全文获取类型
收费全文 | 70372篇 |
免费 | 9863篇 |
国内免费 | 6642篇 |
专业分类
化学 | 46984篇 |
晶体学 | 659篇 |
力学 | 4661篇 |
综合类 | 515篇 |
数学 | 8449篇 |
物理学 | 25609篇 |
出版年
2024年 | 228篇 |
2023年 | 1399篇 |
2022年 | 2280篇 |
2021年 | 2468篇 |
2020年 | 2522篇 |
2019年 | 2422篇 |
2018年 | 2188篇 |
2017年 | 1939篇 |
2016年 | 2964篇 |
2015年 | 3078篇 |
2014年 | 3650篇 |
2013年 | 4843篇 |
2012年 | 5889篇 |
2011年 | 6014篇 |
2010年 | 4079篇 |
2009年 | 4018篇 |
2008年 | 4187篇 |
2007年 | 3788篇 |
2006年 | 3567篇 |
2005年 | 3092篇 |
2004年 | 2478篇 |
2003年 | 1895篇 |
2002年 | 1682篇 |
2001年 | 1520篇 |
2000年 | 1418篇 |
1999年 | 1563篇 |
1998年 | 1330篇 |
1997年 | 1169篇 |
1996年 | 1227篇 |
1995年 | 1071篇 |
1994年 | 1007篇 |
1993年 | 865篇 |
1992年 | 768篇 |
1991年 | 664篇 |
1990年 | 555篇 |
1989年 | 481篇 |
1988年 | 366篇 |
1987年 | 349篇 |
1986年 | 297篇 |
1985年 | 300篇 |
1984年 | 202篇 |
1983年 | 176篇 |
1982年 | 145篇 |
1981年 | 112篇 |
1980年 | 82篇 |
1978年 | 56篇 |
1977年 | 52篇 |
1976年 | 50篇 |
1975年 | 57篇 |
1973年 | 57篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 10 毫秒
871.
872.
测量了间位甲苯酚和甲酚异构体混合物能量在35180-36002cm^-1范围的双光子共振四光子电离谱。对第一电子激发态振动带做了分析和归属,并对苯分子的不同取代对振动模的影响做了比较和分析。 相似文献
873.
Sm:CaS的电子俘获机制 总被引:5,自引:0,他引:5
用紫外光辐射单掺钐的CaS后,观察到很强的红外激励上转换发光。这是由不同格位的钐离子间的电荷转移引起的。本文研究了它的光学性质及有关的电子俘获机制。 相似文献
874.
875.
876.
在脉冲梯度场基础上研究了进一步缩短COSY类2D NMR实验数据采集时间的新方法.利用主动屏蔽梯度场线圈的梯度场恢复时间仅为100μs数量级这一特点,提出一类基于脉冲梯度场消除弛豫假峰的脉冲序列.并以DQF-COSY脉冲序列为例加以验证.实验结果表明:采用文中的方法,取序列重复时间远小于T1和T2是切实可行的;梯度场技术能很好地抑制弛豫假蜂以达到2D NMK数据的快速采集. 相似文献
877.
Summary The normal incidence reflectivity spectrum of excitons in GaAs/Ga1−x
Al
x
As multiple quantum wells is calculated within the local response approximation. It is shown that the reflectivity lineshape
strongly depends on the sample geometry. Using realistic parameters of a multiple quantum well structure, we obtain an excellent
fit of the experimental reflectivity curve, thus giving exciton energies, oscillator strengths and exciton broadening parameters.
Riassunto Lo spettro di riflettività ad incidenza normale degli eccitoni nei pozzi quantistici multipli di GaAs/Ga1−x Al x As è calcolato nell’ambito dell’approssimazione locale. Si mostra con la forma della linea di riflettività dipende in gran misura dalla forma geometrica del campione. Usando parametri realistici di una struttura a pozzi quantistici multipli, si ottiene un’ottima approssimazione della curva di riflettività sperimentale, che fornisce così energie eccitoniche, forze dell’oscillatore e parameri di ampliamento eccitonico.
Резюме В рамках приближения линейного отклика вычисляется спекрт отражательной способности экситонов при нормальном падении для множественных квантовых ям в GaAs/Ga1−x Al x As. Показывается, что форма линии отражательной способности сильно зависит от геометрии образца. Используя реалистические параметры структуры множественных квантовых ям, мы получаем хорошее соответствие с экспериментальной кривой для отражательной способности. Получаются энергии экситонов, силы осцилляторов и парам⪟тры экситонного уширения.相似文献
878.
Using the theoretically calculated point-defect total-energy values of Baraff and Schlüter in GaAs, anamphoteric-defect model has been proposed by Walukiewicz to explain a large number of experimental results. The suggested amphoteric-defect system consists of two point-defect species capable of transforming into each other: the doubly negatively charged Ga vacancyV
Ga
2–
and the triply positively charged defect complex (ASGa+V
As)3+, with AsGa being the antisite defect of an As atom occupying a Ga site andV
As being an As vacancy. When present in sufficiently high concentrations, the amphoteric defect systemV
Ga
2–
/(AsGa+V
As)3+ is supposed to be able to pin the GaAs Fermi level at approximately theE
v
+0.6 eV level position, which requires that the net free energy of theV
Ga/(AsGa+V
As) defect system to be minimum at the same Fermi-level position. We have carried out a quantitative study of the net energy of this defect system in accordance with the individual point-defect total-energy results of Baraff and Schlüter, and found that the minimum net defect-system-energy position is located at about theE
v
+1.2 eV level position instead of the neededE
v
+0.6 eV position. Therefore, the validity of the amphoteric-defect model is in doubt. We have proposed a simple criterion for determining the Fermi-level pinning position in the deeper part of the GaAs band gap due to two oppositely charged point-defect species, which should be useful in the future. 相似文献
879.
The gyroscope in an orbiting satellite will be acted on by additional gravitational fields due to the rotation of the earth and due to the orbital velocity of the satellite. According to special relativistic gravitational theory, we deduce
L
(S)
—the gyroscope's precession rate due to the orbital velocity—and
S
(S)
—the gyroscope's precession rate due to the earth's rotation in the polar orbit case. The results are
L
(S)
= (2/3)
L
(G)
,
S
(S)
= (3/2) cos (1 - sin2 cos2)1/2
S
(G)
, where and are the gyroscope's polar angles, and
L
(G)
and
S
(G)
are the geodetic and frame-dragging precession rates predicted by general relativity, respectively. 相似文献
880.
NMC实验(theNewEuroreanMuonCollaboration'sExreriment)结果是实验向理论提出的一个很有意义的课题.本文总结了质子自旋的唯象研究成果.提出对质子波函数重新作动力学计算可能有助于人们加深对质子自旋的理解. The problem on proton spin and its study,which are interest fields are introducedbriefly,the achievements in the past few years reviewed here. The dynamical calculationfor this problem and its prospect are also mentioned. 相似文献