首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6727篇
  免费   227篇
  国内免费   32篇
化学   4579篇
晶体学   77篇
力学   177篇
数学   481篇
物理学   1672篇
  2024年   5篇
  2023年   37篇
  2022年   133篇
  2021年   172篇
  2020年   115篇
  2019年   126篇
  2018年   97篇
  2017年   107篇
  2016年   170篇
  2015年   192篇
  2014年   246篇
  2013年   448篇
  2012年   506篇
  2011年   529篇
  2010年   331篇
  2009年   276篇
  2008年   469篇
  2007年   411篇
  2006年   441篇
  2005年   354篇
  2004年   321篇
  2003年   264篇
  2002年   263篇
  2001年   180篇
  2000年   120篇
  1999年   101篇
  1998年   59篇
  1997年   33篇
  1996年   52篇
  1995年   58篇
  1994年   37篇
  1993年   40篇
  1992年   33篇
  1991年   17篇
  1990年   33篇
  1989年   30篇
  1988年   14篇
  1987年   18篇
  1985年   23篇
  1984年   15篇
  1983年   14篇
  1982年   21篇
  1981年   17篇
  1980年   10篇
  1979年   8篇
  1978年   8篇
  1977年   9篇
  1975年   4篇
  1974年   4篇
  1969年   3篇
排序方式: 共有6986条查询结果,搜索用时 46 毫秒
71.
An unusual compound, Ba4SiSb2Se11, was discovered from a reaction of Ba/Th/Sb/Se. It is assumed that Si was extracted from the silica reaction tube. It forms as silver needlelike crystals in the polar space group Cmc2(1) with a = 9.3981(3) A, b = 25.7192(7) A, c = 8.7748(3) A, and Z = 4. A rational synthesis has been devised at 600 degrees C. The compound is composed of Ba2+ ions stabilized between infinite one-dimensional [SiSb2Se11]8- chains running parallel to the a axis. Each chain is composed of a [SbSe2]- infinity backbone with [SiSe4]4- tetrahedra chelating every other Sb atom from the same side of the backbone. The V-shaped triselenide groups, (Se3)2-, are attached to the rest of the Sb atoms in the chain through one of their terminal Se atoms. The compound has a band gap of 1.43 eV. The Raman spectrum shows a broad shift at 247 cm-1 and a shoulder around 234 cm-1, which are related to the Se-Se vibration of the triselenide groups and/or the Si-Se vibrations of the [SiSe4]4- groups. The compound decomposes at 522 degrees C.  相似文献   
72.
73.
74.
75.
76.
77.
78.
79.
80.
The gas jet assisted glow discharge source has been employed for the RF-glow discharge atomic absorption spectrometry (RF-GDAAS). Data are described to illustrate the role of discharge power, pressure as well as gas flow rate on the sample loss rate, absorbance and self-bias potential. Results show that the optimum discharge conditions depend not only on the pressure and discharge power but also on the gas flow rate. The absorbance increases as much as 1 order of magnitude as the gas flow rate increases from 50 mL/min to 500 mL/min at a pressure of 3 mbar. The use of a gas-jet source allows the direct analysis of solids by RF-GDAAS.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号