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142.
采用考虑Davidson校正、标量相对论效应、芯-价电子关联和自旋-轨道耦合效应高精度的多参考组态相互作用方法计算了GeCl分子的最低解离极限Ge(3Pg)+Cl(2Pu)对应的12个Λ-S电子态的势能曲线. 基于计算得到的势能曲线, 求解一维核运动的Sch?rdinger方程得出束缚态的光谱常数, 这些光谱常数与实验值符合较好. 本文计算了12个Λ-S态的电偶极矩随核间距的变化, 分析了电子态组态成分的变化对电偶极矩的影响. 本文还研究了GeCl分子的辐射跃迁性质, 给出了激发态到基态之间和低激发态之间的跃迁偶极矩和电子态之间的Franck-Condon因子, 并根据计算得到的跃迁偶极矩和Franck-Condon因子计算出了束缚激发态低振动能级的辐射寿命. 相似文献
143.
根据射流侵彻橡胶复合靶板后射流变形情况,将橡胶复合靶板抗射流侵彻过程分为4个阶段。基于应力波传播理论和开尔文-亥姆霍兹不稳定性对橡胶复合靶板抗射流侵彻过程进行了理论分析,得到射流失稳时射流的速度区间及橡胶复合靶板对射流的干扰频率,并分析了射流侵彻橡胶复合靶板后的剩余侵彻能力。分析了橡胶夹层厚度变化和橡胶复合靶板倾角对橡胶复合靶板抗射流干扰的影响,得到最佳橡胶夹层厚度和倾角,并通过实验对理论结果进行了验证。结果表明,开尔文-亥姆霍兹不稳定性能很好地分析橡胶复合靶板对射流的干扰作用。橡胶复合靶板在倾角为60、橡胶夹层厚度为3~3.5mm 时具有最佳防护性能。 相似文献
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以仲丁醇铝(ASB)和三甲基乙氧基硅烷(TMEO)为前驱体,采用溶胶-凝胶法,经乙醇超临界干燥制备了耐温高、成型性好的硅/铝复合气凝胶。用透射电子显微镜、N2吸附分析仪、红外光谱仪、X射线衍射仪、hot disk热分析仪等仪器表征了气凝胶的形貌、孔结构、表面基团、晶相、热学等性能。在溶胶-凝胶过程中,通过添加TMEO在氧化铝纳米颗粒表面引入了-Si-(CH_3)_3基团,该基团经高温热处理后会在Al_2O_3表面形成SiO_2纳米颗粒,有效地抑制了Al_2O_3纳米颗粒在高温下的晶体生长,使得该复合气凝胶具有优异的耐温性能。在1 200℃高温处理后,线性收缩低至16%,比表面积可达141 m~2·g~(-1),这将进一步促进气凝胶材料在高温保温隔热、吸附、催化等领域的广泛应用。 相似文献
145.
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合成了4-三甲基硅基苯乙炔(SPA)单体,采用核磁共振谱(1H-NMR)和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对其进行了表征.在Pd(PPh3)2Cl2和金属共催化剂催化下制备了聚4-三甲基硅基苯乙炔(PSPA).PSPA易溶于氯仿、甲苯等有机溶剂,成膜性较好,具有较高的强度和热稳定性.热重分析(TGA)表明其5%失重温度为300~310℃.PSPA膜对CO2气体透过系数达到848 Barrer,并具有较高的透过选择性,分离系数达到12.68,摆脱了"Robeson"上限的限制. 相似文献
147.
TiNiCu记忆合金在美国Argonne国家实验室IVEM Tandem National Facility加速器产生的400keV Xe+离子辐照到0.4dpa时发生非晶化转变。通过电子显微镜研究了非晶化的TiNiCu合金的回复和再结晶过程。退火加热的速度是10℃/min。在280℃时非晶环附近出现电子衍射斑点以及明场像中出现少量析出相,表明回复和再结晶开始。退火到550℃出现多晶环,650℃时有片状马氏体变体生成,750℃时有很锐利的多晶环出现,表明再结晶过程基本完成。经标定再结晶晶粒仍然是TiNiCu记忆合金。再结晶组织与辐照前TiNiCu 合金的显微组织相比有较大差异。 相似文献
148.
超临界二氧化碳萃取甘草黄酮的工艺 总被引:21,自引:0,他引:21
中药甘草为豆科植物甘草 (GlycyrrhizauralensisFisch .)的根及根状茎。对其药理性能以往均以甘草酸为研究重点[1 ] ,近年来陆续发现甘草黄酮类成分的重要药理作用[2 ] 。傅乃武等[3] 证实甘草中的黄酮类成分有明显的抗氧化作用 ;王根生等[4] 报道甘草根中富黄酮组分 (GF)对CCl4或乙醇所致的小鼠肝损伤有保护作用。Hatano等[5] 证明甘草根茎中的某些黄酮类化合物对Molt4细胞所诱导的Plant细胞对HIV有较强的抑制作用。甘草黄酮类天然药物已成为国内外新药研究和开发的热点。超临界二氧化碳萃取法 (SFE CO2 )具有提取温度低、提取率高… 相似文献
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150.
用原子力显微镜和光学显微镜观测酸蚀后熔石英亚表面划痕,并根据形貌特征将其分为Boussinesq-point-force crack(BPFC)、Hertzian-conical scratch(HCS)和Plastic indent(PI)三类,测试了各类划痕的损伤阈值,讨论了激光损伤机制。结果表明锐度较大的BPFC损伤阈值不超过2.0 J/cm<>2;深度小于1 μm的 HCS阈值可达2.6 J/cm2;形变较大的PI阈值至2.8 J/cm2,形变较小的PI的激光损伤阈值与无缺陷材料相当。BPFC 和深度超过1 μm的HCS是导致熔石英损伤阈值低的主要因素。 相似文献