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1INTRODUCTION The construction of metal-organic coordination polymers based on covalent interactions[1]or supra-molecular contacts such as hydrogen-bonding and/orπ-πinteractions)[2]is now of great interest not only due to the enormous variety of intriguing structural topologies themselves,but also to their unexpected physical and chemical properties for potential prac-tical applications as functional materials.Many N-containing ligands,such as4,4?-bipyridine,2,2?-bi-pyridine and1,10-phen… 相似文献
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1 INTRODUCTION Self-assembly of coordination polymers fromthe basic building blocks is of considerable interestdue to their intriguing diverse architectures and po-tential applications in catalysis and advanced mater-ials, such as magnetic, optical a… 相似文献
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pH 4.1的条件下,铜与洛美沙星、曙红反应生成三元络合物,使曙红溶液褪色并产生新的吸收峰,最大褪色峰谷波长位于508 nm,三元络合物吸收峰波长位于546 nm.利用吸收峰、谷的高度差,进行洛美沙星的测定,洛美沙星的质量浓度在0.7~3.8 mg/L范围内符合比耳定律.方法的表观摩尔吸光系数为5.47×104 L·mol-1·cm-1,检出限为0.46 mg/L.该方法用于HCl洛美沙星片剂样品中洛美沙星的测定,准确、灵敏、选择性好.对样品平行6次测定,相对标准偏差为0.42%~3.1%,回收率为92.6%~106.9%. 相似文献
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宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。 相似文献
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