Duffing-van der Pol振子随机分岔的全局分析

应用广义胞映射方法研究了参激和外激共同作用的Duffing-van der Pol振子的随机分岔.以 系统参数通过某一临界值时，如果系统的随机吸引子或随机鞍的形态发生突然变化，则认为 系统发生随机分岔为定义，分析了参激强度和外激强度的变化对于随机分岔的影响.揭示了 随机分岔的发生主要是由于系统的随机吸引子与系统的随机鞍碰撞产生的.分析表明，广义 胞映射方法是分析随机分岔的有力工具，这种全局分析方法可以清晰地给出随机分岔的发生 和发展. 关键词： 随机分岔 全局分析 广义胞映射方法 随机吸引子 随机鞍     

Superferromagnetic state of α-Fe in Fe implanted Co6Ag94 studied by Mössbauer spectroscopy

After having introduced by ion implantation ⁵⁷Fe to a local concentration of 7 at% into Co₆Ag₉₄, we observed it by conversion electron Mössbauer spectroscopy in the as-prepared state and after isochronal annealing. A superferromagnetic state is inferred, which is correlated with the ordering of the magnetic moments on the Fe clusters through chain-like or dendritic Co/Fe linear structures. The magnetic moment disordering temperature lies above 473 K.     

复Finsler流形上的Koppelman-Leray-Norguet公式

利用不变积分核(Berndtsson核),复Finsler度量和联系于Chern-Finsler联络的非线性联络,研究复Finsler流形上具有逐块光滑C~((1))边界的有界域上(p,q)型微分形式的积分表示,得到了(p,q)型微分形式的Koppelman-Leray-Norguet公式和■-方程的解．作为应用,利用复Finsler度量和联系于Chern-Finsler联络的非线性联络,给出了Stein流形上具有逐块光滑C~((1))边界的有界域上(p,q)型微分形式的Koppelman- Leray-Norguet公式以及■-方程的解,并且得到了Stein流形上实非退化强拟凸多面体上(p,q)型微分形式的积分表示式和■-方程的解．     

四溴双酚A锑铝双金属化合物的合成及其阻燃性能

以四溴双酚Ａ（ＴＢＡ）合成了在水和空气中稳定的四溴双酚Ａ合锑铝双金属化合物（ＴＢＡＳＡ）．通过ＩＲ、１ＨＮＭＲ和元素分析予以表征，并研究了其对聚乙烯（ＰＥ）和聚环氧乙烷（ＰＥＯ）的阻燃性能．结果表明，这种分子中含有溴、锑和铝的化合物，对聚乙烯和聚环氧乙烷等高聚物材料有高的阻燃性能与消烟效果．     

等式与界约束非线性优化信赖域算法的全局收敛

§ 1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＣｏｎｓｉｄｅｒｔｈｅｆｏｌｌｏｗｉｎｇｎｏｎｌｉｎｅａｒｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｐｒｏｂｌｅｍ :ｍｉｎｉｍｉｚｅｆ(ｘ)ｓｕｂｊｅｃｔｔｏＣ(ｘ) =0 ,　ａ≤ｘ≤ｂ ,( 1 .1 )ｗｈｅｒｅｆ(ｘ) :Ｒｎ→Ｒ ,Ｃ(ｘ) =(ｃ1(ｘ) ,ｃ2 (ｘ) ,...,ｃｍ(ｘ) ) Ｔ:Ｒｎ→Ｒｍ ａｒｅｔｗｉｃｅｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌｙｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｂｌｅ,ｍ≤ｎ ,ａ ,ｂ∈Ｒｎ.Ｔｒｕｓｔｒｅｇｉｏｎａｌｇｏｒｉｔｈｍｓａｒｅｖｅｒｙｅｆｆｅｃｔｉｖｅｆｏｒｓｏｌｖｉｎｇｎｏｎｌｉｎｅａｒｏｐｔｉｍｉ…     

A convenient synthesis of sulfonylureas from carboxylic acids and sulfonamides via an in situ Curtius rearrangement

A one-pot reaction of carboxylic acids with sulfonamides to afford sulfonylureas is described.     

On the torsion of Jacobians of principal modular curves of level 3<Superscript><Emphasis Type="Italic">n</Emphasis></Superscript>

We demonstrate that the 3-power torsion points of the Jacobians of the principal modular curves X(3ⁿ) are fixed by the kernel of the canonical outer Galois representation of the pro-3 fundamental group of the projective line minus three points. The proof proceeds by demonstrating the curves in question satisfy a two-part criterion given by Anderson and Ihara. Two proofs of the second part of the criterion are provided; the first relies on a theorem of Shimura, while the second uses the moduli interpretation. Received: 30 September 2005     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.