space problem for the one-dimensional Boltzmann equation with specular reflective boundary condition is investigated. It is shown that the solution of the Boltzmann equation time-asymptotically converges to a global Maxwellian under some initial conditions. Furthermore, a time-decay rate is also obtained.     

G可积函数的Lebesgue可测性

Botsko在连续和可导的知识基础上推广了Riemann积分,得到了一种新的积分,称为G积分．G积分既不同于Riemann积分也不同于Lebesgue积分．本文通过对G积分的研究,得到了G可积函数一定Lebesgue可测,从而有界G可积函数一定Lebesgue可积;同时我们还证明了这两个积分值相等．     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

电子辐照诱发固态相变导致的氮化硼纳米结构生长

报道了N+离子轰击产生的氮化硼(BN)纳米结构,及在电子辐照时结构演化的高分辨透射电子显微镜的原位测定结果.应当强调的是,这种类富勒烯和发夹结构的演化,实际上是电子辐照诱发固态相变的发展,观察中发现的一些BN颗粒、卷曲物,可以被认为是类富勒烯等纳米结构形成的前体或早期阶段.提出了一种类富勒烯等结构的电子辐照动力学模型,并进行了讨论. 关键词： 氮化硼 电子辐照 透射电子显微镜 氮化硼纳米形成物     

求解非线性方程的一个新方法

提出了一种求解非线性方程的数值方法，此方法不需要导数的计算，其收敛阶与抛物线法相同，但计算量要比抛物线法小得多。     

延迟和相关效应对Ne原子2p53s1,3P10-2p6 1S0跃迁的影响

利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,系统地研究了延迟和相关效应对中性Ne原子2p53s1,3P01-2p61S0电偶极共振和复合跃迁的能量以及跃迁几率(寿命)的影响,给出了相应的跃迁能和辐射寿命,并与最新的实验观测和其他理论计算结果进行了比较.     

Sn-C60薄膜的紫外吸收光谱和X-射线衍射谱分析

对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收，X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示，薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降，说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁，能带中有杂质能级的存在；样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构；扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。