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Observation of 550 MHz passively harmonic mode-locked pulses at L-band in an Er-doped fiber laser using carbon nanotubes film 下载免费PDF全文
We demonstrate a passively harmonic mode-locked(PHML) fiber laser operating at the L-band using carbon nanotubes polyvinyl alcohol(CNTs-PVA) film. Under suitable pump power and an appropriate setting of the polarization controller(PC), the 54~(th) harmonic pulses at the L-band are generated with the side mode suppression ratio(SMSR) better than 44 dB and a repetition frequency of 503.37 MHz. Further increasing the pump power leads to a higher frequency of 550 MHz with compromised stability of 38.5 dB SMSR. To the best of our knowledge, this is the first demonstration on the generation of L-band PHML pulses from an Er-doped fiber laser based on CNTs. 相似文献
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Operating a laser diode in an external cavity, which provides frequency-selective feedback, is a very effective method to tune the laser frequency to a range far from its free running frequency. For the Ca atomic Ramsey spectroscopy experiment, we have constructed a 657-nm laser system based on the Littman-Metcalf configuration with a 660-nm commercial laser diode. Continuously 10-GHz tuning range was achieved with about 100-kHz spectral linewidth, measured with beat-note spectrum of two identical laser systems. 相似文献
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Excitation power-dependent micro-photoluminescence spectra and photon-correlation measurement are used to study the optical properties and photon statistics of single InAs quantum dots. Exciton and biexciton emissions, whose photoluminescence intensities have linear and quadratic excitation power dependences, respectively, are identified. Under pulsed laser excitation, the zero time delay peak of second order correlation function corresponding to exciton emission is well suppressed, which is a clear evidence of single photon emission. 相似文献
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本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于
关键词: 相似文献