全文获取类型
收费全文 | 5023篇 |
免费 | 1123篇 |
国内免费 | 2227篇 |
专业分类
化学 | 3951篇 |
晶体学 | 243篇 |
力学 | 237篇 |
综合类 | 257篇 |
数学 | 843篇 |
物理学 | 2842篇 |
出版年
2024年 | 18篇 |
2023年 | 37篇 |
2022年 | 197篇 |
2021年 | 192篇 |
2020年 | 170篇 |
2019年 | 166篇 |
2018年 | 157篇 |
2017年 | 277篇 |
2016年 | 167篇 |
2015年 | 283篇 |
2014年 | 342篇 |
2013年 | 433篇 |
2012年 | 452篇 |
2011年 | 464篇 |
2010年 | 477篇 |
2009年 | 506篇 |
2008年 | 581篇 |
2007年 | 495篇 |
2006年 | 493篇 |
2005年 | 410篇 |
2004年 | 316篇 |
2003年 | 230篇 |
2002年 | 221篇 |
2001年 | 216篇 |
2000年 | 219篇 |
1999年 | 157篇 |
1998年 | 92篇 |
1997年 | 63篇 |
1996年 | 52篇 |
1995年 | 54篇 |
1994年 | 50篇 |
1993年 | 55篇 |
1992年 | 40篇 |
1991年 | 34篇 |
1990年 | 32篇 |
1989年 | 33篇 |
1988年 | 39篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 27篇 |
1985年 | 28篇 |
1984年 | 14篇 |
1983年 | 15篇 |
1982年 | 9篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 6篇 |
1976年 | 4篇 |
1973年 | 2篇 |
1971年 | 2篇 |
1966年 | 2篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有8373条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
HU Shi-Gang CAO Yan-Rong HAO Yue MA Xiao-Hua CHEN Chi WU Xiao-Feng ZHOU Qing-Jun 《中国物理快报》2008,25(11):4109-4112
Degradation of device under substrate hot-electron (SHE) and constant voltage direct-tunnelling (CVDT)stresses are studied using NMOSFET with 1.4- nm gate oxides. The degradation of device parameters and the degradation of the stress induced leakage current (SILC) under these two stresses are reported. The emphasis of this paper is on SILC and breakdown of ultra-thin-gate-oxide under these two stresses. SILC increases with stress time and several soft breakdown events occur during direct-tunnelling (DT) stress. During SHE stress, SILC firstly decreases with stress time and suddenly jumps to a high level, and no soft breakdown event is observed. For DT injection, the positive hole trapped in the oxide and hole direct-tunnelling play important roles in the breakdown. For SHE injection, it is because injected hot electrons accelerate the formation of defects and these defects formed by hot electrons induce breakdown. 相似文献
992.
993.
994.
构造了任意两态叠加多模泛函叠加态光场|ψ(2)f>q,利用多模辐射场广义非线性等幂次高次差压缩的一般理论,研究了态|ψ(2)f>q的广义磁场分量的非线性等幂次N次方差压缩特性.得到了一般理论结果,讨论了两种特殊两态叠加多模泛函叠加态光场的差压缩特性.结果表明:1)当qN为偶数时,第一类两态叠加多模泛函叠加态光场和虚相干两态叠加多模泛函叠加态光场都不出现广义磁场分量的非线性差压缩效应,也不处于N-j最小测不准态;2)当qN为奇数时,在一定条件下,任意两态叠加多模泛函叠加态光场中,广义磁场分量呈现出周期性变化的广义非线性N次方差压缩效应. 相似文献
995.
996.
997.
998.
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术,利用2.6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列,实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液,刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加。同时,由于刻蚀溶液具有较高的Si/SiO2 刻蚀选择比,栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度,栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度。通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度,采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列。 相似文献
999.
1000.
在4,4’-二硫联吡啶在Au表面形成自组装单分子层膜的基础上,采用表面增强拉曼散射光谱(SERS)研究了在不同pH值条件下金纳米粒子在4,4’-二硫联吡啶自组装单分子膜/Au体系表面的组装。研究结果表明,由于处于单分子膜表面的吡啶环中氮原子的质子化程度随溶液环境中pH值的变化而变化,使得金纳米粒子与单分子膜表面间的结合作用程度不同,由此会引起金纳米粒子在单分子膜表面的覆盖度存在差异,并最终导致所观测到的4-巯基吡啶自组装单分子膜的SERS光谱强度存在明显的差异。而且,令人感兴趣的是,所观测到的SERS谱峰强度随金纳米粒子组装时pH值的变化呈现出明显的规律性。结合分子结构特征的分析,初步阐明了SERS谱峰强度随pH值这一组装条件的改变而发生规律性变化的内在原因。 相似文献