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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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基于局域密度泛函理论和第一性原理赝势法,计算了Ag,Au,K在W(001)表面上吸附时的功函数随外加电场的变化关系.从计算结果可以看到,所有吸附系统的功函数变化与外加电场强度变化之间呈线性关系.通过比较系统功函数随外加电场强度变化的斜率的不同,可以推断Ag—W(001)的键合作用与Au—W(001)键合作用之间的细致差别,表明了Au—W(001)键合作用会略强于Ag—W(001)间的键
关键词:
功函数变化
外加电场
第一性原理计算 相似文献
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Electronic structure of ScN and YN: density-functional theory LDA and GW approximation calculations
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The desirable physical properties of hardness, high temperature
stability, and conductivity make the early transition metal nitrides
important materials for various technological applications. To learn
more about the nature of these materials, the local-density
approximation(LDA) and GW approximation i.e. combination of the
Green function G and the screened Coulomb interaction W, have been
performed. This paper investigates the bulk electronic and physical
properties of early transition metal mononitrides, ScN and YN in the
rocksalt structure. In this paper, the semicore electrons are
regarded as valance electrons. ScN appears to be a semimetal, and YN
is semiconductor with band gap of 0.142eV within the LDA, but are
in fact semiconductors with indirect band gaps of 1.244 and
0.544\,eV respectively, as revealed by calculations performed using
GW approximation. 相似文献
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利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定.其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS.当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态.在(Cd,Mn)GeP2和(Zn,Mn)GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因. 相似文献
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本文介绍了新发展的体能带全电子完整势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在计算立方Laves相C15化合物ZrZn2和ZrV2电子结构的首次应用.这两种材料的磁性和超导性,己用能带结构的结果进行了计算和讨论.计算分两种情况:(1)扭曲Muffin-tin(MT)势的自洽计算,(2)应用二次变分的完整势处理.上述计算都在达到自洽后将自旋轨道耦合效应包括进去.在MT球内的非球对称项对本征值的影响约为1mRy量级.但是,由于在Fermi能级附近存在着平坦的能带,它可能对EF处的态密度产生值得注意的影响.分波态密度的仔细分析表明:ZrZn2和ZrV2之间最主要的差别是原子Zr和V产生的d带的位置不同. 本文通过计算广义Stoner因子,研究了这些材料的磁性.结果发现,ZrZn2存在着磁反常而ZrV2是非磁性的.这一结果同实验观察一致.理论预言ZrV2的超导转变温度Tc~15K,而ZrZn2约为4K.同以前的各种计算比较,本文结果有大幅度的改进. 相似文献
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