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991.
采用高温固相法制备了Tm3+,Yb3共掺CaWO4多晶材料. 980 nm二极管激光器激发下,在可见区获得了1G4→3H6,1G4→3H4,3H2,3H3→3H6 跃迁产生的上转换荧光. 讨论了Yb3+ 离子浓度的变化对Tm3+ 的上转换发光强度的影响,同时根据荧光强度比的方法研究了689 和705 nm 红色上转换荧光在313–773 K 范围内的温度特性. 结果表明:基于Tm3+,Yb3+ 共掺CaWO4 多晶材料的红色上转换荧光可以实现温度监测,其测温的最大灵敏度值为5.7×10-4 K-1,相应的测量温度为458 K.
关键词:
上转换发光
3+')" href="#">Tm3+
钨酸钙
荧光温度传感 相似文献
992.
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用. 在经典力学框架内,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为具有阻尼项和双频激励项的摆方程. 用Melnikov方法对单频激励系统的分叉与混沌进行分析;用Lyapunov方法对双频激励系统的稳定性进行讨论. 结果表明:在弱非线性情况下,双频激励系统存在局域不稳定,且这种不稳定将向全局扩展,直至混沌的出现;导致混沌的双频激励强度远小于单频激励强度;外加一个适当的超声场可望将这种敏感钝化,使系统的稳定性得到改善.
关键词:
超晶格
准周期激励
混沌
稳定性 相似文献
993.
994.
The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 350 V, but also excellent memory behaviors. A drain current-gate voltage (ID-VG) memory window of about 2.2 V is obtained at the sweep voltages of ±10 V for the 350-V laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS). The retention time of about 270 s is recorded for the LDMOS through a controlled ID-VG measurement. The LDMOS with memory behaviors has potential to be applied in future power conversion circuits to boost the performance of the energy conversion system. 相似文献
995.
超高速炸药加速器炮口弹丸速度的测量 总被引:1,自引:0,他引:1
炸药驱动器超高速(>3000m/s)弹丸速度的测量是超高速发生器及超高速碰撞现象研究等领域内一个必不可少的环节,本文在传统电测法及X光闪先照相技术的基础上,提出了改进的测量技术,使测量中尽量避免各种因素对测试的干扰,成功地获得了弹丸的炮口速度。实验表明,该技术为超高速驱动器及超高速撞击现象研究提供了一种可靠而方便的测试手段。 相似文献
996.
Battle M Ernst J Kwon Y Roberts S Thorndike EH Wang CH Dominick J Lambrecht M Sanghera S Shelkov V Skwarnicki T Stroynowski R Volobouev I Wei G Zadorozhny P Artuso M Goldberg M He D Horwitz N Kennett R Mountain R Moneti GC Muheim F Mukhin Y Playfer S Rozen Y Stone S Thulasidas M Vasseur G Zhu G Bartelt J Csorna SE Egyed Z Jain V Kinoshita K Edwards KW Ogg M Britton DI Hyatt ER MacFarlane DB Patel PM Akerib DS Barish B Chadha M Chan S Cowen DF Eigen G Miller JS O'Grady C Urheim J Weinstein AJ 《Physical review letters》1994,73(8):1079-1083
997.
乙酸对DNA空间结构微观损伤的Raman光谱特征 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Raman光谱技术从分子水平研究了乙酸对鲱鱼精DNA空间结构微观损伤的特征。实验结果表明,鲱鱼精DNA被乙酸浸润处理后,Raman特征频率与强度均发生了不同程度的变化。证明了乙酸对DNA的损伤是整个分子,包括骨架磷酸基团、脱氧核糖及碱基。不仅是DNA的构象,而且其构型也发生了变化:氢键断裂,B型构象被修改,DNA单、双链断裂,碱基也受到了严重损伤。其碱基损伤严重程度依次为胞嘧啶、胸腺嘧啶、鸟嘌呤和腺膘呤。 相似文献
998.
I.IntroductionCurrent1ythemajorityofcommcrcialultrasonicscannersutilizeon1ytheamplitudcinformationcarriedbytheechoesbackscatteredfrombiologicaltissuestoproduccandriageintimedomain.Potentia1lyusefulinformationinfrequencyd0maincontainedbytheechoesiscomp1ete1ydiscarded.Theu1trasonicspectrumanalysistechnique,whichcancompensatethislack,canpresentsomeusefulparametcrsinfrcqucncydomainusedinultrasonictissuecharacterization.Onthisbackgroud,asericsofworksonthisficldhavcbeendoneduringthepastdecadell-5l.… 相似文献
999.
1000.
研究了北京谱仪(BES)Ⅱ带电径迹测量误差矩阵的修正,使运动学拟合TELESIS方法在BESⅡ物理数据分析中得到应用.1)在BESⅡ数据重建程序中,加入了适当的MDC重建单丝分辨率(250μm)和Q修正.2)在TELESIS程序中,放入了BESⅡ有效物质量对BESⅡ误差矩阵进行多次库仑散射和dE/dX能损效应的修正.3)在此基础上,通过J/ψ→μ+μ-的数据样本分析,完成了BESⅡ24×106J/ψ事例RUN-by-RUN的误差矩阵刻度,同时对BESⅡMC数据也作了相应的刻度.经上述误差矩阵修正后,BESⅡ的TELESIS可以较好地满足BESⅡ数据分析工作的要求. 相似文献