Synthesis of 4''''-Spironucleoside via Radical Translocation Cyclization Reaction

A novel synthetic strategy for the construction of 4＇-spironucleosides via cascade radical translocation cyclization of N-allyl-N-（2＇-bromophenyl） amide moiety of 5＇-carboxylic nucleosides and the N-propynyl analogues is described. The conformationally restricted nucleosides herein synthesized are of potentially biological interests.     

纳米氧化铁修饰玻碳电极检测痕量镉离子

制备了一种纳米氧化铁修饰玻碳电极,并研究了镉离子在该修饰电极上的溶出伏安行为。结果表明,纳米氧化铁颗粒能有效促进镉离子的溶出伏安响应。在pH 6.0的磷酸缓冲溶液中,镉离子能有效吸附在纳米氧化铁表面并在-1.0 V时被还原。被还原的镉在正向扫描过程中可以重新氧化,并在-0.85 V处出现一明显的溶出伏安氧化峰。该峰电流随镉离子浓度的增大而增大,可用于对镉离子的检测。在最佳检测条件(pH 6.0,富集时间350 s,富集电位-1.0 V)下,镉离子的响应电流与其浓度在6.0×10-10～1.0×10-8mol/L以及1.0×10-8～1.0×10-5 mol/L范围内呈良好线性,检出限(S/N=3)为1.0×10-10 mol/L。干扰实验结果表明,一些常见的阳离子以及阴离子对镉离子的检测无明显干扰。将该方法用于实际样品的检测,回收率良好。     

单扫描示波极谱法测定针剂中头孢呋辛钠含量

在稀HCl介质中,头孢呋辛钠在滴汞电极上于-0.47V(vs.SCE)处产生一灵敏的极谱还原峰,头孢呋辛钠在6～600μg/mL范围内与其峰电流呈线性关系。据此,建立了用单扫描示波极谱法测定药物中头孢呋辛钠含量的新方法。方法检出限为0.35μg/mL。该法用于实际药品测定,相对标准偏差(RSD)为0.45%～0.97%(n=8),加标回收率为98.04%～103.64%。     

乙炔基封端聚酰亚胺增韧改性的相结构

以双酚A二醚二酐(BPADA)和3乙-炔苯胺(APA)为原料,通过两步法合成一种热固性可交联的聚酰亚胺预聚体.将此预聚体分别与不同结构的热塑性聚酰亚胺(PI)共混,对其进行增韧改性,通过调控热塑性聚酰亚胺的质量分数,引入结构相似且含有更多柔性基团的热塑性聚酰亚胺(如含有醚键和对称甲基结构的二酐),得到了热固/热塑性聚酰亚胺复合膜.利用差示扫描量热仪(DSC)及扫描电镜(SEM)对该体系的相分离结构和相容性进行研究,并讨论其机械性能和热性能.结果表明,相分离结构使体系的机械性能得到改善,同时也保持了原有的优异热性能.     

偶苯酰双缩吡啶酰腙的合成及其结构表征

合成了Schiff碱化合物偶苯酰双缩吡啶酰腙;利用元素分析、红外光谱、紫外光谱和X射线单晶衍射等手段对其结构进行了表征.结果表明,标题化合物属于单斜晶系,P21/n空间群;晶胞参数为:a=0.8481(2)nm,b=0.5934(1)nm,c=2.1912(3)nm,β=94.331(3)°,V=1.0996(3)nm3,Z=2,Dc=1.355g/cm3,μ=0.090mm?1,F(000)=468,R1=0.0381,wR2=0.0628.分子内氢键N-H…N作用有利于稳定化合物的分子结构,而晶体堆积过程中通过分子间π-π作用和C-H…π作用形成三维超分子结构.     

金电极上氢析出反应的温度效应

用循环伏安法研究了多晶金电极在0.1 mol/L HClO₄和0.1 mol/L KOH中氢析出反应的温度效应．在278～333 K时,随温度和电位的增加氢析出反应电流显著增加, 在酸性溶液中Tafel斜率从118 mV/dec增加到146 mV/dec,超电势从0.2 V增加到0.35 V时,其活化能从37 kJ/mol降低至30 kJ/mol,反应的指前因子比在碱性溶液中的高出一个数量级．在碱性溶液中Tafel斜率约为153±15 mV/dec,且未呈现明显随温度变化的趋势．平衡电位的反应活化能在酸性和碱性溶液中分别约为48和34 kJ/mol．当超电势增加时,在碱性溶液中的指前因子单调增加,在酸性溶液中指前因子不随电位而变化．还讨论了金电极上氢析出反应在酸性和碱性溶液中具有不同的随电势变化的动力学参数的原因及其与反应机理的联系．     

单色平面波从各向同性介质入射到晶体界面上折射波的求解方法

从麦克斯韦方程组出发,结合旋光晶体的物质方程以及单色平面波从各向同性介质入射到晶体界面时电场的连续性边界条件,通过晶体主轴坐标系和界面坐标系的坐标变换,推导了任意入射方向的单色平面波在晶体界面上的折射方向的求解公式,进而利用所得的折射方向求解晶体中折射波的电场本征模、电位移矢量本征模和光线方向。该方法以波动光学和晶体的物理性质为理论基础,推导过程没做近似,对双轴、单轴和各向同性晶体以及晶体是否具有旋光性都适用,并可通过计算机编程求出精确的数值解。