双奇核184Au中πi13/2⊙νi13/2转动带的结构特征研究

利用重离子熔合蒸发反应和在束γ谱学实验方法,研究了双奇核184?Au的高自旋态能级结构.扩展了基于πh9/2ν7/2–[514]和πi13/2νi13/22准粒子组态下的转动带能级纲图,建立了两个转动带之间以及πh9/2ν7/2-[514]带与基态的谱学连接.从而确定了πi13/2νi13/2带能级的自旋和宇称,证实了此转动带在低自旋区出现旋称反转.分析了πi13/2νi13/2带和相邻核转动带的准粒子顺排特征,指出此带的第一回弯以及相邻核转动带在低频观测到的顺排异常可能与h9/2质子顺排有关.     

配合物LaL3.H2O的合成及表征

本文以３－甲基苯甲酸为配体，合成了与三价稀土镧离子的固体配合物ＬａＬ３．Ｈ２Ｏ，并对该配合物进行了元素分析，红外光谱，ＵＶ光谱，ＴＧ－ＤＴＡ，ＨＮＭＲ等的测试与表征。该配合物属螯合双齿配位。     

在重力场和磁场影响下自旋刚性航天器的周期运动

考虑重力场和磁场对轴对称航天器本体的影响，研究其质心在圆形轨道上的运动,通过降低系统的运动方程数，并将它变成为一个带电粒子在电磁场作用下的平面运动．确认系统运动是稳定的，并通过Liapunov全纯积分定理，构建其近似的周期运动.     

关于具有常平均曲率和数量曲率超曲面的Mbius几何的一个注记

设x:M→Sn 1(n≥3)是n 1-维单位球中的无脐点超曲面, Mobius不变量G,Φ,A和B分别表示x的Mobius度量, Mobius形式, Blaschke形式和Mobius第二基本形式．本文证明了如果x的Mobius形式Φ平行,并且A λG μB=0,其中λ,μ分别是定义在M上的光滑函数,那么Φ=0,由此及李海中、王长平(2003年)文献中的分类定理给出了Sn 1中具有平行的Mobius形式及满足A λG μB=0的超曲面的分类．此结果推广了他们及张廷枋(2003年)文献中的结果．     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

Non-Achievability of Metal-Insulator Transition in Two-Dimensional Systems

We present a simple demonstration of the nonfeasibility of metal-insulator transition in an exactly two-dimensional （2D） system. The Hartree-Fock potential in the 3D system is suitably modified and presented for the 2D case. The many body effects are included in the screening function, and binding energies of a donor are obtained as a function of impurity concentration so as to find out the possible way leading metal-insulator transition in the 2D system. While solving for the binding energy for a shallow donor in an isolated well of a GaAs/Ga1-x Als As superlattice system within the effective mass approximation, it leads to unphysical results for higher concentrations. It shows that the phase transition, the bound electron entering into the conduction band whereby （H）min=0, is not possible beyond this concentration. The results suggest thai a phase transition is impossible in 213 systems, supporting the scaling theory of localization. The results are compared with the existing data available and discussed in the light of existing literature.     

关于Menger图的几种运算

设Ｇ是一个简单连通图，若分离Ｇ的余一独立集Ｓ的最小点数等于连接Ｓ的点之间的内部不相交路的最大个数，则称Ｇ是Ｍｅｎｇｅｒ图。我们考虑了图的几种运算并给出了运算后的图是Ｍｅｎｇｅｒ图的条件。     

纳米晶Y_2SiO_5∶Eu的浓度猝灭研究

报道了分别用溶胶－凝胶法合成的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米晶和用高温固相法合成常规尺度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ材料的光致发光光谱和猝灭浓度的实验研究．结果表明：纳米Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５比常规尺度的Ｙ２－ｘＥｕｘＳｉＯ５有更高的猝灭浓度和更高的发光亮度．理论分析认为这是由于在纳米材料中能量共振传递被阻断和猝灭中心在各个纳米晶内分布的涨落造成的．这个结果为高亮度的Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ纳米材料的实际开发应用展示了广阔前景．     

单电子效应与单电子晶体管

由于半导体超微细加工技术的发展，在半径为几百ｎｍ的量子点结构上观察到由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡，分别称为库仑阻塞，单电子隧穿和库仑振荡，与此效应有关的现象还有库仑台阶，旋转门效应，旋转门器件可利用作为电流标准测量，单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择，单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。