InxGa1－xAs缓冲层上InyGa1－yAs/(Al)Ga

本文中,发现在In_xGa_1-xAs缓冲层上非故意掺杂的In_yGa_1-yAs/(Al)GaAs超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区,一个位于样品表面,另一个位于In_xGa_1-xAs缓冲层和超晶格界面。据此,合理地解释了样品的光伏测试结果,并对此类样品的MOCVD生长工艺给予指导。     

In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

应变超晶格(ZnS)1/(ZnSe)1的光学性质

用linear mufin tin orbital能带方法，计算Si衬底上（ZnS）_n/（ZnSe）_n（001）超晶格的能带结构，计算中采用外加调整势进行带隙修正．在得到较准确的能带结构和波函数的基础上，计算该超晶格系统的光学介电函数虚部ε₂（ω）．结果表明，该超晶格系统的光学性质结合了ZnS和ZnSe体材料光学性质的特点，在相当宽的能量范围内有较好的光谱响应．并且该超晶格系统是直接带隙材料，在光电器件应用中有很大潜力． 关键词：     

(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga_(0.5)Al_(0.5)As合金虚晶能带的对应性

基于线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)数值计算,比较(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格与闪锌矿结构Ga_(0.5)Al_(0.5)As合金虚晶能带本征态,发现它们可以用Ⅲ价和Ⅴ价原子平面的分波态进行统一描述,用这种方法详细分析超晶格与闪锌矿结构合金在布里渊区Γ,M(X)和R(L)诸点主要能带本征态之间的对应关系,讨论了超晶格布里渊区能带折叠对本征态的影响。     

BaSe的准粒子能带结构

运用标准的准粒子GW方法重新考察了BaSe的准粒子能带结构.为便于比较，同时计算了局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)下的能带.结果表明，LDA和GGA方法都不能准确描述这个材料的带隙.与实验测量值对比，其误差分别达到39.9%和32.6%.GW准粒子能带的结果则可以对其带隙作出大幅度的修正，得到与实验测量相当符合的理论结果.与已有的计算结果不同，B1结构BaSe准粒子能带具有Γ点直接带隙特性，表明在Ba价电子组态中考虑4d电子的作用至关重要. 关键词： BaSe GW 能带结构 带隙     

应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）_１（ＧａＡｓ）_１（００１），（ＩｎＰ）_n（ＩｎＡｓ）_n（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ_v和平均键能Ｅ_m的行为，对以Ｅ_m为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验，基于这一方法，本文分别对ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡ 关键词：     

Quasiparticle Band Structure of BaS

We calculate the band structure of BaS using the local density approximation and the GW approximation （ G WA ）, i.e. in combination of the Green function G and the screened Coulomb interaction W, The Ba 4d states are treated as valence states. We find that BaS is a direct band-gap semiconductor, The result shows that the GWA band gap （Eg-Gw = 3.921 eV） agrees excellently with the experimental result （Eg-EXPT = 3.88 eV or 3.9eV）.     

异质结能带边不连续性的第一性原理计算

本文根据异质结界面两侧的平均键能相互“对齐”的研究结果,以平均键能作为参考能级,采用改进计算效率的LMTO-ASA能带从头计算方法,计算了10种异质结的价带边不连续ΔE_v值,所得结果与更严格的第一性原理的界面自洽计算的结果非常一致,而且计算量比界面自洽方法要小得多,便于在中型计算机条件下推广应用.     

AB INITIO CALCULATIONS OF OPTICAL PHONON DEFORMATION POTENTIALS IN DIAMOND AND ZINC-BLENDE SEMICONDUCTORS

Ab initio calculations of optical-phonon deformation potentials (ODP's), i.e., d₀, d₃₀, d₁₀ (val) and d₁₀ (con) for sixteen semiconductors were carried out systematically. The calculations are based on the LMTO-ASA band-structure method within the framework of the frozen-phonon approximation model, in which the displacement of empty sphere is considered to match its atomic sphere partners, We have compared the d₀ values obtained by several different theoretical calculation methods and studied the main factors affecting them. It is pointed out that the two different models (rhombohedral strain model and frozen-phonon model) for calculations will lead to different results of d₀.