首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   583496篇
  免费   4759篇
  国内免费   1293篇
化学   284428篇
晶体学   8278篇
力学   30789篇
综合类   17篇
数学   84995篇
物理学   181041篇
  2021年   5008篇
  2020年   5476篇
  2019年   6221篇
  2018年   13030篇
  2017年   13423篇
  2016年   13900篇
  2015年   6576篇
  2014年   10506篇
  2013年   23557篇
  2012年   20887篇
  2011年   29140篇
  2010年   20572篇
  2009年   20553篇
  2008年   26770篇
  2007年   28889篇
  2006年   18733篇
  2005年   20038篇
  2004年   17192篇
  2003年   16092篇
  2002年   14811篇
  2001年   14828篇
  2000年   11586篇
  1999年   8782篇
  1998年   7625篇
  1997年   7483篇
  1996年   7083篇
  1995年   6349篇
  1994年   6342篇
  1993年   6087篇
  1992年   6439篇
  1991年   6930篇
  1990年   6639篇
  1989年   6558篇
  1988年   6405篇
  1987年   6204篇
  1986年   5947篇
  1985年   7492篇
  1984年   7863篇
  1983年   6611篇
  1982年   6901篇
  1981年   6405篇
  1980年   6087篇
  1979年   6605篇
  1978年   6836篇
  1977年   6654篇
  1976年   6639篇
  1975年   6351篇
  1974年   6172篇
  1973年   6508篇
  1972年   4740篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
901.
Multilayer PbTe quantum dots (QDs) and SiO2 were grown by pulsed laser deposition (PLD) and Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) techniques. The crystalline structure, QD size and size dispersion were observed by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurements. This technique allows one to grow PbTe QDs as small as 1.8 nm diameter and 0.6 nm size dispersion. The whole structure can be used in a Fabry–Perot cavity for an optical device operating at the mid-infrared region.  相似文献   
902.
A switching of the S-type in the 20–200 μm thick polycrystalline n-CdTe:In layers with resistance of 103–106 Ω·cm is studied. The electric instability in the layers is found to be due to the electron-thermal breakdown mechanism. The dependence of the switching threshold parameters on the intensity of exposure can be used for fabrication of infrared-radiation controlled electric switches on the basis of n-CdTe:In layers. __________ Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 6, pp. 28–30, June, 2005.  相似文献   
903.
The kinetics and mechanism of noncatalytic liquid-phase oxidation of but-1-ene and but-2-ene with nitrous oxide in a benzene solution in the temperature range from 180 to 240°C were studied. Oxidation proceeds via the 1,3-dipolar cycloaddition mechanism to form carbonyl compounds. Both of these reactions occur with close rates and activation energies and have the first orders with respect to the alkene and N2O. A considerable fraction (39%) of but-1-ene involved in oxidation undergoes cleavage at the double bond yielding propanal and an equivalent amount of methylene, the latter producing ethylcyclopropane and cycloheptatriene. The oxidation of but-2-ene proceeds with a minimum bond cleavage and affords methyl ethyl ketone with 84% selectivity. Regularities of the oxidation of terminal and internal alkenes C2—C8 with nitrous oxide were analyzed using the previously published data. __________ Published in Russian in Izvestiya Akademii Nauk. Seriya Khimicheskaya, No. 4, pp. 925–933, April, 2005.  相似文献   
904.
905.
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
906.
Zusammenfassung Bei den bisherigen Untersuchungen über die Massenkräfte von Sternmotoren mit mittelbarer Nebenpleuelanlenkung, die sich auf die Kräfte erster und zweiter Ordnung beschränkten, ergaben sich für ausgeführte Motoren, besonders bei großen Zylinderzahlen, noch beträchtliche Kräfte zweiter Ordnung. Durch eine erweiterte Untersuchung, die auch die Glieder höherer Ordnung umfaßt, konnte für den praktisch wichtigen Fall der regelmäßigen Nebenpleuelanlenkung, wobei sämtliche Anlenkhalbmesser einander gleich und die Anlenkwinkel jeweils gleich den zugehörigen Zylinderwinkeln sind, allgemein gezeigt werden, daß nur Kräfte erster, zweiter und höherer gerader Ordnung auitreten, während samtliche Kräfte ungerader Ordnung verschwinden. Die noch explizit angegebenen Kräfte vierter Ordnung werden in der Regel sehr klein.  相似文献   
907.
908.
909.
910.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号