超高效液相色谱-串联质谱法测定斑马鱼性腺中13种类固醇激素

建立了超高效液相色谱-串联质谱测定雌性斑马鱼性腺中13种类固醇激素的分析方法。雌鱼性腺分别经预冷的乙腈、乙酸乙酯浸提后,氨基(NH2)、亲水-亲脂平衡介质(HLB)固相萃取柱富集净化,ACQUITY UPLCBEH C18色谱柱进行梯度分离。采用多反应监测模式扫描,基质匹配外标法定量。研究了不同提取溶剂对13种类固醇激素的提取效果,考察了固相萃取柱的净化效果,并对斑马鱼性腺进行类固醇激素加标回收率实验,结果表明,13种分析物的平均加标回收率为74.8%~127.0%,相对标准偏差为3.9%~15.8%,方法检出限为0.006~0.300μg/kg。该方法简便、准确、灵敏,可应用于斑马鱼性腺类固醇激素生理水平的检测。     

基于Fourier变换的裂解价差期权定价

本文研究了期货期权和裂解价差期权的定价问题.利用Fourier变换方法,在ASub CIR模型的基础上,获得了单因素期货期权,两因素期货期权以及价差期权价格的表达式,最后用C++和MATLAB计算出期权的价格,解决了利用特征函数展开法计算期权价格时速度较慢且不稳定的问题.     

问题式教学和案例教学在普通化学教学中的综合应用——自发热贴发热原理中的基础化学

In this article, the topic of "chemical principles in warmer pad" is used as an example to illustrate how problem-based learning (PBL) and case learning (CL) are used in the teaching of general chemistry. We take the advantages of PBL to arouse the studying interests of students in the casing learning atmosphere. Moreover, the teacher leads the discussion. By using these two teaching methods properly, students' active learning ability, the skills of analyzing and solving problems, as well as the comprehensive practical ability can be improved.     

基础化学综合实验中学生“自主设计”的教学实践

在基础化学综合实验中,教师只提出主要原料和欲制备的产品大类,学生通过查找资料自主设计,用不同的方法、途径制备出所要求产品,并分析几种方法在操作过程、经济及环保等方面各自的优缺点,从而达到培养学生自主创新能力的目的.     

具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al₂O₃为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,Schottky-gate HEMT的栅漏电为191μA;在栅压为+20 V时,MOS-HEMT的栅漏电仅为23.6 nA,比同样尺寸的Schottky-gate HEMT的栅漏电低将近7个数量级。AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅压摆幅达到了±20 V。在栅压V_gs=0 V时, MOS-HEMT的饱和电流密度达到了646 mA/mm,相比Schottky-gate HEMT的饱和电流密度(277 mA/mm)提高了133%。栅漏间距为10μm的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件在栅压为+3 V时的最大饱和输出电流达到680 mA/mm,特征导通电阻为1.47 mΩ·cm²。Schottky-gate HEMT的开启与关断电流比仅为10⁵,MOS-HEMT的开启与关断电流比超过了10⁹,超出了Schottky-gate HEMT器件4个数量级,原因是栅漏电的降低提高了MOS-HEMT的开启与关断电流比。在V_gs=-14 V时,栅漏间距为10μm的AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为640 V,关断泄露电流为27μA/mm。     

具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al₂O₃栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(L_g)为2 μm,栅宽(W_g)为0.9 mm(0.45 mm×2),栅极和源极(L_gs)之间的距离为5 μm,栅极和漏极(L_gd)之间的距离为10 μm。在栅压为－20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为－20~+12 V。在栅压V_gs=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm (W_g=0.9 mm), 特征导通电阻为4 mΩ·cm²。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×10⁸。当V_ds=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm (W_g=0.9 mm,V_gs=+10 V)。在V_gs=0 V时,栅漏间距为10 μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。     

一种基于最大似然的混响时间盲估计方法*

混响是室内声学中的重要现象,在室内设计与音频信号处理中都需要测量或估计混响时间。本文改进了一种基于最大似然估计的混响时间盲估计方法,即采用说话人在房间中自然说话时发出的混响语音信号来估计混响时间的方法。该方法首先确定语音衰减段的最优边界,其次计算该衰减段的两个额外参数,据此筛选出符合条件的语音段,最后将满足条件的语音段采用最大似然估计得到混响时间估计值。在五个不同混响时间条件下的仿真表明,与已有方法相比,改进方法估计的混响时间同真实混响时间的偏差更小,方差更低,估计准确性较高。     

AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好. 关键词：     

Fresnel波带板编码成像技术

 介绍了Fresnel波带板编码成像原理,并设计出高空间分辨率的Fresnel波带板编码相机,用双孔可见光源对编码相机的成像进行了实验研究,表明该编码相机可以真实地还原源区的空间大小和形状。     

用于干涉型光纤传感器的相位生成载波解调技术

相位生成载波技术是用于光纤传感器中很重要的一种信号解调方法。简要说明了相位生成载波调制的原理和两种基本的调制方法 ,着重介绍了相位生成载波调制信号的解调方法 ,包括 :零差法、伪外差法和合成外差法 ,并对以上各种方法进行了分析比较。对相位生成载波技术在干涉型光纤传感器中的应用作了详细的介绍。针对现在最有希望用于智能结构的光纤布拉格光栅传感器 ,介绍了相位生成载波技术在这方面的应用。