（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．２５附近的突变     

Ag,Au,K吸附在W(001)表面上的功函数随外加电场的变化

基于局域密度泛函理论和第一性原理赝势法,计算了Ag,Au,K在W(001)表面上吸附时的功函数随外加电场的变化关系.从计算结果可以看到,所有吸附系统的功函数变化与外加电场强度变化之间呈线性关系.通过比较系统功函数随外加电场强度变化的斜率的不同,可以推断Ag—W(001)的键合作用与Au—W(001)键合作用之间的细致差别,表明了Au—W(001)键合作用会略强于Ag—W(001)间的键 关键词： 功函数变化 外加电场 第一性原理计算     

离散Hankel变换

首次提出了离散Hankel变换,从理论上给出了离散Parseval定理和变换矩阵。引入了抽样权重因子。并讨论了抽样原则及S因子对计算精度的影响。     

Electronic structure of ScN and YN： density-functional theory LDA and GW approximation calculations

The desirable physical properties of hardness, high temperature stability, and conductivity make the early transition metal nitrides important materials for various technological applications. To learn more about the nature of these materials, the local-density approximation(LDA) and GW approximation i.e. combination of the Green function G and the screened Coulomb interaction W, have been performed. This paper investigates the bulk electronic and physical properties of early transition metal mononitrides, ScN and YN in the rocksalt structure. In this paper, the semicore electrons are regarded as valance electrons. ScN appears to be a semimetal, and YN is semiconductor with band gap of 0.142eV within the LDA, but are in fact semiconductors with indirect band gaps of 1.244 and 0.544\,eV respectively, as revealed by calculations performed using GW approximation.     

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-V2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定.其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS.当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态.在(Cd,Mn)GeP2和(Zn,Mn)GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因.     

GaAs和AlAs光学声子形变势的第一性原理研究

本文以冻结声子近似模型,采用空球随原子球位移的冻结势近似的LMTO-ASA计算方案,研究了GaAs和AlAs布里渊区Λ轴的光学声子形变势的计算,得到Γ点和Λ轴光学声子形变势d₀,d₃₀,d₁₀(val)和d₁₀(comd)的第一性原理的计算结果。研究中着重从GaAs和AlAs的Λ轴光学声子形变势随k点的变化趋势,从光学声子形变势在Γ点附近满足的关系,以及从不同计算方法对d₀的计算结果与实验结果的比 关键词：     

稀土金属间化合物CeSn3和CeIn3的能带理论

本文报道了CeSn₃和CeIn₃的能带计算结果。对其f电子的行为,以及f电子与非f原子的s,p,d电子之间的杂化进行了讨论。分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构。 关键词：     

用力定理计算hcp-WC的基态性质

本文用Kohn-Sham局域密度泛函理论与力定理,在线性丸盒轨道原子球(LMTO-ASA)近似下,计算了hcp-WC的基态性质,包括平衡晶格常数a,体模量B和纵声波速率v。计算结果与实验值对比表明,晶格常数的误差小于10％,讨论了原子球半径比δ的不同选择方案对计算结果的影响。由电子分波压力随晶格常数的变化,分析了hcp-WC的键合特性。 关键词：     

C15化合物ZrZn2和ZrV2的磁性和超导性的自洽电子结构研究

本文介绍了新发展的体能带全电子完整势线性缀加平面波(FLAPW)方法,在计算立方Laves相C15化合物ZrZn₂和ZrV₂电子结构的首次应用.这两种材料的磁性和超导性,己用能带结构的结果进行了计算和讨论.计算分两种情况:(1)扭曲Muffin-tin(MT)势的自洽计算,(2)应用二次变分的完整势处理.上述计算都在达到自洽后将自旋轨道耦合效应包括进去.在MT球内的非球对称项对本征值的影响约为1mRy量级.但是,由于在Fermi能级附近存在着平坦的能带,它可能对E_F处的态密度产生值得注意的影响.分波态密度的仔细分析表明:ZrZn₂和ZrV₂之间最主要的差别是原子Zr和V产生的d带的位置不同. 本文通过计算广义Stoner因子,研究了这些材料的磁性.结果发现,ZrZn₂存在着磁反常而ZrV₂是非磁性的.这一结果同实验观察一致.理论预言ZrV₂的超导转变温度T_c～15K,而ZrZn₂约为4K.同以前的各种计算比较,本文结果有大幅度的改进.     

一种可获得“迁移率谱”的新方法——瞬时热电效应法

介绍了瞬时热电效应法，一种新的实验手段．它基于脉冲激光照射引起的载流子的扩散现象．观测到的瞬时热电电压由光激发导致的传导载流子的扩散形成，并且复合着几个特征的衰减过程指数地衰减．分析这些衰减过程，可以获得载流子的迁移率、有效质量、费密面的变化等重要信息．对瞬时热电效应法的原理以及主要分析方法作了较详细的介绍． 关键词：