首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   622500篇
  免费   5921篇
  国内免费   1572篇
化学   320140篇
晶体学   8847篇
力学   30487篇
综合类   24篇
数学   79319篇
物理学   191176篇
  2021年   5518篇
  2020年   6071篇
  2019年   6841篇
  2018年   9147篇
  2017年   9306篇
  2016年   12988篇
  2015年   7132篇
  2014年   11799篇
  2013年   27612篇
  2012年   21256篇
  2011年   25605篇
  2010年   18941篇
  2009年   18772篇
  2008年   24063篇
  2007年   23922篇
  2006年   21891篇
  2005年   19709篇
  2004年   18186篇
  2003年   16260篇
  2002年   16207篇
  2001年   17230篇
  2000年   13374篇
  1999年   10345篇
  1998年   8951篇
  1997年   8782篇
  1996年   8184篇
  1995年   7488篇
  1994年   7448篇
  1993年   7152篇
  1992年   7653篇
  1991年   8180篇
  1990年   7770篇
  1989年   7671篇
  1988年   7520篇
  1987年   7248篇
  1986年   6939篇
  1985年   8849篇
  1984年   9290篇
  1983年   7821篇
  1982年   8205篇
  1981年   7613篇
  1980年   7286篇
  1979年   7844篇
  1978年   8205篇
  1977年   7978篇
  1976年   8004篇
  1975年   7649篇
  1974年   7571篇
  1973年   7796篇
  1972年   5637篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
992.
993.
994.
Porous silicon (PS) exhibits several photoluminescence (PL) bands, whose spectral position and intensity depend strongly on the actual conditions of preparation of PS, its treatment, and subsequent use. The PS PL band peaking at about 1.8 eV and usually assigned to the intrinsic emission of silicon nanocrystals was studied. It was shown that the temperature-induced variation of the PL kinetics in the 80 to 300-K interval follows a complex pattern and depends noticeably on the actual point on the band profile. The temperature behavior of PL decay in the 1.8-eV band is determined by the electron-hole recombination rate within a nanocrystal and the cascade carrier transitions from small to large nanocrystals, with an attendant decrease in energy.  相似文献   
995.
The contribution to electrical resistance due to scattering of charge carriers by domain walls is analyzed. It is revealed that “unusual” domain walls are created by frustrations in ferromagnet-antiferromagnet multilayer magnetic structures. The thickness of an unusual domain wall is substantially less than that of a usual domain wall. It is shown that scattering of charge carriers by unusual domain walls can contribute significantly to the magnetoresistance of ferromagnet-antiferromagnet multilayer magnetic structures. An analysis of the contribution made by the Levy-Zhang mechanism to the magnetoresistance demonstrates that the initial estimate obtained for this contribution is considerably exaggerated.  相似文献   
996.
Let G be a connected graph with minimum degree at least 3. We prove that there exists an even circuit C in G such that GE(C) is either connected or contains precisely two components one of which is isomorphic to a 1-bond. We further prove sufficient conditions for there to exist an even circuit C in a 2-connected simple graph G such that GE(C) is 2-connected. As a consequence of this, we obtain sufficient conditions for there to exist an even circuit C in a 2-connected graph G for which GE(C) is 2-connected.  相似文献   
997.
Ohne Zusammenfassung  相似文献   
998.
999.
1000.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号