全文获取类型
收费全文 | 13819篇 |
免费 | 2215篇 |
国内免费 | 1637篇 |
专业分类
化学 | 9884篇 |
晶体学 | 205篇 |
力学 | 806篇 |
综合类 | 154篇 |
数学 | 1632篇 |
物理学 | 4990篇 |
出版年
2024年 | 40篇 |
2023年 | 240篇 |
2022年 | 427篇 |
2021年 | 433篇 |
2020年 | 566篇 |
2019年 | 556篇 |
2018年 | 470篇 |
2017年 | 456篇 |
2016年 | 637篇 |
2015年 | 767篇 |
2014年 | 820篇 |
2013年 | 1101篇 |
2012年 | 1309篇 |
2011年 | 1333篇 |
2010年 | 985篇 |
2009年 | 935篇 |
2008年 | 1066篇 |
2007年 | 889篇 |
2006年 | 817篇 |
2005年 | 714篇 |
2004年 | 529篇 |
2003年 | 400篇 |
2002年 | 413篇 |
2001年 | 270篇 |
2000年 | 257篇 |
1999年 | 185篇 |
1998年 | 112篇 |
1997年 | 115篇 |
1996年 | 88篇 |
1995年 | 95篇 |
1994年 | 65篇 |
1993年 | 73篇 |
1992年 | 41篇 |
1991年 | 44篇 |
1990年 | 39篇 |
1989年 | 28篇 |
1988年 | 46篇 |
1987年 | 18篇 |
1986年 | 24篇 |
1985年 | 18篇 |
1984年 | 17篇 |
1983年 | 22篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 21篇 |
1979年 | 21篇 |
1978年 | 21篇 |
1974年 | 8篇 |
1973年 | 9篇 |
1971年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
22.
23.
We study the structure of invertible substitutions on three-letter alphabet. We show that there exists a finite set
of invertible substitutions such that any invertible substitution can be written as Iwσ1σ2σk, where Iw is the inner automorphism associated with w, and
for 1jk. As a consequence, M is the matrix of an invertible substitution if and only if it is a finite product of non-negative elementary matrices. 相似文献
24.
WANG Mingwei LI Bo FENG Kun RAO Jun KANG Zihua LI Xiujuan LILi WANG Minghong FAN Mingjie 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2004,(1):77-79
in order to study non-indutive plasma current production, the lower hybrid current drive(LHCD) experiment on the HL-2A tokamak is carried out. Simultaneously a microcomputer has been used to control the whole LHCD system. During the experiment this year, we can monitor and protect the LHCD system by use of the microcomputer control system, which will imediately switch off the microwave power to be launched into the tokamak if the plasma is disrupted. All this ensure that the microwave is injected into the equipment correctly. 相似文献
25.
26.
通过调整Mn的成分,系统地研究了Ni81Fe19/Ni100-xMnx双层膜的磁学性质,特别是交换偏置场(Hex)的变化.当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比在534%到600%之间时,对于150nm的Ni81Fe19,得到了最大的交换偏置场175kA/m,同时由于Mn对Ni81Fe19层的扩散所造成的磁矩的降低小于20%;高角x射线衍射证明Ni100-xMnx的晶格常数随着Mn成分的改变而变化,Mn含量越多,其晶格常数越大;制备态Ni100-xMnx膜晶格常数与θ相NiMn膜晶格常数的接近程度与NiMn膜θ相形成的容易程度相对应.也研究了交换偏置场随着Ni100-xMnx厚度的变化,第一次得到了当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比为706%时,Ni81Fe19(150nm)/Ni100-xMnx(90nm)双层膜在经过240℃,5h退火后,可以有80kA/m的交换偏置场,此时铁磁层磁矩的大小几乎不变.
关键词:
Ni81Fe19/Ni100-xMnx
交换偏置场 相似文献
27.
用于强磁场的快响应真空规的研制进展 总被引:2,自引:2,他引:0
研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6~0.15Pa,在1×10-5~0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。 相似文献
28.
29.
T. Brian Cavitt Brian Phillips Charles E. Hoyle Bo Pan Sukhendu B. Hait Kalyanaraman Viswanathan Sonny Jnsson 《Journal of polymer science. Part A, Polymer chemistry》2004,42(16):4009-4015
Three‐component photoinitiators comprised of an N‐arylphthalimide, a diarylketone, and a tertiary amine were investigated for their initiation efficiency of acrylate polymerization. The use of an electron‐deficient N‐arylphthalimide resulted in a greater acrylate polymerization rate than an electron‐rich N‐arylphthalimide. Triplet energies of each N‐arylphthalimide, determined from their phosphorescence spectra, and the respective rate constants for triplet quenching by the N‐arylphthalimide derivatives (acquired via laser flash photolysis) indicated that an electron–proton transfer from an intermediate radical species to the N‐arylphthalimide (not energy transfer from triplet sensitization) is responsible for generating the initiating radicals under the conditions and species concentrations used for polymerization. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 42: 4009–4015, 2004 相似文献
30.