高密度氩气的原子间相互作用与状态方程

本文从高密度气体的原子间相互作用出发进行思考,在修改范德瓦耳方程的基础上,提出了一种新的适用于高密度气体的状态方程,并用以对氩气临界区的等温压缩线进行计算,结果与实验值很符合.     

Vacuum Fluctuations and Motion of a Charged Test Particle in a Cylindrical Spacetime

The effects of quantum electromagnetic fluctuations upon the motion of a test charged particle are examined in a cylindrical spacetime in which one spatial is compactified. The mean squared fluctuations in the velocity and position of the test particle are calculated. It is found that the random motion of the test particle will be anisotropic. The possible consequences for theories with extra compactified spatial dimensions are discussed.     

晶格反演的嵌入原子法模型及其应用

讨论一种基于晶格反演的嵌入原子法模型 ,其特点是未知函数的参数化是对原子间对势和单原子电荷密度函数的晶格和 ,而不是对原子间对势和单个原子的电荷密度函数进行的 ,其最大优点在于待定参数可以用物理输入解析地表达出来 ,而不是像大多数埋入原子法模型中那样通过拟合来确定 .给出了它在计算点缺陷 (自间隙杂质和空位原子 )和晶体表面形成能方面的应用 .     

某些周期函数类的n宽度

设G是B核,记用d_n,dⁿ和δ_n分别表示Kolmogorov,Gel''fand和线性n宽度。本文求出了和的精确值,找到了各自的极子空间(或最优算子)。由此证明了Pinkus猜想(即是的极子空间,)在p=q时的正确性。     

p-τ值对COIL的影响的实验研究

 实验研究了单重态氧发生器（SOG）的p-τ值，即初始氯气分压与停留时间的乘积，对化学氧碘激光器（COIL）的影响，并分析了诸多实验因素对SOG的p-τ值的影响。对于提高COIL的化学效率具有很重要的实际意义。     

置换环上的稳定矩阵

本文证明了置换环上的正则稳定矩阵是幂等矩阵和可逆矩阵的积,进一步证明了置换环上的正则稳定矩阵可以对角化。     

商标数据库存储模式及其检索算法研究

依据商标专家的先验知识和基于内容的图像检索技术，提出了一种新的商标库存储结构，并依据该存储结构设计了以三级检索算法为核心的实用商标登记注册管理系统，对于检索算法，一级检索采用人工确认，二级检索采用傅立叶描述子作为边缘特征向量，三级检索采用hu不变矩组作为矩特征向量，从而达到提高商标申请注册中的检索速度和查准率。     

热力膨胀阀在空气源热泵热水器系统中稳定特性的实验研究

本文对热力膨胀阀在空气源热泵热水器的稳定特性进行了实验研究.通过不同热力膨胀阀开度下的实验数据,分析了热力膨胀阀在系统中的稳定特性.分析了热力膨胀阀在空气源热泵热水器全年运行工况中存在的局限性.提出保证系统稳定运行的方法与建议;指出制冷剂充注量是系统稳定运行的另一个重要因素,只有同时很好地把握住热力膨胀阀开度和制冷剂充注量,才可能使系统运行在最佳工况.     

Magnetic Properties of Hf0.8Ta0.2（Fe0.97A0.03）2 （A=Al, Co, Mn） Systems

Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.