电极表面超电势Tafel公式的推广

Tafel提出了一个经验公式,以表示氢超电势与电流密度之间的定量关系.该公式适用于电流密度较大时的情形.本文在此基础上提出了一个修正的Tafel公式,它在整个电流密度范围内都适用.对该公式进行了理论分析和实验验证.     

光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究

研究了在垂直结构发光二极管(VLED)器件中, 光致电化学法(PEC)刻蚀N极性n-GaN的速率受不同刻蚀条件(刻蚀浓度、刻蚀时间和光照强度)的影响. 并选择N极性n-GaN表面含有较理想六角金字塔结构(侧壁角为31°)的样品制成器件, 研究PEC刻蚀对VLED的欧姆接触和光电性能的影响. 结果表明, 与未粗化样品相比, PEC刻蚀后的样品接触电阻率明显降低, 形成更好的欧姆接触; 其电学特性有较好的改善, 光输出功率有明显提高, 在20 mA电流下光输出功率增强了86.1%. 对不同金字塔侧壁角度的光提取效率用时域有限差分法(FDTD)模拟, 结果显示光提取效率在侧壁角度为20°– 40°有显著提高, 在23.6° (GaN-空气界面的全反射角)时达到最大.     

现行高中物理教材示波管原理的疏忽及有关建议

从现行高中物理教材示波管原理内容安排不当为切入点,试图从理论和实践两方面解决突破示波管原理的理解、示波器的熟练操作这两大难题．     

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究

在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能，使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料，成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面，最佳生长温度窗口很小；反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感，难于通过观察再构图案的变化，准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中，观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下，在 GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明：在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差，而在单层生长模式下量子阱光学性能较好，但是界面会变粗糙.利用这一特点，我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术，找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法. 关键词： 反射高能电子衍射 量子阱 分子束外延     

就《平均变化率》的教学谈数学教师的创造性

文[1]以浓烈的情感和全新的理念阐释了数学教师需要"创作激情"与"创作冲动";"现代数学教育的立体化目标,即获取知识、发展思维、培养能力、陶冶情操、完善人格,极需要我们的教学对学生产生探寻科学真理的感召力,熏陶良好品质的感化力,认清事物本质的洞察力.提示数学理论的穿透力,激发学习兴趣的策动力.这样的数学教学极需要教师的'创作激情'与'创作冲动'".……     

企业管理的有效性、管理效率与管理变迁

为了客观公正地评价一个企业的管理有效性,本文深入挖掘了企业管理有效性概念的内涵与外延,并提出根据管理有效性的内涵确定管理效益指标体系,根据它的外延确定管理绩效的测算方法这一基本原则。基于此项原则,建立了管理前沿、管理效率和管理变迁的数理概念和测算方法。利用数据包络分析模型对我国30个省市自治区工业企业2002、2003年的管理效率以及2003年的管理变迁的评测结果表明:同时考察管理效率和管理变迁这两个技术指标,可以更客观、更全面地评价一个企业的管理有效性。     

"概率"中的数学游戏问题

《全日制义务教育数学课程标准》(实验稿)强调“数学学习活动应当是一个生动活泼的、主动的和富有个性的过程.”因此提供一个具有挑战性的问题情境,或一个有趣的游戏情境,可以让学生感受到数学就在自己的身边,激发了学生学数学的兴趣.本文从2006年课改实验区的中考试卷中选取一     

POSITIVE SOLUTIONS OF TWO-POINT BOUNDARY VALUE PROBLEMS OF DIFFERENTIO-INTEGRAL EQUATIONS

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒｗｅｃｏｎｓｉｄｅｒｔｈｅｅｘｉｓｔｅｎｃｅｏｆｐｏｓｉｔｉｖｅｓｏｌｕｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅｆｏｌｏｗｉｎｇｓｅｃｏｎｄｏｒｄｅｒｎｏｎｌｉｎｅａｒｄｉｆｅｒｅｎｔｉｏ－ｉｎｔｅｇｒａｌｅｑｕａｔｉｏｎ...     

模糊数学及其应用简介

模糊数学及其应用简介黄兰德（汕头大学５１５０６３）模糊数学是解决模糊性问题的数学分支．所谓“模糊”是相对于“精确”而言的．过去人们研究的问题大都是“精确”的．比如一个电路，不是断开的就是接通的，非此即彼，决不模棱两可．反映这种现象的数学基础是经典集合...     

Compact extended cavity diode laser system for small optically pumped cesium beam frequency standards

A compact extended cavity diode laser (ECDL) system operating at 852 nm for small optically pumped cesium (Cs) beam frequency standards was reported. ECDL and a saturated absorption spectroscopy setup were all built in an aluminum box with dimension of 10×10×7 (cm). ECDL was based on a Littman-Metcaff configuration, whose free-running linewidth was less than 600 kHz. A digital automatic frequency lock unit (AFLU) was developed to lock the laser frequency to specify Cs absorption lines automatically and re-lock it in case of lock broken. With AFLU, the laser frequency was continuously locked for several weeks.