不同掺杂的钇系-123薄膜磁通特性

我们在磁场中分别测量了最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ、钙0．2掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ及钙0．5掺杂的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的电阻温度关系．利用最近Zhang et al.[Phys．Rev．B71（2005），052502]提出的热激活能的分析方法对薄膜的磁通特性进行了分析、比较与讨论．     

Deep InP Gratings for Opto-Electronic Devices Etched by C12/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma

Deep InP gratings are etched by C12/CH4/Ar inductively coupled plasma （ICP） at room temperature. A comparison is made between SiNz mask patterns formed by wet and dry etching. SF6 reactive ion etching is adopted for smooth and vertical sidewall. The etching conditions of C12/CH4/Ar ICP are optimized for high anisotropy, and a 1.7-μm-deep InP grating with an aspect ratio of 10：1 is demonstrated. The technique is then used for the fabrication of 1.55-μm laterally coupled distributed feedback A1GMnAs-InP laser.     

Ti-Zr-Ni单相准晶合金的室温力学性能研究

以Ti40₄₀Zr40₄₀Ni20₂₀合金为研究对象，用铜 模吸铸法制备出直径为3mm的致密单相准晶棒，通过维氏显微硬度测定和单向压缩实验方 法研究了该合金的室温力学性能 .结果表明：Ti40₄₀Zr40₄₀Ni20₂₀准晶具有良好 的弹性变形能力，室温弹性应 变可达125%.同时，它具有相对高的室温硬度（约55GPa），是普通Ti合金的15倍.T i40_{40 关键词： 准晶 Ti-Zr-Ni合金 解理断裂}     

利用Townsend放电测定N_2(A~3∑_u~ )亚稳态分子的扩散系数和猝灭速率常数

在纯N_2气体中,利用Townsend放电方法,对N_2(A~3∑_u~ )亚稳态分子的扩散系数D_m和猝灭速率常数K_q的测定进行了研究。分别得到:D_m=128cm~2/s,K_q=8.1×10~(-19)cm~3/s。     

利用Townsend放电测定N2(A3∑u+)亚稳态分子的扩散系数和猝灭速率常数

在纯N₂气体中,利用Townsend放电方法,对N₂(A³∑_u⁺)亚稳态分子的扩散系数D_m和猝灭速率常数K_q的测定进行了研究。分别得到:D_m=128cm²/s,K_q=8.1×10^-19cm³/s。 关键词：     

富勒烯／高聚物电荷转移体系的物理研究

富勒烯／高聚物组合体系是物理化学，材料等交叉学科研究的一个热点，该组合体系中电荷会对组合体系的物理，光学及非线性光学特性产生很大的影响。文章对富勒烯／高聚物组合体系中电荷转移的发生条件，其对体系特性的影响及研究电荷转移过程的实验方法和结果作了全面扼要的介绍。     

第一届全国应用化学学术报告会在京举行

第一届全国应用化学学术报告会于8月1日至5日在北京西郊卧佛寺别墅举行。来自全国各地的科研单位、高等院校、工厂企业等200余名代表出席了会议。中国科学院长春应用化学研究所所长中国化学会应用化学委员会副主任委员王佛松主持了第一天的大会。中国科学院化学研究所名誉所长中国化学会应用化学委员会主任委员柳大纲致开幕词。他详细阐述了开展应用化学研究对促进四化建设的重要意义,指出工程师并不就     

芳氨基硫脲类化合物的质谱研究（Ⅱ）

本文报道了五种新的芳氨基硫脲类化合物，即１－（４－溴－２－羧基苯基）－４－烷基氨基硫脲的电子轰击质谱（ＥＩＭＳ）。结果表明，该类化合物的分子离子峰（Ｍ＋）很弱，但却具有效强的［Ｍ－Ｈ］＋峰。分子离子的断裂以Ｎ－Ｎ键和Ｃ－Ｎ键的断裂为主，并伴随着六员环或四员环过渡态氢重排，生成相应的芳氨基正离子和芳肼基正离子，这两种离子继续失水或失其它小分子，从而形成一系列特征离子，包括骨架重排离子。