非线性啁啾频率对势阱产生正负电子对的增强

用计算量子场论方法研究了非线性啁啾频率对势阱中正负电子对产生的增强效应。研究了由静态势阱和动态势阱组成的组合势阱中产生的正负电子对的密度、产额和能谱等性质随着啁啾参数的变化,分析了组合势阱的频谱和瞬时束缚态。发现非线性啁啾效应对低频区域比较敏感,与固定频率情况相比可以使粒子数增加2～3倍。与组合势阱相比,非线性啁啾效应对单个振荡势阱更敏感。在低频下单个振荡的势阱中正负电子对产额可提高多个数量级。这是因为在低频下单个振荡的势阱中,主要通过量子隧穿过程产生的正负电子对数目非常低。非线性啁啾效应增加了高频场成分,提高了多光子过程和动力学辅助机制。由于高频抑制作用,所以非线性啁啾效应对高频区域粒子的增量不大,甚至会抑制正负电子对的产生。     

Effects of preparation parameters on growth and properties of β-Ga2O3 film

The Ga$_{2}$O$_{3}$ films are deposited on the Si and quartz substrates by magnetron sputtering, and annealing. The effects of preparation parameters (such as argon-oxygen flow ratio, sputtering power, sputtering time and annealing temperature) on the growth and properties ($e.g.$, surface morphology, crystal structure, optical and electrical properties of the films) are studied by x-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscope (SEM), and ultraviolet-visible spectrophotometer (UV-Vis). The results show that the thickness, crystallization quality and surface roughness of the $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ film are influenced by those parameters. All $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3 }$films show good optical properties. Moreover, the value of bandgap increases with the enlarge of the percentage of oxygen increasing, and decreases with the increase of sputtering power and annealing temperature, indicating that the bandgap is related to the quality of the film and affected by the number of oxygen vacancy defects. The $I$-$V$ curves show that the Ohmic behavior between metal and $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ films is obtained at 900 ${^\circ}$C. Those results will be helpful for the further research of $\beta $-Ga$_{2}$O$_{3}$ photoelectric semiconductor.     

LINEAR AND NONLINEAR DIELECTRIC PROPERTIES OF PARTICULATE COMPOSITES AT FINITE CONCENTRATION

An analytical method was proposed dielectric properties for particulate composites. to calculate effective linear and nonlinear The method is based on an approximate solution of two-particle interaction problem, and it can be applied to relatively high volume concentration of particles （up to 50%）. Nonlinear dielectric property was also examined by means of secant method. It is found that for low applied electric filed the proposed method is close to Stroud and Hui＇s method and for high applied electric filed it is close to Yu＇s method.     

智能结构中光纤智能夹层力学特性的实验研究

根据光纤自诊断系统模块化、集成化要求,制作出光纤智能夹层,它可以铺设于复合材料结构表面或埋入复合材料结构内部。对智能夹层试件的轴向拉伸试验和层间拉伸试验表明,光纤智能夹层的埋入对复合材料结构的强度性能无显著影响,可以埋入复合材料结构内部并实施健康监测。试验还表明,在一定应变范围内,单膜交错光纤中光强—应变之间具有良好的线性关系,可以在埋入复合材料之前进行标定。     

开口波导有效接收面积的测量

讨论了用开口波导N5作为接收天线的有效面积的测量,给出了测试的原理和方法,并给出了该开口波导的有效接收面积与频率的关系的测试结果。将测试结果与俄国人标定的结果进行了比较。结果表明测试结果是可信的,为准确测试高功率微波源的输出辐射场功率提供了必要条件。该测试方法也适用于其他天线的增益和有效面积的测量。     

双频磁绝缘线振荡器微波产生特性的数值研究

利用数值模拟的方法,研究了角向分区比例分别为1∶1,1∶2,1∶3,2∶1和2∶2的双频磁绝缘线振荡器（MILO）的微波产生特性,得到了“热腔”条件下的微波电场分布,电子的相空间图,输出微波的总功率,以及微波频率随角向的分布变化等特性。为了比较,还给出了对应于双频MILO的谐振腔深度的两种常规的角向均匀的单频MILO的模拟结果。研究揭示了双频MILO内束 波互作用分区分别工作的规律,提高了对双频MILO产生双频率高功率微波的机理的认识,为双频MILO的双频辐射技术和双频微波测试技术提供了依据。     

X波段磁绝缘线振荡器的数值模拟

在对磁绝缘线振荡器（MILO）慢波结构色散特性进行理论分析的基础上,结合负载限制型和渐变型MILO的特点,对X波段MILO慢波结构、阴极和中心阳极进行了设计。利用2.5维全电磁PIC程序进行粒子模拟,研究了输出功率与结构参数之间的关系,进一步优化MILO结构。在外加电压为510 kV,束流43 kA情况下,模拟得到平均功率2.83 GW的微波输出,中心频率为8.2 GHz,功率转换效率12.9%。     

住房体制改革与中国城镇居民储蓄

基于中国32个城市的城镇住户调查数据,本文发现,1998—2000年取消福利分房的政策,在很大程度上影响了中国城镇家庭的储蓄行为。研究表明：（1）在1998—2001年间,城镇居民的储蓄率平均增加了0.9%左右;（2）取消福利分房政策的影响存在异质性,居民储蓄率的提高主要体现在那些在改革前没有得到公房的家庭上,其储蓄率平均提高约2%。特别是,那些在国有企业工作、技术级别比较高、在改革前却未得到公房的家庭,其储蓄率提高约4%;（3）在90年代中后期,公房比例越低的城市,在2000年全面停止福利分房之后,该地居民对住房的需求越大,使得其房价增长越快,而居民储蓄率也越高。     

钍铀循环关键核素的多群数据库加工与初步验证

钍基先进核能系统的发展对核数据提出了新的需求。钍铀循环关键核素的多群数据库是堆芯物理设计与分析计算的基础。因此,基于权威核数据处理程序NJOY对ENDF/B-VII.1评价核数据库进行处理得到WIMS格式多群截面数据,利用专用更新处理程序WILLIE得到WIMS格式数据库,并利用多群堆芯计算程序WIMSD-5B对数据库进行了一系列临界基准检验,结果表明：基于ENDF/B-VII.1加工的WIMS库与WIMS库更新计划（WLUP）的网站上发布的最新版本WIMS库的计算结果基本一致,并且,在16个钍铀循环基准题检验中,新加工的WIMS库计算平均误差要比WIMSD5B程序的自带WIMS库的计算结果小0.225 3%,精度更高,可靠性更好。     

L波段MILO低真空下工作特性的粒子模拟与实验研究

通过实验和粒子模拟相结合的方法对L波段MILO在低真空度下的工作特性进行了研究。实验和模拟中都观察到了低真空情况下MILO的功率增强和频率升高,在2 Pa内,粒子模拟中没有观察到脉冲缩短现象,实验上脉宽略有下降,但是辐射微波单脉冲能量增大,MILO工作性能在低真空下有一定提高。研究发现适量等离子体填充同样可以改善MILO工作性能。