弧形通道散热器流动与传热的数值模拟研究

以某航空电子元器件的散热器为研究对象,建立了弧形翅片散热器微流道单元流域的三维模型。根据高空运行温度和压力设置边界条件,利用计算流体力学数值模拟方法对散热器弧形翅片的流场、传热性能等进行分析研究。通过实验数据拟合的关联式对模拟结果进行验证,对其强化传热效果与平板翅片进行比较。结果表明,弧形翅片具有很好的换热效果,雷诺数在780～1 450范围内,弧形翅片的传热效果比平板翅片提高8.43%～18.06%。相同工况下,弧形翅片的散热量较多、散热性能较好、传热效率较高。     

Effects of Thermal Lattice Vibration on the Effective Potential of Weak-Coupling Bipolaron in a Quantum Dot

Based on the Huybrechts' linear-combination operator,effects of thermal lattice vibration on the effective potential of weak-coupling bipolaron in semiconductor quantum dots are studied by using the LLP variational method and quantum statistical theory.The results show that the absolute value of the induced potential of the bipolaron increases with increasing the electron-phonon coupling strength,but decreases with increasing the temperature and the distance of electrons,respectively;the absolute value of the effective potential increases with increasing the radius of the quantum dot,electron-phonon coupling strength and the distance of electrons,respectively,but decreases with increasing the temperature;the temperature and electron-phonon interaction have the important influence on the formation and state properties of the bipolaron:the bipolarons in the bound state are closer and more stable when the electron-phonon coupling strength is larger or the temperature is lower;the confinement potential and coulomb repulsive potential between electrons are unfavorable to the formation of bipolarons in the bound state.     

Fe掺杂CoSb3化合物的热电性能及电子结构研究

采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了Co4-xFexSb12化合物,探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb3的电子结构进行了计算.结果表明:在Co4-xFexSb12化合物中Fe的固溶极限x在0.3～0.5之间;CoSb3的费米而位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Fe掺杂后费米面进入价带,使其成为P型简并半导体,电阻率较掺杂前大大降低并随温度的升高而增加;本实验条件下,Co37Fe0.3Sb12化合物的功率因子在600 K时出现1406.31μW/ m·K2的最高值,是未掺杂试样的功率因子最高值的7.4倍.     

Differential characteristic set algorithm for the complete symmetry classification of partial differential equations

In this paper, we present a differential polynomial characteristic set algorithm for the complete symmetry classification of partial differential equations （PDEs） with some parameters. It can make the solution to the complete symmetry classification problem for PDEs become direct and systematic. As an illustrative example, the complete potential symmetry classifications of nonlinear and linear wave equations with an arbitrary function parameter are presented. This is a new application of the differential form characteristic set algorithm, i.e., Wu＇s method, in differential equations.     

点状籽晶法生长KDP晶体中散射颗粒分布

在不同的溶液pH值条件下进行了点状籽晶法慢速和快速生长KDP晶体实验,发展了观察晶体中散射颗粒分布的激光层析技术,通过图像处理得到了KDP晶体内部(100)面完整的散射颗粒分部图,对不同生长速度、不同pH值条件下点状籽晶法生长的KDP晶体的散射颗粒分部做了对比.利用表面光学投影技术观察了晶体表面宏观形貌,并由此分析了不同生长条件下生长机制对散射颗粒分布的影响.测定了散射颗粒密度不同部位的晶体透过率.     

3-(2-卓二唑啉基) - 色酮类化合物的合成研究

报道了取代的邻羟基苯乙酮(1a～1e)经Vilsmeier-Haack反应一步制得3－醛基色酮(2a～2e),2a～2e与取代的芳酰肼(3a～3c)缩合制得15个酰腙类化合物(4a～4o),4a～4o在醋酸酐作用下关环得15个3-(2-卓二唑啉基)-色酮(5a～5o),并通过元素分析,IR,^1^HNMR和MS谱数据确证了上述化合物的结构。     

文明社区综合评估数学模型

探讨了明社区综合评估问题,根据其指标体系建立了该问题的数学模型,提出建模的理论和综合评估算法,为社区明建设的客观评价和比较建立了一种科学的方法。     

计及厚度下量子点量子比特的电磁场依赖性

在电子-体纵光学(Longitudinal optical,LO)声子强耦合条件下,采用LLP-Pekar型变分法推导出计及厚度下量子点中极化子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数以及平均声子数的电磁场依赖性。在此基础上,以极化子的二能级结构为载体构造了量子点量子比特。数值计算结果表明:量子比特的振荡周期T_0随量子点厚度L的增加而增大,随磁场的回旋频率ωc、电场强度F和电声子耦合强度α的增加而减小。量子比特的概率密度︱Ψ(ρ,z,t)~2︱随电子横向坐标ρ的变化呈现"正态分布"并受到量子盘厚度L和有效半径R_0的强烈影响,随电子纵向坐标z、角坐标φ和时间t作周期性振荡变化。消相干时间τ随磁场的回旋频率ω_c、色散系数η和电子-声子耦合常数α的增加而增大,随电场强度F、量子点厚度L和有效半径R_0的增加而减小。量子点的厚度是量子点量子比特的一个重要参数,理论上可以通过设计不同的量子盘厚度并结合调节外加电磁场的强度,达到调控量子比特振荡周期、消相干时间大小的目的。     

H2流量对直流磁控溅射制备a-Si∶H薄膜微观结构及光学性能的影响

采用直流磁控溅射法在不同H2流量的条件下制备了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量对薄膜微观结构以及光学性能的影响.结果表明:随H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉积速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出现了细小的纳米晶粒,使得薄膜的无序结构得到了一定改善.同时,薄膜的光学性能也表现出明显变化,其中透过率持续上升,而光学带隙则呈现出先增大后减小的趋势.最终得到制备a-Si∶H薄膜的最优H2流量为15 sccm.     

高精度纯相位液晶空间光调制器的研究

研制了平行排列液晶空间光调制器（LC SLM）。论述了平行排列液晶相位调制的理论,进行了计算模拟。对液晶空间光调制器相位调制特性和振幅调制特性进行了测量,实验结果表明,在整个灰度级范围内是纯相位调制的空间光调制器,并且调制的范围可达到0．6λ。在ZYGO菲佐干涉仪上进行了精度特性的研究,得到了非常好的结果,在1cm^2的面积上,进行了畸变波前的调制,其精度峰谷值可达0．098λ,均方根值可达0．017λ。在此精度的基础上产生了π相位差的栅结构,证明了这种液晶空间光调制器可以很好的进行相位调制。